半导体工艺设备制造技术

本实用新型专利技术公开一种半导体工艺设备，包括反应腔室、微波源、保护管、保持架和变形件，其中：反应腔室的顶盖开设有安装孔，微波源设于反应腔室上方且与安装孔密封连接，保护管设于安装孔中用以连通微波源和反应腔室的内部；保持架围绕保护管设置，保持架的内壁设有支撑面，保护管的外壁设有搭接面，变形件设于支撑面与搭接面之间，变形件能够通过调节自身高度驱动保护管升降，以使保护管的侧壁顶面贴紧或者远离微波源。上述方案可以解决由于工艺误差、安装误差等问题，保护管在连接微波源的连接处存在间隙，工艺介质(例如等离子体)会从间隙中泄露而对其他部件造成侵蚀的问题。隙中泄露而对其他部件造成侵蚀的问题。隙中泄露而对其他部件造成侵蚀的问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺设备


[0001]本技术涉及半导体加工
，尤其涉及一种半导体工艺设备。

技术介绍

[0002]随着现代半导体片材(例如芯片)加工技术的快速发展，半导体片材的结构尺寸在不断的减小，其半导体片材组成的元器件(例如CPU)中的沟槽和线宽尺寸已经缩小至5纳米，甚至5纳米以下。半导体片材中若存在的金属污染元素(例如Na，K，Ca，Mg，Ba等)过高会造成半导体片材污染，可能会导致元器件击穿电压降低，从而造成半导体片材的缺陷，进而会降低整个半导体片材的良率。
[0003]目前，在制备半导体片材的较为先进的工艺制程中，半导体片材对颗粒的控制和金属污染元素含量的要求越来越高，也对制备半导体片材的半导体工艺设备提出了更高的要求。在需要引入等离子体制备半导体片材的工艺过程中，工艺气体一般通过微波源电离后直接通入反应腔室内，等离子体会对工腔室的等离子体进口处的内壁或部件刻蚀发生化学反应，从而形成金属污染元素进入反应腔室内，从而污染工艺过程中的半导体片材。
[0004]在相关技术中，为了避免等离子体对反应腔室的等离子体进口处的内壁或部件刻蚀发生化学反应而形成金属污染颗粒，通过在微波源与反应腔室的等离子体进口形成的通道中加装石英套筒，从而避免等离子体与反应腔室的等离子体进口处的内壁或部件接触。然而，在微波源与石英套筒对接安装时，通常存在对接不准而造成石英套筒的损坏，而且，在石英套筒连接微波源的连接处，由于工艺误差、安装误差等问题，通常会在连接处存在间隙，从而等离子体会从间隙中泄露而对其他部件(例如密封圈)造成侵蚀的问题。

