半导体预清洗腔室及半导体工艺设备制造技术

本发明专利技术公开一种半导体预清洗腔室及半导体工艺设备，所公开的半导体预清洗腔室用于半导体工艺设备中，去除晶圆表面的杂质，半导体预清洗腔室包括腔室本体、等离子体发生装置和承载座；腔室本体的内部形成有反应腔，等离子体发生装置用以将反应腔内通入的反应气体激发成等离子体；承载座可移动的设置于反应腔内，其中，承载座包括电极板，电极板朝向等离子体的一侧覆盖有保护层，保护层为绝缘性质的介质材料，保护层用于和晶圆接触；电极板在反应腔的底面上的投影面积和反应腔的底面面积相当；电极板通过匹配器与射频源电连接，以向反应腔内馈入射频偏压。上述方案能够解决晶圆的良品率较低的问题。良品率较低的问题。良品率较低的问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体预清洗腔室及半导体工艺设备


[0001]本专利技术涉及半导体芯片制造
，尤其涉及一种半导体预清洗腔室及半导体工艺设备。

技术介绍

[0002]物理气相沉积技术在半导体制造领域被广泛应用，该方法包括真空蒸镀、溅射镀膜、分子束外延等，其中，溅射镀膜被广泛应用于金属薄膜制程。溅射镀膜的基本原理是在高真空的环境下，导入工艺气体并在电极两端加上电压、使气体产生辉光放电，此时等离子体中的正离子在强电场的作用下撞击靶材，溅射出靶材金属原子而沉积到晶片的表面。
[0003]相关技术中，晶圆在沉积薄膜前可以先对晶圆的镀膜表面进行等离子体刻蚀，去除晶圆镀膜表面的氧化膜以及其他杂志，或者增加晶圆所要镀膜表面的粗糙度，从而提高晶圆表面沉积薄膜的附着力，提高晶圆的良品率。
[0004]然而，等离子体在刻蚀晶片的过程中，由于等离子体对晶圆的轰击能量大，容易造成等离子体损伤，另外，半导体预清洗腔室内的电场分布不均匀，造成刻蚀均匀性较差，致使晶圆的良品率较低。

技术实现思路

[0005]本专利技术公开一种半导体预清洗腔室及半导体设备本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体预清洗腔室，用于半导体工艺设备中，去除晶圆表面的杂质，其特征在于，所述半导体预清洗腔室包括：腔室本体(100)和等离子体发生装置，所述腔室本体(100)的内部形成有反应腔(111)，所述等离子体发生装置用以将所述反应腔(111)内通入的反应气体激发成等离子体；承载座，所述承载座可移动的设置于所述反应腔(111)内，其中，所述承载座包括电极板(200)，所述电极板(200)朝向所述等离子体的一侧覆盖有保护层(300)，所述保护层(300)为绝缘性质的介质材料，所述保护层(300)用于和所述晶圆接触；所述电极板(200)在所述反应腔(111)的底面上的投影面积和所述反应腔(111)的底面面积相当；所述电极板(200)通过匹配器(510)与射频源(520)电连接，以向所述反应腔(111)内馈入射频偏压。2.根据权利要求1所述的半导体预清洗腔室，其特征在于，所述腔室本体(100)包括匹配环(120)，所述匹配环(120)靠近所述承载座设置，所述匹配环(120)为绝缘性的介质材料，所述承载座升起后的工艺位置位于所述匹配环(120)的环绕区域内。3.根据权利要求2所述的半导体预清洗腔室，其特征在于，所述电极板(200)包括第一电极板(210)、第二电极板(220)和电极连接部(230)，所述第二电极板(220)用于通过所述匹配器(510)与所述射频源(520)电连接；所述第一电极板(210)悬空设置于所述反应腔(111)的底壁上方，所述第一电极板(210)开设有容纳孔，所述电极连接部(230)设置于所述第二电极板(220)的底面上，所述第二电极板(220)可进入或者离开所述容纳孔内；所述第二电极板(220)向所述工艺位置移动过程中，所述电极连接部(230)用于带动所述第一电极板(210)与所述第二电极板(220)共同移动至所述工艺位置，且所述第一电极板(210)通过所述电极连接部(230)与所述第二电极板(220)电连接，使所述第一电极板(210)和所述第二电极板(220)共同馈入所述射频偏压。4.根据权利要求3所述的半导体预清洗腔室，其特征在于，所述匹配环(120)部分凸设于所述反应腔(111)内形成凸台面(121)，所述第一电极板(210)的底面搭接于所述凸台面(121)上。5.根据权利要求3所述的半导体预清洗腔室，其特征在于，所述电极连接部(230)包括固定件(231)和弹性托爪(232...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏振宁，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：