本发明专利技术公开了一种反流冷凝水分离装置及半导体工艺设备，涉及半导体工艺设备技术领域，反流冷凝水分离装置用于半导体工艺设备的气体排放系统，气体排放系统包括排气管线，排气管线上设置有控压阀组，反流冷凝水分离装置包括：装置本体，装置本体的内部设置有第一通道、第二通道和第三通道，第一通道的下端开放并形成进气口，进气口用于与控压阀组的出口端连接，第一通道的上端通过向下倾斜的第三通道与第二通道连接，第二通道的上端开放并形成出气口；单向排液结构，单向排液结构的一端与第二通道的下端连接，单向排液结构的另一端形成排液口；该反流冷凝水分离装置设置在气体排放系统的控压阀组的出口端，能够防止反流的冷凝水进入控压阀组。水进入控压阀组。水进入控压阀组。
【技术实现步骤摘要】
一种反流冷凝水分离装置及半导体工艺设备
[0001]本专利技术属于半导体工艺设备
，更具体地，涉及一种反流冷凝水分离装置及半导体工艺设备。
技术介绍
[0002]在半导体工艺设备中，比如：扩散炉，扩散炉是集成电路生产线前工序的重要工艺设备之一，它的主要用途是对半导体进行掺杂。虽然某些工艺可以使用离子注入的方法进行掺杂，但是热扩散仍是最主要、最普遍的掺杂方法。硅的热氧化作用是使硅片表面在高温下与氧化剂发生反应，生长一层二氧化硅膜，氧化方法有干氧氧化和湿氧氧化两种。氧化膜厚度、均匀性以及颗粒含量是评价立式炉设备的关键指标；这些指标的影响因素很多，其中一个重要因素是腔室压力的稳定性。
[0003]扩散炉一般包含五个基本组件：控制系统、工艺炉管、气体输送系统、气体排放系统和装载系统。气体排放系统用于排放工艺中的副产物和没有用到的原材料气体，同时还与包含厂务排气单元和厂务排水单元的厂务系统连接，用于控制腔室内的压力在一定范围内波动。气体排放系统中的控压阀组是实现腔室控压稳定的关键部件，影响控压稳定性的因素有很多，其中工艺废气温度、冷凝水含量以及杂质含量是主要影响因素。
[0004]现有的半导体工艺设备的气体排放系统中，控压阀组容易受厂务排气单元中反流的冷凝水影响，造成控压阀组控压效果不稳定，甚至阀体损坏。
技术实现思路
[0005]本专利技术的目的是针对现有技术中存在的不足，提供一种反流冷凝水分离装置及半导体工艺设备，该反流冷凝水分离装置设置在气体排放系统的控压阀组的出口端，能够防止反流的冷凝水进入控压阀组。
[0006]为了实现上述目的，本专利技术提供一种反流冷凝水分离装置，所述反流冷凝水分离装置用于半导体工艺设备的气体排放系统，所述气体排放系统包括排气管线，所述排气管线上设置有控压阀组，所述反流冷凝水分离装置包括：
[0007]装置本体，所述装置本体的内部设置有第一通道、第二通道和第三通道，所述第一通道的下端开放并形成进气口，所述进气口用于与所述控压阀组的出口端连接，所述第一通道的上端通过向下倾斜的所述第三通道与所述第二通道连接，所述第二通道的上端开放并形成出气口；
[0008]单向排液结构，所述单向排液结构的一端与所述第二通道的下端连接，所述单向排液结构的另一端形成排液口。
[0009]可选地，所述进气口连接有第二连接管，所述第二连接管的外周设置有加热部件。
[0010]可选地，所述出气口连接有第三连接管，所述第三连接管的外周设置有制冷部件。
[0011]可选地，所述第二通道包括第一子通道和倾斜的第二子通道，所述第一子通道设置在所述第一通道的一侧，所述第一子通道的轴线与所述第一通道的轴线平行，所述第二
子通道的上端在所述装置本体上形成所述出气口，所述第二子通道的下端与所述第一子通道连接，所述出气口与所述进气口同轴设置。
[0012]可选地，所述单向排液结构包括：
[0013]第一连接管，所述第一连接管与所述第二通道的下端连接；
[0014]阀体，所述阀体内部设置有阀腔，所述阀腔包括依次连接的第一直筒段、渐缩段第二直筒段，所述第二直筒段与所述第一连接管可拆卸连接；
[0015]隔板，设置在所述第一直筒段内，所述隔板上开设有多个通孔，所述隔板靠近所述渐缩段的一侧设置有球体，所述球体与所述第一直筒段滑动配合，所述球体与所述隔板之间设置有弹性部件，所述弹性部件的弹力能够对所述球体施加朝向所述渐缩段方向的弹力，使所述球体与所述渐缩段的内壁接触并封堵所述阀腔，所述隔板远离所述渐缩段的一侧所述第一直筒段连接有第四连接管。
[0016]可选地，所述第二通道内设置有温度传感器。
[0017]可选地，所述加热部件包括螺旋缠绕在所述第二连接管的外周的加热丝。
[0018]可选地，所述制冷部件包括冷却套，所述冷却套内部设置有冷却腔，所述冷却套的外侧设置有与所述冷却腔连通的进水管和出水管。
[0019]本专利技术还提供一种半导体工艺设备，所述半导体工艺设备包括反应腔室和气体排放系统，所述气体排放系统包括：
[0020]排气管线，与所述反应腔室连接；
[0021]控压阀组，设置在所述排气管线上；
