基板处理设备和基板处理方法技术

本发明专利技术构思提供了一种基板处理设备。所述基板处理设备包括：腔室，所述腔室中具有用于处理基板的空间；支撑单元，所述支撑单元用于支撑所述腔室内的所述基板；以及绝缘构件，所述绝缘构件中具有预定体积的空间。述绝缘构件中具有预定体积的空间。述绝缘构件中具有预定体积的空间。

【技术实现步骤摘要】
基板处理设备和基板处理方法


[0001]本文描述的本专利技术构思的实施例涉及一种基板处理设备和一种基板处理方法，更具体地，涉及一种能够调节处理基板的腔室的阻抗的基板处理设备和基板处理方法。

技术介绍

[0002]半导体制造过程可以包括使用等离子体处理基板的过程。例如，在半导体制造过程期间，蚀刻工艺可以使用等离子体去除基板上的薄膜。
[0003]隔离器可以定位在支撑基板的静电卡盘下方。根据实施例，隔离器可以由介电常数为9.4至10.5之间的值的Al2O3构成。一旦烧结，隔离器就有其自身的介电常数。然而，介电常数根据烧结方法和材料而变化，并且也成为限制腔室TTTM的因素。此外，如果隔离器一旦安装后就不更换，则腔室的阻抗是固定的，并且难以匹配过程期间所需的阻抗水平。

