本申请公开一种半导体工艺设备，属于半导体工艺技术领域。所公开的半导体工艺设备包括工艺腔室、换向阀、第一排气管路和第二排气管路，换向阀包括阀体和封堵件，阀体设有阀腔、进气口、第一出气口和第二出气口，封堵件与阀体活动连接，且封堵件包括封堵端...

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其进气装置。该进气装置包括进气部件及旋转驱动机构；进气部件包括一体设置的匀流板及主轴，匀流板设置于工艺腔室内，主轴与工艺腔室活动密封连接，主轴的一端穿设于工艺腔室的顶壁，并且与匀流板连接，主轴的另一...

本申请公开一种晶圆承载装置及半导体工艺设备，晶圆承载装置包括冷却基座，冷却基座设有第一冷却介质入口、多个环状介质通道、多个径向介质通道和第一冷却介质出口；其中：第一冷却介质入口位于冷却基座的中心，多个环状介质通道以中心为圆心同心分布，第...

本实用新型提供一种托盘测试装置，该托盘测试装置包括底板、支撑座、限位杆、探针和多个支撑结构，限位杆和支撑结构均固定设置在支撑座上，支撑结构的顶部形成有延伸至支撑结构的侧面的定位槽，多个支撑结构通过定位槽的底面支撑底板，且定位槽能够对底板...

本实用新型公开了一种匀流部件及半导体工艺设备，涉及半导体技术领域，匀流部件用于对进入半导体工艺腔室的工艺气体进行匀流，包括：底板，底板沿其厚度方向上间隔开设有多个通孔；多个进气板，多个进气板与底板可拆卸连接，并与多个通孔一一对应，进气板...

本实用新型公开一种外延工艺设备，包括工艺腔体、上盖体和基座，上盖体设于工艺腔体的上端，基座设于上盖体与工艺腔体之间，上盖体、基座和工艺腔体围成工艺空间，基座具有用于承载晶圆的支撑面，工艺腔体开设有均与工艺空间连通的第一进气孔和第二进气孔...

本实用新型提供一种半导体工艺设备的压力控制装置及半导体工艺设备；其中，压力控制装置中的排液组件包括：进液管路、第一排液管路、盛液盒、补液管路；其中，进液管路用于将气液分离组件和盛液盒连通；第一排液管路用于将盛液盒与厂务排液管路连通；进液...

本申请公开一种盖板压紧装置和半导体工艺设备，盖板压紧装置包括可固定于工艺腔室的固定座、伸缩气缸、支撑轴和压紧件，伸缩气缸包括气缸本体和伸缩轴，伸缩轴的连接端与气缸本体的内壁密封且活动连接，气缸本体固定设置于固定座上，且气缸本体设有第一接...

本申请公开一种立式热处理设备，其包括工艺腔室和工艺门，其中：工艺腔室具有工艺空间和与工艺空间连通的开口，工艺门在开口与工艺腔室密封配合；工艺门包括基座、承台、分隔盘和驱动装置，基座用于承载工艺腔室；分隔盘安装于基座上，且分隔盘的周向边缘...

本发明公开一种用于半导体设备的前驱体物供应装置、供应方法及设备，其中供应装置包括：前驱体物容器，前驱体物容器内包括相互隔离设置的前驱体物供应区和前驱体物补充区，前驱体物补充区和前驱体物供应区均用于容纳液态前驱体物；液压监测系统，液压监测...

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其承载装置。该承载装置包括基座及设置于基座内的导气结构；基座的顶面上开设有第一凹槽，第一凹槽的底面用于承载晶圆，第一凹槽中承载有晶圆时，第一凹槽的内壁与晶圆的边缘之间具有间隙；第一凹槽的底面上开设有...

本发明提供IZO薄膜制备方法及物理气相沉积设备，包括：制备IZO陶瓷靶材，其中，IZO陶瓷靶材由In2O3和ZnO烧结而成；采用物理气相沉积工艺并利用IZO陶瓷靶材在晶圆上制备IZO薄膜。本发明提供的IZO薄膜制备方法及物理气相沉积设备...

本申请公开一种半导体工艺设备，包括第一工作腔、第二工作腔、隔离阀、主驱动机构、辅助驱动机构和密封圈，其中：隔离阀包括阀体和阀门，阀体设有阀腔、第一传片口和第二传片口，第一传片口和第二传片口均与阀腔连通，第一工作腔与第一传片口连通，第二工...

本发明实施例提供了一种去胶工艺的工艺配方生成方法和一种去胶机，所述方法包括：获取用户输入的工艺要求；根据所述工艺要求和所述去胶机的设备限制条件，生成工艺配方。根据本发明实施例，可以根据用户输入的工艺要求，直接生成满足该工艺要求的工艺配方...

本申请公开一种半导体工艺设备及其晶片传输系统，该晶片传输系统包括：安装平台，设置有第一安装区和避让空间，第一安装区设置于安装平台的顶面，避让空间与外部连通且贯通安装平台的底面，且在安装平台的高度方向上，第一安装区覆盖避让空间；装载腔，安...

一种双磁控管溅射装置及半导体工艺设备，双磁控管溅射装置包括主旋转横梁、第一磁控管、第二磁控管和旋转部件；第一磁控管与第二磁控管分别设于主旋转横梁的两端；旋转部件包括第一旋转部和第二旋转部，第一旋转部用于连接驱动源，以驱动旋转部件自转，第...

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其进气装置。该进气装置包括：进气块组件及连接组件，进气块组件及连接组件均采用抗腐蚀的材质制成；进气块组件内形成有混气腔、输气通道及混气通道，进气块组件与工艺腔室的上盖密封连接，输气通道的进气口与混气...

本申请公开一种工艺腔室和晶圆加工方法，工艺腔室包括腔室本体、承载件、内衬体、第一顶针、第二顶针、第一压环、第二压环和旋转支撑件，工艺腔室具有第一工作模式和第二工作模式，在第一工作模式下，第一顶针在第一停止位支撑第一晶圆，承载件上升至工艺...

本发明提供一种边缘进气组件，用于设置于工艺腔室的顶部开口上，自工艺腔室的边缘向工艺腔室内通入工艺气体，边缘进气组件包括：上环盖、中环盖、下环盖和进气管路，上环盖、中环盖和下环盖叠置于工艺腔室上，上环盖上设有至少一个进气孔，进气孔通过进气...

本申请公开一种半导体工艺设备，包括装载腔室和密封装置，所述装载腔室的腔室壁具有开口，所述密封装置用于对所述开口密封，所述密封装置包括密封门组件、第一驱动机构、第二驱动机构和调节机构，其中：所述第一驱动机构与所述密封门组件连接，用于驱动所...