承载件和半导体工艺设备制造技术

本发明专利技术公开一种承载件和半导体工艺设备，涉及半导体制造技术领域。该承载件承载件具有导流面、第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽设置于导流面，第二凹槽设置于第一凹槽的槽底，第一凹槽和第二凹槽的形状均为圆形，第二凹槽的直径小于第一凹槽的直径，且第一凹槽的槽底形成环绕第二凹槽的承载面，承载面用于承载晶圆。导流面和承载面中至少一者具有多个凸起部和凹陷部，多个凸起部沿第一凹槽的圆周方向排布，凹陷部位于两个相邻的凸起部之间。该方案能解决晶圆的边沿生长速率不一致的问题。能解决晶圆的边沿生长速率不一致的问题。能解决晶圆的边沿生长速率不一致的问题。

【技术实现步骤摘要】
承载件和半导体工艺设备


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种承载件和半导体工艺设备。

技术介绍

[0002]CVD延设备是一种利用CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)技术在衬底表面生长薄膜的装置。例如：CVD外延工艺是控制反应气体流过被加热的衬底(通常情况下为晶圆)，反应物在衬底表面发生化学反应形成一层薄膜。
[0003]在工艺过程中，晶圆的边沿会生长薄膜，而晶圆边沿的晶向沿晶圆的圆周方向会发生变化，且不同方向的晶面的生长速率存在差异。因此，晶圆边沿生长的薄膜厚度会存在差异，进而影响晶圆表面的一致性。

技术实现思路

[0004]本专利技术公开一种承载件和半导体工艺设备，以解决相关技术中晶圆的边沿生长速率不一致的问题。
[0005]为了解决上述问题，本专利技术采用下述技术方案：
[0006]本专利技术所述的承载件用于承载晶圆。本专利技术所述的承载件具有导流面、第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽设置于导流面，第二凹槽设置于第一凹槽的槽底，第一凹槽和第二凹槽本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种承载件，用于半导体工艺设备中承载晶圆(100)，其特征在于，所述承载件(200)具有导流面(210)、第一凹槽(220)和第二凹槽(230)，所述第一凹槽(220)设置于所述导流面(210)，所述第二凹槽(230)设置于所述第一凹槽(220)的槽底，所述第一凹槽(220)和所述第二凹槽(230)的形状均为圆形，所述第二凹槽(230)的直径小于所述第一凹槽(220)的直径，且所述第一凹槽(220)的槽底形成环绕所述第二凹槽(230)的承载面(240)，所述承载面(240)用于承载所述晶圆(100)；所述导流面(210)和所述承载面(240)中至少一者具有多个凸起部(241)和凹陷部(242)，所述多个凸起部(241)沿所述第一凹槽(220)的圆周方向排布，所述凹陷部(242)位于两个相邻的所述凸起部(241)之间。2.根据权利要求1所述的承载件，其特征在于，各所述凸起部(241)均具有第一倾斜子部和第二倾斜子部，所述第一倾斜子部和所述第二倾斜子部相交形成所述凸起部(241)，所述第一倾斜子部和所述第二倾斜子部的交线沿所述第一凹槽(220)的径向设置；各所述凹陷部(242)均具有第三倾斜子部和第四倾斜子部，所述第三倾斜子部和所述第四倾斜子部相交形成所述凹陷部(242)，所述第三倾斜子部和所述第四倾斜子部的交线沿所述第一凹槽(220)的径向设置；各所述凸起部(241)和各所述凹陷部(242)在所述第一凹槽(220)周向上的尺寸均由靠近所述第一凹槽(220)中心的一侧向远离所述第一凹槽(220)中心的一侧逐渐增加。3.根据权利要求1所述的承载件，其特征在于，所述凸起部(241)为弧形凸面，所述凹陷部(242)为弧形凹面。4.根据权利要求3所述的承载件，其特征在于，所述凸起部(241)与所述凹陷部(242)连接处为衔接部(243)，所述凸起部(241)沿所述第一凹槽(220)的圆周方向的曲率为第一曲率，所述第一曲率由所述凸起部(241)顶部向所述衔接部(243)逐渐减小，所述凹陷部(242)沿所述第一凹槽(220)的圆周方向的曲率为第二曲率，所述第二曲率由所述凹陷部(242)的底部向所述衔接...

【专利技术属性】
技术研发人员：高雄，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：