【技术实现步骤摘要】
半导体工艺腔室及其管路检测方法
[0001]本专利技术涉及半导体工艺领域，具体地，涉及一种管路检测方法和一种用于实现该管路检测方法的半导体工艺腔室。
技术介绍
[0002]随着半导体制造业的高速发展和持续的技术更迭，半导体制造中干法刻蚀设备的生产和应用日益增多，相关设备的安装技术及检测方法发展迅猛。
[0003]在干法刻蚀设备的运行过程中，工艺腔室需要保持在低压状态，并严格控制进出腔室的气体种类和流量，为确保受控的气体流入工艺腔室，常用的控制元件包括但不限于质量流量控制器(Mass Flow Controller，MFC)、真空压力规、泵、阀门和密封件，这些元件可以协同工作以保持工艺腔室中气体处于所需的稳定状态，从而保证工艺制程的稳定进行。然而刻蚀机在装机、保养或进气管路改造时，还会带来进气管路误接的风险，以及装配过程中，密封圈破损或阀门安装不够紧密等异常带来的泄露，导致进入工艺腔室气体种类或流量异常，从而对可能对腔室内加工的材料产生破坏性影响。因此，在机台投入运行前，需对半导体工艺腔室上连接的每根管路的气密性进行检...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种管路检测方法，应用于半导体工艺腔室，所述半导体工艺腔室包括腔体、启辉组件和多根进气管路，多根所述进气管路用于分别向所述腔体中提供不同的工艺气体，所述启辉组件用于电离所述腔体中的工艺气体以形成等离子体，其特征在于，所述半导体工艺腔室还包括光信号检测装置，用于检测所述腔体内部的光信号，所述管路检测方法包括：等离子体形成步骤：控制其中一根所述进气管路向所述腔体中提供工艺气体，并控制所述启辉组件电离所述腔体中的工艺气体以形成等离子体；识别步骤：控制所述光信号检测装置检测所述等离子体产生的光信号，并将所述光信号对应于各波长的幅值与各工艺气体对应的标准光信号进行比较，若所述光信号对应于各波长的幅值与某一工艺气体对应的所述标准光信号匹配，则判定对应的所述进气管路状态正常，并将该进气管路识别为与该工艺气体对应；若与所有工艺气体对应的标准光信号均不匹配则判定对应的所述进气管路状态异常；重复循环执行所述等离子体形成步骤以及所述识别步骤，以对多根所述进气管路进行检测。2.根据权利要求1所述的管路检测方法，其特征在于，所述光信号检测装置包括光谱仪，所述识别步骤具体包括：控制所述光谱仪获取所述等离子体产生的光信号的全光谱曲线；将所述全光谱曲线上每个波峰的波长及幅值与各工艺气体对应的标准光信号所对应的全光谱参照曲线上的波峰进行比较；若所述全光谱曲线的每个波峰均与某一工艺气体对应的所述全光谱参照曲线上的波峰匹配，则判定对应的所述进气管路状态正常，反之则判定对应的所述进气管路状态异常。3.根据权利要求2所述的管路检测方法，其特征在于，所述全光谱曲线的每个波峰均与某一工艺气体对应的所述全光谱参照曲线上的波峰匹配，具体为：所述全光谱曲线的每个波峰的波长与某一工艺气体对应的所述全光谱参照曲线上的每个波峰的波长一一对应，且任意两个相互对应的波峰所在波长的差值小于等于预设波长差值，任意两个相互对应的波峰的幅值之间的差值小于等于预设幅值差值。4.根据权利要求3所述的管路检测方法，其特征在于，所述预设波长差值为1nm，所述预设幅值差值为所述全光谱参照曲线上对应的波峰幅值的10％。5.根据权利要求3所述的管路检测方法，其特征在于，所述若与所有工艺气体对应的标准光信号均不匹配则判定对应的所述进气管路状态异常，具体包括：若所述全光谱曲线仅部分波峰的波长与某一工艺气体对应的所述全光谱参照曲线上的多个波峰的波长一一对应，或者，所述全光谱曲线的每个波峰的波长与某一工艺气体对应的所述全光谱参照曲线上的每个波峰的波长一一对应，但存在两个相互对应的波峰的幅值之间的差值大于所述预设幅值差值，则判定该进气管路或所述腔体疑似存在泄露或者厂务供气不纯；若所述全光谱曲...
【专利技术属性】
技术研发人员：桑强强，汤中海，戚利，谢梦雨，张建坤，赵尊华，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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