用于半导体设备的前驱体物供应装置、供应方法及设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种用于半导体设备的前驱体物供应装置、供应方法及设备，其中供应装置包括：前驱体物容器，前驱体物容器内包括相互隔离设置的前驱体物供应区和前驱体物补充区，前驱体物补充区和前驱体物供应区均用于容纳液态前驱体物；液压监测系统，液压监测系统用于实时监测并显示前驱体物供应区内的液态前驱体物的液压；补液系统，补液系统用于根据液压监测系统监测的前驱体物供应区内的液态前驱体物的液压，将前驱体物补充区内的液态前驱体物输送至前驱体物供应区。本装置保证了前驱体物的稳定充足供应，提高了前驱体物的利用率，提高了薄膜的沉积质量。提高了薄膜的沉积质量。提高了薄膜的沉积质量。

【技术实现步骤摘要】
用于半导体设备的前驱体物供应装置、供应方法及设备


[0001]本专利技术涉及半导体设备领域，更具体地，涉及一种用于半导体设备的前驱体物供应装置、供应方法及设备。

技术介绍

[0002]在半导体工业中，常见的成膜方法主要有物理气相沉积、化学气相沉积、原子层沉积等等，而化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)由于具有良好的台阶覆盖特性，能够在高深宽比结构中均匀成膜，而被广泛应用于更高技术节点的工艺制程中。
[0003]化学气相沉积所使用的反应前驱体物种类繁多，其中气态前驱体物无需升华，气流量最容易控制，而对于液态的前驱体物，多采用载气携带的方式将其升华而成的气体带入反应腔室。液态前驱体物多放置于一个金属容器中，容器四周包覆有随形的加热带，可根据设定温度对容器进行加热，在容器上方配有进气及出气管路接口。参考图1，容器109被放置在反应腔室102附近，通过加热产生可被载气(Ar或N2或He等惰性气体)带走的气态反应物，并存储在容器109上方。工艺进行时，载气先后经质量流量计111和管路110进入容器109，携带本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体设备的前驱体物供应装置，其特征在于，包括：前驱体物容器，所述前驱体物容器内包括相互隔离设置的前驱体物供应区和前驱体物补充区，所述前驱体物补充区和所述前驱体物供应区均用于容纳液态前驱体物；液压监测系统，所述液压监测系统用于实时监测并显示所述前驱体物供应区内的所述液态前驱体物的液压；补液系统，所述补液系统用于根据所述液压监测系统监测的所述前驱体物供应区内的所述液态前驱体物的液压，将所述前驱体物补充区内的所述液态前驱体物输送至所述前驱体物供应区。2.根据权利要求1所述的前驱体物供应装置，其特征在于，所述液压监测系统包括：液压测量仪，所述液压测量仪用于实时监测所述前驱体物供应区内的所述液态前驱体物的液压。3.根据权利要求1所述的前驱体物供应装置，其特征在于，所述液压监测系统包括：设置于所述前驱体物容器外部的液压显示器，用于实时显示所述液压测量仪检测到的液压值。4.根据权利要求3所述的前驱体物供应装置，其特征在于，所述补液系统包括：液泵和补液管路，所述补液管路连通所述前驱体物补充区和所述前驱体物供应区。5.根据权利要求1所述的前驱体物供应装置，其特征在于，所述前驱体物供应区与所述前驱体物补充区通过阻隔壁相互隔离，所述阻隔壁设置在所述前驱体物容器的底壁上，且所述阻隔壁的高度低于前驱体物容器的外壁；通过调节所述阻隔壁在所述底壁上的位置，以调节所述前驱体物供应区与所述前驱...

【专利技术属性】
技术研发人员：史晶，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：