本申请实施例提供一种湿法手臂及半导体湿法设备，其中，湿法手臂包括：手臂主体，设有供液体流过的导流孔，导流孔从手臂主体的顶面贯通至手臂主体的底面；手臂主体的顶面设有导流槽，导流槽连通至导流孔；沿着手臂主体边缘向导流孔的方向，导流槽的深度逐...

本申请实施例中提供了一种晶圆辅助定位标记装置，在本体上的安装表面设置直线标识部，在晶圆放置在安装表面上时，识别晶圆与本体的相对位置，便于晶圆和本体的安装对位；测量标尺部进一步对直线标识部两侧的晶圆遮挡区长度进行测量，使直线标识部两侧的晶...

本申请实施例提供一种场效应半导体器件及其制造方法，其中，场效应半导体器件包括：基底；位于基底之上的外延层；至少两个栅区，沿第一方向间隔设置于外延层内；位于外延层上部的深阱区，深阱区位于栅区的两侧；栅下阱区，形成于外延层内与栅区一一对应且...

本申请实施例提供了一种SiC MOSFET器件及SiC MOSFET器件的制备方法。SiC MOSFET器件，包括：SiC衬底；形成在所述SiC衬底之上的外延层；形成在外延层之上预设位置的栅氧化层，所述栅氧化层包括第一栅氧化部和第二栅氧...

本申请实施例提供一种场效应半导体器件及其制造方法，其中，场效应半导体器件包括：基底；位于基底之上的外延层；栅区，设置于外延层的上部；栅氧化区，围设于栅区的侧面及底部；栅下阱区，形成于外延层内位于栅氧化区的下方；第一深阱区，形成于外延层上...

本申请实施例提供一种晶圆切割方法，涉及晶圆切割技术，属于半导体芯片技术领域，目的是为了解决现有工艺中SiC晶圆切割损耗量大，导致SiC产出率低的问题。本申请的晶圆切割方法包括步骤：利用激光对器件片晶圆进行切割；将切割后的器件片晶圆与衬底...

公开了一种晶体管器件和制造晶体管器件的方法

本发明公开了一种晶圆减薄载具

本发明公开了一种改善

本发明公开了一种

本发明公开了一种

本发明公开了一种SiC外延片、SiC MOS器件及改善SiC器件栅氧迁移率的方法。改善SiC器件栅氧迁移率的方法包括：先在SiC晶片的选定表面加工形成至少一个微结构，再对SiC晶片靠近选定表面的表层区域进行热氧化处理，以使表层区域所含的...

本发明公开了一种SiC MOS器件的制备方法。SiC MOS器件的制备方法包括：在SiC外延片的表面覆设保护层，并在所述SiC外延片的栅极区域加工形成槽状结构，且使所述槽状结构的槽口位于所述保护层的表面，槽底位于所述SiC外延片内；在所...

本发明公开一种晶圆激光剥离用治具，所述治具包括承载部，其包括相对设置的第一面和第二面，第一面设有承载槽用于承载具有第一倒角结构的待剥离晶圆，承载槽具有第二倒角结构，当将待剥离晶圆置入承载槽时，第二倒角结构的内壁与第一倒角结构的外壁相互吻...

本发明公开了一种提高SiC Trench MOS器件栅氧击穿电场的方法。提高SiC Trench MOS器件栅氧击穿电场的方法包括：提供SiC外延片以及在SiC外延片的表面的第二区域覆设第一保护结构，并于SiC外延片的表面的第一区域加工...

本发明公开了一种沟槽型MOS器件，包括外延层以及与所述外延层匹配的电极，所述外延层内设置有栅槽，所述栅槽的槽底位于所述外延层的n型漂移区内，所述栅槽内设置有多晶硅栅，所述栅槽的槽底具有第一台阶结构，并且，所述n型漂移区内还设置有p型注入...

本发明公开了一种LDMOS器件及其制作方法。所述器件包括：第一导电类型的高阻的衬底、半导体层、绝缘层、栅极、第一和第二金属层；半导体层包括第一和第二半导体层；第二半导体层包括体区、漂移区、源区、漏区，源区设置在体区内并与体接触区相接触，...

本发明公开了一种SiC MOS器件，包括外延结构以及与所述外延结构配合的源极、漏极和栅极，所述源极设置在所述栅极上方，且所述源极与栅极之间设置有隔离结构，并经所述隔离结构电性隔离，所述隔离结构包括依次层叠设置的第一BPSG层和保护层，所...

本发明公开了一种VDMOS器件及提升SIC VDMOS器件的击穿电压的方法。所述提升SIC VDMOS器件的击穿电压的方法包括：将SIC晶片的第一部分的晶型由第一晶型转变为第二晶型，并以所述SIC晶片的第一部分作为SIC VDMOS器件...

本申请提供了一种半导体器件的制作方法以及半导体器件，该方法包括：首先，提供包括衬底以及离子屏蔽层的第一预备基底以及包括依次层叠的牺牲衬底、顶层硅以及氧化层的第二预备基底；然后，以离子屏蔽层以及氧化层作为键合界面，对第一预备基底以及第二预...