技术实现思路

[0005]本技术公开一种半导体工艺设备，以解决由于工艺误差、安装误差等问题，保护管在连接微波源的连接处存在间隙，从而工艺介质(例如等离子体)会从间隙中泄露而对其他部件造成侵蚀的问题。
[0006]为了解决上述技术问题，本技术是这样实现的：
[0007]一种半导体工艺设备，包括反应腔室、微波源、保护管、保持架和变形件，其中：
[0008]所述反应腔室的顶盖开设有安装孔，所述微波源设于所述反应腔室上方且与所述安装孔密封连接，所述保护管设于所述安装孔中用以连通所述微波源和所述反应腔室的内部；
[0009]所述保持架围绕所述保护管设置，所述保持架的内壁设有支撑面，所述保护管的外壁设有搭接面，所述变形件设于所述支撑面与所述搭接面之间，所述变形件能够通过调节自身高度驱动所述保护管升降，以使所述保护管的侧壁顶面贴紧或者远离所述微波源。
[0010]本技术采用的技术方案能够达到以下技术效果：
[0011]本申请公开的实施例通过设置变形件，变形件可以通过调节自身高度驱动保护管升降，使得变形件的高度升高时，可以驱动保护管的侧壁顶面贴紧微波源，从而使得保护管
与微波源的连接处实现密封，进而可以解决保护管的顶壁侧面与微波源的连接处存在密封不严而存在工艺介质泄露的问题，从而有效地避免了工艺介质泄露对反应腔室的顶盖及半导体工艺设备的其它部件造成侵蚀地问题。
附图说明
[0012]图1为本技术实施例公开的半导体工艺设备的整体图；
[0013]图2为本技术实施例公开的半导体工艺设备的局部放大图；
[0014]图3为本技术实施例公开的保持架在第一视角下的结构示意图；
[0015]图4为本技术实施例公开的保持架在第二视角下的结构示意图；
[0016]图5为本技术实施例公开的定位凸起和定位凹槽的结构示意图；
[0017]图6为本技术实施例公开的半导体工艺设备的局部剖视图；
[0018]图7为图2的局部放大图；
[0019]图8为本技术实施例公开的保持架与保护管的配合示意图；
[0020]图9为本技术实施例公开的微波源与保持架、保护管的分解示意图；
[0021]图10为本技术实施例公开的保护管的剖视图。
[0022]附图标记说明：
[0023]100
‑
反应腔室、110
‑
安装孔、130
‑
定位凹槽、
[0024]300
‑
微波源、310
‑
本体、320
‑
工艺介质通道、331
‑
环状凸缘、
[0025]400
‑
环形密封件、
[0026]500
‑
保护管、510
‑
挂接凸部、520
‑
限位凸部、530
‑
挂接槽、
[0027]600
‑
保持架、610
‑
环状主体、620
‑
弧形导向凸起、630
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支撑台、640导向槽、650
‑
凹陷槽、660
‑
定位凸起、670
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导向环、680
‑
环形凸台、681
‑
环形凹槽700
‑
变形件、710
‑
粘结层、
[0028]800
‑
压环、
[0029]900
‑
连接件。
具体实施方式
[0030]为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术具体实施例及相应的附图对本技术技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0031]以下结合附图，详细说明本技术各个实施例公开的技术方案。
[0032]请参考图1至图10，本技术实施例公开一种半导体工艺设备，所公开的半导体工艺设备包括反应腔室100、微波源300、保护管500、保持架600和变形件700。
[0033]反应腔室100的顶盖开设有安装孔110，反应腔室100的内部是半导体片材进行加工的场所，安装孔110是用于供工艺气体、等离子体等工艺介质进入反应腔室100内部的通道。微波源300设于反应腔室100的上方且与安装孔110密封连接，微波源300是可以产生微波以使工艺气体电离成等离子体的装置。微波源300可以包括本体310和工艺介质通道320，工艺介质通道320的第一端可以与本体310连通，工艺介质通道320的第二端可以与安装孔
110密封连接。
[0034]保护管500设于安装孔110中用以连通微波源300和反应腔室100的内部，微波源300产生的等离子体通过保护管500进入到反应腔室100的内部，从而用于对反应腔室100内部的半导体片材进行工艺。
[0035]保持架600围绕保护管500设置，保持架600可以固定连接于反应腔室100的顶盖，保持架600的内壁设有支撑面，保本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括反应腔室(100)、微波源(300)、保护管(500)、保持架(600)和变形件(700)，其中：所述反应腔室(100)的顶盖开设有安装孔(110)，所述微波源(300)设于所述反应腔室(100)上方且与所述安装孔(110)密封连接，所述保护管(500)设于所述安装孔(110)中用以连通所述微波源(300)和所述反应腔室(100)的内部；所述保持架(600)围绕所述保护管(500)设置，所述保持架(600)的内壁设有支撑面，所述保护管(500)的外壁设有搭接面，所述变形件(700)设于所述支撑面与所述搭接面之间，所述变形件(700)能够通过调节自身高度驱动所述保护管(500)升降，以使所述保护管(500)的侧壁顶面贴紧或者远离所述微波源(300)。2.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述保持架(600)包括环状主体(610)、弧形导向凸起(620)和支撑台(630)，所述弧形导向凸起(620)和所述支撑台(630)均设于所述环状主体(610)的内壁，所述弧形导向凸起(620)沿所述环状主体(610)的周向延伸设置，所述弧形导向凸起(620)的第一端与所述支撑台(630)连接形成凹陷槽(650)，另一端与所述环状主体(610)的内壁形成导向槽(640)，所述变形件(700)设于所述凹陷槽(650)内，所述凹陷槽(650)的底面为所述支撑面；所述保护管(500)包括挂接凸部(510)，所述挂接凸部(510)能够插入所述导向槽(640)并沿所述弧形导向凸起(620)转动至所述凹陷槽(650)内并压设在所述变形件(700)上，所述挂接凸部(510)的朝向所述变形件(700)的表面为所述搭接面。3.根据权利要求2所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述保护管(500)还包括限位凸部(520)，所述挂接凸部(510)与所述限位凸部(520)构成挂接槽(530)，所述限位凸部(520)的朝向所述挂接凸部(510)的表面为限位面；所述支撑台(630)与所述限位面之间的距离为第一距离，所述微波源(300)的与所述保护管(500)相对的出口端的端面与所述保护管(500)的侧壁顶面之间的距离为第二距离，所述第一距离大于或等于所述第二距离。4.根据权利要求3所述的半导体工艺设备，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺斌，贾立松，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：