基板处理设备和基板处理方法技术

本发明专利技术构思提供了一种基板处理设备。所述基板处理设备包括：腔室，所述腔室中具有用于处理基板的空间；支撑单元，所述支撑单元用于支撑所述腔室内的所述基板；以及绝缘构件，所述绝缘构件中具有预定体积的空间。述绝缘构件中具有预定体积的空间。述绝缘构件中具有预定体积的空间。

【技术实现步骤摘要】
基板处理设备和基板处理方法


[0001]本文描述的本专利技术构思的实施例涉及一种基板处理设备和一种基板处理方法，更具体地，涉及一种能够调节处理基板的腔室的阻抗的基板处理设备和基板处理方法。

技术介绍

[0002]半导体制造过程可以包括使用等离子体处理基板的过程。例如，在半导体制造过程期间，蚀刻工艺可以使用等离子体去除基板上的薄膜。
[0003]隔离器可以定位在支撑基板的静电卡盘下方。根据实施例，隔离器可以由介电常数为9.4至10.5之间的值的Al2O3构成。一旦烧结，隔离器就有其自身的介电常数。然而，介电常数根据烧结方法和材料而变化，并且也成为限制腔室TTTM的因素。此外，如果隔离器一旦安装后就不更换，则腔室的阻抗是固定的，并且难以匹配过程期间所需的阻抗水平。

技术实现思路

[0004]本专利技术构思的实施例提供了一种能够调节腔室的阻抗的基板处理设备。
[0005]本专利技术构思的技术目的不限于上述目的，并且根据以下描述，其他未提及的技术目的对于本领域技术人员而言将变得显而易见。
[0006]本专利技术构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理设备，包括：腔室，所述腔室中具有用于处理基板的空间；支撑单元，所述支撑单元用于在所述腔室内支撑所述基板；以及绝缘构件，所述绝缘构件中具有预定体积的空间。2.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中所述空间是空的。3.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中在所述空间处以预定体积提供流体。4.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中所述空间用流体填充。5.根据权利要求2至4中任一项所述的基板处理设备，还包括用于调节注入到所述空间中的流体的注入量的调节单元。6.根据权利要求5所述的基板处理设备，其中所述调节单元调节所述流体的注入量，使得调节所述腔室的阻抗。7.根据权利要求5所述的基板处理设备，其中所述调节单元是制冷器或泵。8.一种基板处理设备，包括：腔室，所述腔室中具有用于处理基板的空间；支撑单元，所述支撑单元用于支撑所述腔室内的所述基板，并且包括用于使用静电力吸附所述基板的静电卡盘；气体供应单元，所述气体供应单元用于在所述空间内供应处理气体；等离子体源，所述等离子体源用于从所述处理气体产生等离子体；以及绝缘构件，所述绝缘构件定位在所述静电卡盘下方，并且所述绝缘构件中...

【专利技术属性】
技术研发人员：夫光玟，金善骏，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：