本发明专利技术公开一种半导体清洗设备及其混液装置，所公开的混液装置，包括暂存容器、第一液体输入管路、混液容器、泄压机构和驱动气体管路，其中：所述第一液体输入管路的液体输出端与所述暂存容器连通，所述暂存容器的出液部与所述混液容器连通，所述驱动气体管路的输气端与所述暂存容器连通，以用于向所述暂存容器输入驱使所述暂存容器内的第一液体流向所述混液容器的驱动气体，所述泄压机构连接于所述暂存容器，且与所述暂存容器的内腔连通，在所述暂存容器内气体的实际压力大于第一预设压力值的情况下，所述泄压机构处于泄放气体状态。上述方案可以解决由于暂存容器内的实际压力高出工作压力较大时，容易导致暂存容器发生损坏的问题。坏的问题。坏的问题。
【技术实现步骤摘要】
半导体清洗设备及其混液装置
[0001]本专利技术涉及半导体清洗设备
，尤其涉及一种半导体清洗设备及其混液装置。
技术介绍
[0002]半导体清洗设备是对晶圆进行清洗的设备。在半导体清洗设备对晶圆进行清洗时，对于不同的工艺要求，对清洗药液的浓度要求也不相同。
[0003]在相关技术中，为了得到不同浓度的清洗药液，清洗药液需要在混液装置中进行混合。清洗药液需要进入暂存容器中，然后向暂存容器内充入气体，通过通入的气体推动暂存容器中的清洗药液进入混液容器中进行混合。为了避免清洗药液对暂存容器的腐蚀，暂存容器通常采用树脂制作，由于清洗药液流动的动力来自向缓冲容器中充入的气体，暂存容器中的工作压力通常为2至3bar，暂存容器承受压力的压力较高。由于暂存容器采用树脂制作，如果暂存容器内的压力高出工作压力较大时，容易导致暂存容器的损坏。
技术实现思路
[0004]本专利技术公开了一种半导体清洗设备及其混液装置，以解决由于暂存容器内的实际压力高出工作压力较大时，容易导致暂存容器发生损坏的问题。
[0005]为了解决上述技术问题，本专利技术是这样实现的：
[0006]第一方面，本专利技术公开一种半导体清洗设备的混液装置，包括暂存容器、第一液体输入管路、混液容器、泄压机构和驱动气体管路，其中：
[0007]所述第一液体输入管路的液体输出端与所述暂存容器连通，所述暂存容器的出液部与所述混液容器连通，所述驱动气体管路的输气端与所述暂存容器连通，以用于向所述暂存容器输入驱使所述暂存容器内的第一液体流向所述混液容器的驱动气体，所述泄压机构连接于所述暂存容器，且与所述暂存容器的内腔连通，在所述暂存容器内气体的实际压力大于第一预设压力值的情况下，所述泄压机构处于泄放气体状态。
[0008]第二方面，本专利技术还公开一种半导体清洗设备，包括第一方面所述的混液装置。
[0009]本专利技术采用的技术方案能够达到以下技术效果：
[0010]本申请实施例通过设置驱动气体管路，使得暂存容器内的第一液体可以在驱动气体管路输送的驱动气体的驱动作用下进入混液容器，从而保证第一液体可以顺利的进入混液容器进行混合。通过设置泄压机构，使得在驱动气体驱动暂存容器内的第一液体进入混液容器的过程中，在暂存容器内气体的实际压力大于预设压力值时，泄压机构可以处于泄放气体状态，从而可以避免暂存容器内气体的实际压力过大而造成暂存容器的损坏。
附图说明
[0011]图1为本专利技术实施例公开的混液装置的结构示意图；
[0012]图2为本专利技术实施例公开的暂存容器的结构示意图；
[0013]图3为本专利技术实施例公开的泄压阀的结构示意图；
[0014]图4为图2的局部放大图。
[0015]附图标记说明：
[0016]PRV01
‑
泄压阀、
[0017]PRG03
‑
第一减压阀、PRG01
‑
第二减压阀、
[0018]PSW01
‑
第一压力传感器、
[0019]AOV04
‑
第一开关阀、AOV07
‑
第二开关阀、AOV11
‑
第三开关阀、AOV01
‑
第四开关阀、AOV05
‑
第五开关阀、AOV09
‑
第六开关阀、
[0020]MNV01
‑
第一单向阀、
[0021]CLFC01
‑
第一流量控制器、CLFC02
‑
第二流量控制器、
[0022]LLS01
‑
第一液位开关、LLS02
‑
第三液位开关、LLS03
‑
第三液位开关、
[0023]110
‑
阀体、111
‑
第一内腔、112
‑
第二内腔、113
‑
上阀体、114
‑
下阀体、
[0024]121
‑
膜片本体、122
‑
螺纹连接件、
[0025]130
‑
阀瓣、
[0026]140
‑
介质入口接头、
[0027]150
‑
输出接头、
[0028]160
‑
第一密封圈、
[0029]210
‑
上压板、220
‑
下压板、230
‑
筒体、240
‑
第二密封圈。
具体实施方式
