【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造技术，尤其涉及一种半导体薄膜沉积设备。
技术介绍
1、随着集成电路的几何尺寸不断减小，传统的氧化硅栅因其显著的栅漏电流问题不再适用，取而代之的是将新型高k栅介质集成到场效应管器件中，能解决栅漏电流的问题。
2、形成高k栅介质的方式中，一种方案是在栅氧工艺前利用rca溶液和dhf溶液对硅晶圆进行预清洗，去除衬底表面的有机物、金属离子、颗粒物和自然氧化层，然后再用nh4f溶液对硅晶圆表面进行进一步的清洗，使硅晶圆表面形成稳定、平整的微结构后，将硅晶圆装入高k栅介质淀积系统进行高k栅介质层的淀积。但由于清洗阶段和高k栅介质层淀积阶段分设在两个不同的设备中，清洗后的硅晶圆在设备之间转移的过程会暴露在空气中，使硅晶圆表面重新产生自然氧化层，导致后续生成的高k栅介质层存在缺陷，进而影响器件性能。
3、另一种方案是在栅氧工艺前利用等离子去除硅晶圆表面自然氧化层，把氢气h2和可选的惰性气体通入工艺室,并通过微波等离子体源形成等离子体激发物质。该方法将硅晶圆暴露于等离子体激发物质以形成改性界面层，再通过原子层沉...
【技术保护点】
1.一种半导体薄膜沉积设备，其特征在于，设备内部划分为常压区和真空区，常压区和真空区之间隔开，且常压区和真空区之间设有连通道；半导体薄膜沉积设备还设有：
2.根据权利要求1所述的半导体薄膜沉积设备，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体薄膜沉积设备，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求1所述的半导体薄膜沉积设备，其特征在于，半导体薄膜沉积设备还设有：
5.根据权利要求4所述的半导体薄膜沉积设备，其特征在于，第一晶圆运送装置包括：
6.根据权利要求2所述的半导体薄膜沉积设备，其特征在于，预清洗工...
【技术特征摘要】
1.一种半导体薄膜沉积设备，其特征在于，设备内部划分为常压区和真空区，常压区和真空区之间隔开，且常压区和真空区之间设有连通道；半导体薄膜沉积设备还设有：
2.根据权利要求1所述的半导体薄膜沉积设备，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体薄膜沉积设备，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求1所述的半导体薄膜沉积设备，其特征在于，半导体薄膜沉积设备还设有：
5.根据权利要求4所述的半导体薄膜沉积设备，其特征在于，第一晶圆运送装置包括：
6.根据权利要求2所述的半导体薄膜沉积设备，其特征在于，预...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭磊，
申请(专利权)人：苏州龙驰半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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