技术实现思路

[0004]本专利技术构思的实施例提供了一种能够调节腔室的阻抗的基板处理设备。
[0005]本专利技术构思的技术目的不限于上述目的，并且根据以下描述，其他未提及的技术目的对于本领域技术人员而言将变得显而易见。
[0006]本专利技术构思提供了一种基板处理设备。该基板处理设备包括：腔室，该腔室中具有用于处理基板的空间；支撑单元，该支撑单元用于支撑腔室内的基板；以及绝缘构件，该绝缘构件中具有预定体积的空间。
[0007]在实施例中，该空间是空的。
[0008]在实施例中，在该空间处以预定体积提供流体。
[0009]在实施例中，该空间用流体填充。
[0010]在实施例中，该基板处理设备还包括用于调节注入到空间中的流体的注入量的调节单元。
[0011]在实施例中，该调节单元调节流体的注入量，使得调节腔室的阻抗。
[0012]在实施例中，该调节单元是制冷器或泵。
[0013]本专利技术构思提供了一种基板处理设备。该基板处理设备包括：腔室，该腔室中具有用于处理基板的空间；支撑单元，该支撑单元用于支撑腔室内的基板，并且包括用于使用静电力吸附基板的静电卡盘；气体供应单元，该气体供应单元用于在空间内供应处理气体；等离子体源，该等离子体源用于从处理气体产生等离子体；以及绝缘构件，该绝缘构件定位在静电卡盘下方，并且该绝缘构件中具有预定体积的空间。
[0014]在实施例中，该空间是空的。
[0015]在实施例中，在该空间处以预定体积提供流体。
[0016]在实施例中，该空间用流体填充。
[0017]在实施例中，该基板处理设备还包括用于调节注入到空间的流体的注入量的调节单元。
[0018]在实施例中，该调节单元调节流体的注入量，使得调节腔室的阻抗。
[0019]在实施例中，该调节单元是制冷器或泵。
[0020]本专利技术构思提供了一种使用基板处理设备的基板处理方法。该基板处理方法包括将流体注入到空间。
[0021]在实施例中，该基板处理方法包括通过调节流体的注入量来调节腔室的阻抗。
[0022]在实施例中，腔室的阻抗调节与基板处理是同时调节的。
[0023]根据本专利技术构思的实施例，可以有效地控制腔室的阻抗。
[0024]根据本专利技术构思的实施例，可以增加腔室的寿命。
[0025]本专利技术构思的效果不限于上述效果，并且根据以下描述，其他未提及的效果对于本领域技术人员而言将变得显而易见。
附图说明
[0026]根据以下参考附图的描述，上述和其他目的和特征将变得显而易见，在附图中，除非另有说明，否则相同的附图标记在各个附图中是指相同的部分，并且在附图中：
[0027]图1示出了根据本专利技术构思的实施例的基板处理设备。
[0028]图2是更详细地示出根据本专利技术构思的实施例的基板处理设备的截面图。
[0029]图3示出了根据本专利技术构思的实施例的空间形成的实施例。
[0030]图4示出了绝缘构件内的每个内部空间的ER变化。
[0031]图5示出了绝缘构件内的每个内部空间的CD变化和偏压变化。
[0032]图6示出了根据本专利技术构思的各种实施例的绝缘构件内的空间。
[0033]图7是示出根据本专利技术构思的实施例的基板处理方法的流程图。
具体实施方式
[0034]本专利技术构思可以被不同地修改且可以具有各种形式，并且将在附图中示出并详细地描述本专利技术构思的具体实施例。然而，根据本专利技术构思的实施例不旨在限制具体公开的形式，并且应当理解，本专利技术构思包括本专利技术构思的精神和技术范围中所包括的所有变形、等效物和替换。在本专利技术构思的描述中，当可能使本专利技术构思的本质不清楚时，可以省略对相关已知技术的详细描述。
[0035]本文中使用的术语仅用于描述特定实施例的目的，而不旨在限制本专利技术构思。如本文所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”也旨在包括复数形式，除非上下文清楚地指出。还应当理解，当在本说明书中使用时，术语“包括(comprise)”和/或“包括(comprising)”指定所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或它们的群组的存在或添加。如本文所使用的，术语“和/或”包括相关联的所列项目中的一项或多项的任意和所有组合。此外，术语“示例性”旨在指代示例或说明。
[0036]应当理解，尽管在本文中术语“第一”、“第二”、“第三”等可以用于描述各种元件、部件、区域、层和/或区段，但这些元件、部件、区域、层和/或区段不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或区段与另一个区域、层或区段区分开来。因此，在不脱离本专利技术构思的教义的情况下，可以将以下论述的第一元件、第一部件、第一区域、第
一层或第一区段称为第二元件、第二部件、第二区域、第二层或第二区段。
[0037]在下文中，将参考附图对本专利技术构思的实施例进行详细描述。
[0038]图1是示出根据本专利技术构思的实施例的基板处理设备的示例性图。
[0039]图1示出了使用电容耦合等离子体(CCP)处理方法的基板处理设备W。参考图1，基板处理设备10使用等离子体来处理基板W。例如，基板处理设备10可以在基板W上执行蚀刻工艺。基板处理设备10可以包括腔室620、基板支撑单元200、喷头300、气体供应单元400、排气挡板500以及等离子体产生单元600。
[0040]腔室620可以提供执行基板处理过程的处理空间。腔室620可以在其中具有处理空间并且可以以封闭的形状提供。腔室620可以由金属材料制成。腔室620可以由铝材料制成。腔室620可以接地。排气孔102可以形成在腔室620的底表面上。排气孔102可以连接到排气管线151。在过程期间产生的反应副产物和留在腔室的内部空间中的气体可以通过排气管线151排放到外部。腔室620的内部可以通过排气过程减压至预定的压力。
[0041]根据实施例，内衬130可以设置在腔室620内部。内衬130可以具有带有开放的顶表面和开放的底表面的圆柱形形状。内衬130可以被设置本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理设备，包括：腔室，所述腔室中具有用于处理基板的空间；支撑单元，所述支撑单元用于在所述腔室内支撑所述基板；以及绝缘构件，所述绝缘构件中具有预定体积的空间。2.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中所述空间是空的。3.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中在所述空间处以预定体积提供流体。4.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中所述空间用流体填充。5.根据权利要求2至4中任一项所述的基板处理设备，还包括用于调节注入到所述空间中的流体的注入量的调节单元。6.根据权利要求5所述的基板处理设备，其中所述调节单元调节所述流体的注入量，使得调节所述腔室的阻抗。7.根据权利要求5所述的基板处理设备，其中所述调节单元是制冷器或泵。8.一种基板处理设备，包括：腔室，所述腔室中具有用于处理基板的空间；支撑单元，所述支撑单元用于支撑所述腔室内的所述基板，并且包括用于使用静电力吸附所述基板的静电卡盘；气体供应单元，所述气体供应单元用于在所述空间内供应处理气体；等离子体源，所述等离子体源用于从所述处理气体产生等离子体；以及绝缘构件，所述绝缘构件定位在所述静电卡盘下方，并且所述绝缘构件中...

【专利技术属性】
技术研发人员：夫光玟，金善骏，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：