一种射频系统技术方案

本实用新型专利技术涉及半导体设备系统设计领域，更具体的说，涉及一种射频系统。本实用新型专利技术提供一种射频系统，包括腔体、衬套、射频喷淋单元和基台：所述衬套，设置在腔体内侧；所述射频喷淋单元，设置在腔体的顶部，用于向腔体内部施加射频功率，进行等离子体喷淋处理；所述基台，设置在腔体的底部，用于承载晶圆；其中，所述射频喷淋单元，通过连接至少一个第一直流电阻接地；所述基台，通过连接至少一个第二直流电阻接地。本实用新型专利技术提供的射频系统，解决了陶瓷盘和晶圆之间的静电力不及时释放而导致的传片偏移问题，同时可以调节腔室阻抗，简单容易，价格低廉。价格低廉。价格低廉。

【技术实现步骤摘要】
一种射频系统


[0001]本技术涉及半导体设备系统设计领域，更具体的说，涉及一种具有释放陶瓷盘与晶圆之间的静电吸力以及调节腔室阻抗的射频系统。

技术介绍

[0002]现有的射频系统技术，射频电源将射频功率能量传输至腔体内，通过射频匹配器在腔体内激发等离子体，与腔体内的晶圆发生一系列的相互作用，使晶圆片表面发生各种物理化学反应，从而使材料表面性能发生变化，完成晶圆的刻蚀等工艺过程。
[0003]然而，在工艺完成后，射频系统和晶圆仍然存在多余的电荷从而相互之间形成静电力，容易造成传片偏移。
[0004]因此，从技术层面上需要对现有的射频系统进行改进。

技术实现思路

[0005]本技术的目的是提供一种射频系统，解决现有技术的射频系统在工艺完成后与晶圆形成静电力造成传片偏移的问题。
[0006]为了实现上述目的，本技术提供了一种射频系统，包括腔体、衬套、射频喷淋单元和基台：
[0007]所述衬套，设置在腔体内侧；
[0008]所述射频喷淋单元，设置在腔体的顶部，用于向腔体内部施加射频功率，进行等离子体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频系统，其特征在于，包括腔体、衬套、射频喷淋单元和基台：所述衬套，设置在腔体内侧；所述射频喷淋单元，设置在腔体的顶部，用于向腔体内部施加射频功率，进行等离子体喷淋处理；所述基台，设置在腔体的底部，用于承载晶圆；其中，所述射频喷淋单元，通过连接至少一个第一直流电阻接地；所述基台，通过连接至少一个第二直流电阻接地。2.根据权利要求1所述的射频系统，其特征在于，所述射频喷淋单元，包括上盖板、喷淋板上板、喷淋板和射频电源：所述上盖板，嵌套安装在腔体的顶部；所述喷淋板，镶嵌安装在上盖板靠近晶圆一侧；所述喷淋板上板，一端与喷淋板连接，另一端穿过上盖板后与至少一个第一直流电阻连接；所述至少一个第一直流电阻，一端与喷淋板上板连接，另一端与射频电源连接；所述射频电源，另一端接地。3.根据权利要求1所述的射频系统，其特征在于，所述基台，包括陶瓷盘、加热片和接地电极；所述加热片，设置于陶瓷盘的内部；所述接地电极，设置于加热片上，另一端穿过...

【专利技术属性】
技术研发人员：野沢俊久，刘振，吴凤丽，许嘉毓，
申请(专利权)人：拓荆科技上海有限公司，
类型：新型
国别省市：