【技术实现步骤摘要】
本技术涉及薄膜沉积，尤其涉及一种分体式晶圆支撑机构、一种工艺腔室、一种半导体器件的加工方法，以及一种计算机可读存储介质。
技术介绍
1、在现有的用于进行背面沉积工艺的半导体加工设备中，工艺腔室的上方采用加热盘，用于加热待加工的晶圆，下方采用喷淋头，用于向晶圆喷洒工艺气体。然而，现有的工艺腔室中通过在下方的喷淋盘中央设置提升销，进行晶圆的传片步骤。这种设置会导致喷淋头表面的喷淋孔分布不均匀，导致工艺气体在晶圆背面分布不均匀，进而影响晶圆背面的薄膜沉积厚度的均匀性。
2、为了克服现有技术存在的上述缺陷，本领域亟需一种改进的分体式晶圆支撑机构，用于使喷淋头上的喷淋孔分布更加均匀，从而提升薄膜沉积厚度的均匀性。
技术实现思路
1、以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览，并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更加详细的描述
【技术保护点】
1.一种分体式晶圆支撑机构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的晶圆支撑机构，其特征在于，所述多个第二环体上分别设有多个第一气体通道，所述多个第二支杆底部分别设有气体入口，其中，惰性气体从所述气体入口通入所述多个第一气体通道，并经由所述多个第一气体通道通入所述晶圆上方的正面区域，以对所述晶圆的正面进行保护。
3.如权利要求2所述的晶圆支撑机构，其特征在于，所述晶圆支撑机构的外围还设有抽气环，所述抽气环的抽气高度高于所述工艺位置，
4.如权利要求3所述的晶圆支撑机构，其特征在于，所述多个第二环体上分别设有多个所述第一气体通道，相...
【技术特征摘要】
1.一种分体式晶圆支撑机构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的晶圆支撑机构，其特征在于，所述多个第二环体上分别设有多个第一气体通道，所述多个第二支杆底部分别设有气体入口，其中，惰性气体从所述气体入口通入所述多个第一气体通道，并经由所述多个第一气体通道通入所述晶圆上方的正面区域，以对所述晶圆的正面进行保护。
3.如权利要求2所述的晶圆支撑机构，其特征在于，所述晶圆支撑机构的外围还设有抽气环，所述抽气环的抽气高度高于所述工艺位置，
4.如权利要求3所述的晶圆支...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘振，
申请(专利权)人：拓荆科技上海有限公司，
类型：新型
国别省市：
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