发射率测量装置及方法、半导体加工设备及红外测温方法制造方法及图纸

本申请公开一种发射率测量装置及方法、半导体加工设备及红外测温方法，发射率测量装置用于测量被测件的发射率，发射率测量装置中，反射件支撑件用于支撑第一反射件和第二反射件，第一反射件和第二反射件均与被测件相对；第一红外辐射能量计用于测量被测件发射的能量以及被测件发射的经过第一反射件反射的能量，第二红外辐射能量计用于测量被测件发射的能量以及被测件发射的经过第二反射件反射的能量；第一红外辐射能量计和第二红外辐射能量计均与计算元件相连，计算元件用于根据第一红外辐射能量计和第二红外辐射能量计的测量值计算被测件的发射率。本申请可解决使用固定发射率的红外高温计测量不准确的问题。射率的红外高温计测量不准确的问题。射率的红外高温计测量不准确的问题。

【技术实现步骤摘要】
发射率测量装置及方法、半导体加工设备及红外测温方法


[0001]本申请涉及发射率测量设备
，尤其涉及一种发射率测量装置及方法、半导体加工设备及红外测温方法。

技术介绍

[0002]在半导体加工设备中，红外测温计用于晶圆温度测量。红外测温技术基于普朗克黑体辐射定律，其中发射率是一个物体实际发射的红外能与其理论值的比率，是红外测温的关键参数。晶圆的发射率和晶圆表面状况(如抛光、粗糙、氧化、喷砂等)，表面几何形状(如平面、凹面、凸面等)，表面理化结构状态(如沉积物、氧化膜、油膜等)，测量温度以及测量角度等参数相关。实际工况下，晶圆的温度，表面状况等一直发生变化，所以晶圆的发射率一直发生变化，使用固定发射率的红外高温计测量晶圆温度具有误差，结果不准确。当然，采用红外测温技术测量其他被测件的温度时同样存在该问题。

技术实现思路

[0003]本申请公开一种发射率测量装置及方法、半导体加工设备及红外测温方法，以解决使用固定发射率的红外高温计测量被测件温度具有误差，结果不准确的问题。
[0004]为了解决上述问题，本申请采用下述技本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发射率测量装置，用于测量被测件(800)的发射率，其特征在于，包括第一反射件(300)、第二反射件(400)、反射件支撑件(500)、第一红外辐射能量计(600)、第二红外辐射能量计(700)以及计算元件；所述反射件支撑件(500)用于支撑所述第一反射件(300)和所述第二反射件(400)，所述第一反射件(300)和所述第二反射件(400)均与所述被测件(800)相对；所述第一红外辐射能量计(600)用于测量所述被测件(800)发射的能量以及所述被测件(800)发射的经过所述第一反射件(300)反射的能量，所述第二红外辐射能量计(700)用于测量所述被测件(800)发射的能量以及所述被测件(800)发射的经过所述第二反射件(400)反射的能量；所述第一红外辐射能量计(600)和所述第二红外辐射能量计(700)均与所述计算元件相连，所述计算元件用于根据第一红外辐射能量计(600)和所述第二红外辐射能量计(700)的测量值计算所述被测件(800)的发射率。2.根据权利要求1所述的发射率测量装置，其特征在于，所述第一红外辐射能量计(600)的探头穿过所述第一反射件(300)与所述被测件(800)相对，所述第二红外辐射能量计(700)的探头穿过所述第二反射件(400)与所述被测件(800)相对；所述第一红外辐射能量计(600)的探头至所述被测件(800)的中心的距离和所述第二红外辐射能量计(700)的探头至所述被测件(800)的中心的距离相等。3.根据权利要求2所述的发射率测量装置，其特征在于，所述第一红外辐射能量计(600)的探头和所述第二红外辐射能量计(700)的探头沿所述被测件(800)的径向方向对称布置。4.根据权利要求1所述的发射率测量装置，其特征在于，所述第一反射件(300)支撑于所述反射件支撑件(500)，所述第二反射件(400)嵌入所述第一反射件(300)，且所述第一反射件(300)的反射面与所述第二反射件(400)的反射面在同一个水平面上；所述第二红外辐射能量计(700)的探头依次穿过所述第一反射件(300)和所述第二反射件(400)与所述被测件(800)相对。5.根据权利要求4所述的发射率测量装置，其特征在于，所述第二反射件(400)的发射率为1。6.根据权利要求4所述的发射率测量装置，其特征在于，所述第二反射件(400)为非透明硅基反射板。7.一种半导体加工设备，其特征在于，包括工艺腔室(100)以及权利要求1
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6中任一项所述的发射率测量装置，所述工艺腔室(100)包...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈路路，赵海洋，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：