等离子体处理装置、上部电极组件及其制造和再生方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供等离子体处理装置、等离子体处理装置中使用的上部电极组件及其制造方法和再生方法。等离子体处理装置包括：等离子体处理腔室；配置在等离子体处理腔室内的基片支承部；配置在基片支承部内的下部电极；导电性部件，其配置在基片支承部的上方，具有至少1个制冷剂入口和至少1个制冷剂出口，且与RF电位或DC电位连接；上部电极组件。该上部电极组件具有：导电性板，其以可拆装的方式连接于导电性部件的下表面，具有与至少1个制冷剂入口和至少1个制冷剂出口连通的1个或多个制冷剂流路；配置在导电性板的下方的电极板；和配置在电极板与导电性板之间的导电性接合片。根据本发明专利技术，能够有效地进行构成上部电极组件的电极板的温度调节。的温度调节。的温度调节。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置、上部电极组件及其制造和再生方法


[0001]本专利技术涉及等离子体处理装置、等离子体处理装置中使用的上部电极组件、上部电极组件的制造方法和上部电极组件的再生方法。

技术介绍

[0002]在专利文献1中，公开了等离子体处理装置中的复合喷淋头电极组件的结构。在专利文献1中，在构成复合喷淋头电极组件的多个部件中的电极板与背衬板之间，配置例如由硅酮形成的界面凝胶，在确保导电性的同时进行电极板的温度控制。
[0003]另外，在专利文献2中公开了等离子体处理装置的上部电极结构。在专利文献2的上部电极结构中，面向等离子体处理空间的第1板的温度控制，是通过在位于其上方的第2板中形成制冷剂用的流路来进行。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特表2012
‑
500471号公报。
[0007]专利文献2：日本特开2015
‑
216261号公报。

技术实现思路

[0008]专利技术要解决的问题/>[0009]本专本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：等离子体处理腔室；配置在所述等离子体处理腔室内的基片支承部；配置在所述基片支承部内的下部电极；导电性部件，其配置在所述基片支承部的上方，具有至少1个制冷剂入口和至少1个制冷剂出口，且与RF电位或DC电位连接；和上部电极组件，所述上部电极组件具有：导电性板，其以可拆装的方式连接于所述导电性部件的下表面，具有与所述至少1个制冷剂入口和所述至少1个制冷剂出口连通的1个或多个制冷剂流路；配置在所述导电性板的下方的电极板；和配置在所述电极板与所述导电性板之间的导电性接合片。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述导电性接合片由具有400℃～1000℃的熔点的第1导电性材料形成。3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述第1导电性材料包括金属。4.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述第1导电性材料包括Al
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Si合金、Al
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Mg合金或Al
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Si
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Mg合金。5.如权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述导电性板与所述电极板之间的线膨胀系数差为2ppm/℃以下。6.如权利要求1～5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述导电性部件由第2导电性材料形成，所述导电性板由与所述第2导电性材料不同的第3导电性材料形成。7.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述第3导电性材料包括Mo或金属基复合材料。8.如权利要求6或7所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述第2导电性材料包括Al。9.如权利要求1～8中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述电极板由Si或SiC形成。10.一种在等离子体处理装置中使用的上部电极组件，其特征在于，包括：导电性板，其以可拆装的方式连接于所述等离子体处理装置，具有1个或多个制冷剂流路；电极板，其具有等离子体暴露面；和配置在所述电极板与所述导电性板之间的导电性接合片。11.如权利要求10所述的上部电极组件，其特征在于：所述导电性接合片由具有400℃～1000℃的熔点的第1导电性材料形成。12.如权利要求11所述的上部电极组件，其特征在于：所述第1导电性材料包括金属。13.如权利要求11所述的上部电极组件，其特征在于：
所述第1导电性材料包括Al
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Si合金、Al
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Mg合金或Al
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Si
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Mg合金。14.如权利要求10～13中任一项所述的上部电极组件，其特征在于：所述导电性板与所述电极板之间的线...

【专利技术属性】
技术研发人员：加藤诚人，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：