[0030]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术具体实施例及相应的附图对本专利技术技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0031]以下结合附图，详细说明本专利技术各个实施例公开的技术方案。
[0032]请参考图1至图4，本专利技术实施例公开了一种半导体清洗设备的混液装置，所公开的混液装置包括暂存容器、第一液体输入管路、混液容器、泄压机构和驱动气体管路。
[0033]第一液体输入管路的液体输出端与暂存容器连通，第一液体输入管路的液体输入端可以与第一液体源部连通，第一液体可通过第一液体输入管路进入暂存容器。
[0034]暂存容器的出液部与混液容器连通，暂存容器内的第一液体可通过暂存容器的出液部进入混液容器内，以使第一液体在混液容器内与其它液体进行混合。暂存容器的出液部可以通过输送管路与混液容器连通。
[0035]驱动气体管路的输气端与暂存容器连通，驱动气体管路的进气端可以与气源部连通，驱动气体管路用于向暂存容器输入驱使暂存容器内的第一液体流向混液容器的驱动气体。驱动气体可以是惰性气体，例如氮气，当然，驱动气体也可以是其它气体。
[0036]泄压机构连接于暂存容器，且与暂存容器的内腔连通。泄压机构可以包括电磁阀和压力传感器，电磁阀可以安装于暂存容器上，且与暂存容器的内腔连通，压力传感器可以与电磁阀连接，且用于检测暂存容器内的实际压力。泄压机构也可以是平衡阀，平衡阀设于暂存容器，平衡阀可以与暂存容器的内腔连通，平衡阀具有开启压力，平衡阀可以根据暂存
容器内气体的实际压力自动开启和关闭。当然，泄压机构还可以是其它结构，这里不限制泄压机构的具体结构。
[0037]在暂存容器内气体的实际压力大于第一预设压力值的情况下，泄压机构处于泄放气体状态。具体的，暂存容器内的实际压力过大可能会造成暂存容器的漏气或损坏等，第一预设压力值就是暂存容器不会造成漏气或损坏等情况下所能够承受的一个压力值。第一预设压力值需要根据暂存容器的结构、材料等条件进行设定。泄放气体状态是将暂存容器内的气体泄放，以使暂存容器内的气体压力降低。<本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体清洗设备的混液装置，其特征在于，包括暂存容器、第一液体输入管路、混液容器、泄压机构和驱动气体管路，其中：所述第一液体输入管路的液体输出端与所述暂存容器连通，所述暂存容器的出液部与所述混液容器连通，所述驱动气体管路的输气端与所述暂存容器连通，以用于向所述暂存容器输入驱使所述暂存容器内的第一液体流向所述混液容器的驱动气体，所述泄压机构连接于所述暂存容器，且与所述暂存容器的内腔连通，在所述暂存容器内气体的实际压力大于第一预设压力值的情况下，所述泄压机构处于泄放气体状态。2.根据权利要求1所述的混液装置，其特征在于，所述泄压机构包括第一泄压管路和第一开关阀(AOV04)，所述第一泄压管路的第一端与所述暂存容器连通，所述第一泄压管路的第二端为第一泄压端，所述第一开关阀(AOV04)设于所述第一泄压管路，其中：在所述暂存容器内气体的实际压力大于第一预设压力值的情况下，所述第一开关阀(AOV04)处在开启状态。3.根据权利要求2所述的混液装置，其特征在于，所述泄压机构还包括第二泄压管路和泄压阀(PRV01)，所述第二泄压管路的第一端与所述暂存容器连通，所述第二泄压管路的第二端为第二泄压端，所述泄压阀(PRV01)设于所述泄压管路，用以控制所述泄压管路的通断，在所述实际压力大于第二预设压力值的情况下，所述泄压阀(PRV01)处在开启状态，其中，所述第二预设压力值大于所述第一预设压力值。4.根据权利要求3所述的混液装置，其特征在于，所述混液装置还包括启动压力调节机构，所述启动压力调节机构包括调压管路和第一减压阀(PRG03)，所述调压管路的第一端与所述驱动气体管路连通，所述第一减压阀(PRG03)设于所述调压管路，所述调压管路的第二端与所述泄压阀(PRV01)的调压内腔连通，以用于调节所述泄压阀(PRV01)的启动压力。5.根据权利要求4所述的混液装置，其特征在于，所述泄压阀(PRV01)包含阀体(110)、膜片和阀瓣(130)，其中，所述阀体(110)设有阀腔，所述膜片设于所述阀腔内，且将所述阀腔分隔成相互隔离的第一内腔...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵益春，韩国清，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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