[0022]上述的反流冷凝水分离装置，所述反流冷凝水分离装置的进气口与所述控压阀组的出口端可拆卸连接。
[0023]可选地，还包括：
[0024]尾气冷凝装置、气液分离装置和冷凝水排放装置；
[0025]所述气液分离装置通过第一管路与所述反应腔室连接，所述第一管路上设置有尾气冷凝装置，所述气液分离装置的出液端和出气端分别通过第二管路和第三管路与所述冷凝水排放装置和所述控压阀组连接；
[0026]所述反流冷凝水分离装置的出气口与厂务系统的排气单元连接，所述排液口与所述厂务系统的排水单元连接，所述冷凝水排放装置通过第四管路与所述排水单元连接。
[0027]本专利技术提供一种反流冷凝水分离装置，其有益效果在于：
[0028]1、该反流冷凝水分离装置设置在半导体工艺设备的气体排放系统的控压阀组的出口端，第一通道和第二通道相互独立并由倾斜的第三通道连接形成折线形的气体通道，气体从进气口进入，经过折线形的气体通道后从出气口排出，反流的冷凝水进入第二通道后难以再流入第一通道中，并且能够通过单向排液结构排出，能够防止反流的冷凝水进入控压阀组；
[0029]2、该反流冷凝水分离装置分别通过第二连接管和第三连接管与厂务系统的排气单元和厂务系统的排水单元连接，并且第二连接管和第三连接管外周分别设置有加热部件和制冷部件，加热部件能够对进入第一通道的气体加热从而避免第一通道内有冷凝水反流至控制阀组，制冷部件促进第二通道上部的第三连接管处的冷凝效果，并使得该处的冷凝水流入第二通道下端进而通过单向排液结构排出，进一步避免冷凝水反流进入控制阀组；
[0030]3、该半导体工艺设备的气体排放系统在控压阀组的出口端与厂务系统的排气单元之间设置上述反流冷凝水分离装置，尾气冷凝装置与上述反流冷凝水分离装置中的制冷部件形成两次冷凝的效果，有效分离尾气中的气和液，并将处于第二通道上方的第三连接管内和排气单元中的冷凝水通过第二通道和单向排液结构排出，使其难以进入第一通道进而难以反流至控压阀组内。
[0031]本专利技术的其它特征和优点将在随后具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
[0032]通过结合附图对本专利技术示例性实施方式进行更详细的描述，本专利技术的上述以及其它目的、特征和优势将变得更加明显，其中，在本专利技术示例性实施方式中，相同的参考标号通常代表相同部件。
[0033]图1示出了根据本专利技术的一个实施例的一种反流冷凝水分离装置的结构示意图。
[0034]图2示出了根据本专利技术的一个实施例的一种反流冷凝水分离装置的单向排液结构的结构示意图。
[0035]图3示出了图2的A向剖视结构示意图。
[0036]图4示出了根据本专利技术的一个实施例的一种气体排放系统的结构示意本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种反流冷凝水分离装置，其特征在于，所述反流冷凝水分离装置用于半导体工艺设备的气体排放系统，所述气体排放系统包括排气管线，所述排气管线上设置有控压阀组，所述反流冷凝水分离装置包括：装置本体，所述装置本体的内部设置有第一通道、第二通道和第三通道，所述第一通道的下端开放并形成进气口，所述进气口用于与所述控压阀组的出口端连接，所述第一通道的上端通过向下倾斜的所述第三通道与所述第二通道连接，所述第二通道的上端开放并形成出气口；单向排液结构，所述单向排液结构的一端与所述第二通道的下端连接，所述单向排液结构的另一端形成排液口。2.根据权利要求1所述的反流冷凝水分离装置，其特征在于，所述进气口连接有第二连接管，所述第二连接管的外周设置有加热部件。3.根据权利要求1所述的反流冷凝水分离装置，其特征在于，所述出气口连接有第三连接管，所述第三连接管的外周设置有制冷部件。4.根据权利要求1所述的反流冷凝水分离装置，其特征在于，所述第二通道包括第一子通道和倾斜的第二子通道，所述第一子通道设置在所述第一通道的一侧，所述第一子通道的轴线与所述第一通道的轴线平行，所述第二子通道的上端在所述装置本体上形成所述出气口，所述第二子通道的下端与所述第一子通道连接，所述出气口与所述进气口同轴设置。5.根据权利要求1所述的反流冷凝水分离装置，其特征在于，所述单向排液结构包括：第一连接管，所述第一连接管与所述第二通道的下端连接；阀体，所述阀体内部设置有阀腔，所述阀腔包括依次连接的第一直筒段、渐缩段第二直筒段，所述第二直筒段与所述第一连接管可拆卸连接；隔板，设置在所述第一直筒段内，所述隔板上开设有多个通孔，所述隔板靠近...
【专利技术属性】
技术研发人员：光耀华，石磊，王立卡，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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