SiCMOS器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种SiC MOS器件的制备方法。SiC MOS器件的制备方法包括：在SiC外延片的表面覆设保护层，并在所述SiC外延片的栅极区域加工形成槽状结构，且使所述槽状结构的槽口位于所述保护层的表面，槽底位于所述SiC外延片内；在所述槽状结构的表面覆设掩膜，且使所述槽状结构的槽底露出；通过离子注入的方式将所述槽状结构的槽底与侧壁连接的拐角区域形成P+离子注入区；除去所述SiC外延片和所述P+离子注入区靠近所述槽底的一部分，以将所述槽状结构的深度由第一深度加工至第二深度，将所述p+离子注入区加工成选定形状。本发明专利技术可以提高SiC Trench MOS器件槽栅corner的击穿场强。强。强。

【技术实现步骤摘要】
SiC MOS器件及其制备方法


[0001]本专利技术特别涉及一种SiC MOS器件及其制备方法，属于半导体器件


技术介绍

[0002]SiC作为三代半导体，具有较大的禁带宽度、高热导率、高的临界击穿电场等特性，在高压半导体器件中使用广泛。SiC槽栅MOSFET相比于平面槽栅减少了JFET的影响等，使得器件的效率更高。
[0003]槽栅结构的MOSFET相比于平面栅结构的MOSFET具有较多优点，但槽栅结构在栅的底部corner位置电场集中，关断时要承受巨大的电场，容易造成器件的失效，因此如何通过相对简单、易于大规模量产的工艺来提高槽栅comer处的击穿电场至关重要。CN110190127A提出通过外延生长的方式，在栅氧拐角处形成P+区域，以增强此处的耐击穿能力。尽管此种工艺可以提高comer的击穿场强，但其P+区域的形成是通过多步外延，多步外延导致成本上升，工艺复杂，不利于量产。

技术实现思路

[0004]本专利技术的主要目的在于提供一种SiC MOS器件及其制备方法，从而克服现有技术中的不足。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SiC MOS器件的制备方法，其特征在于，包括：在SiC外延片的表面覆设保护层，并在所述SiC外延片的栅极区域加工形成槽状结构，且使所述槽状结构的槽口位于所述保护层的表面，槽底位于所述SiC外延片内；在所述槽状结构的表面覆设掩膜，且使所述槽状结构的槽底露出；通过离子注入的方式将所述槽状结构的槽底与侧壁连接的拐角区域形成p+离子注入区；除去所述SiC外延片和所述p+离子注入区靠近所述槽底的一部分，以将所述槽状结构的深度由第一深度加工至第二深度，将所述p+离子注入区加工成选定形状。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，包括：自所述槽状结构的槽口处进行所述离子注入，所述离子注入的方向与所述槽状结构的侧壁所呈夹角为37
‑
41
°
。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，包括：在进行所述离子注入时，使离子注入的方向与所述槽状结构的侧壁所呈夹角在37
‑
41
°
之间周期性的连续变化。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述的方法具体包括：在每一周期内，使所述离子注入的能量和剂量随所述离子注入的方向与所述槽状结构的侧壁所呈夹角的增大先升高再降低，注入剂量保持恒定，以形成所述p+离子注入区；优选的，所述离子注入的注入能量为80
‑
250Kev、注入剂量为5E13
‑
1E15/cm2。和/或，所述离子注入的注入元素包括Al、Ga、B中的至少一种。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：当所述离子注入的方向与所述槽状结构的侧壁所呈夹角为37
‑
38
°
时，所述注入能量为100
‑
150Kev，注入剂量为5E13
‑
1E15/cm2；当所述离子注入的方向与所述槽状结构的侧壁所呈夹角为38
‑
39
°
时，所述注入能量为150
‑
200Kev，注入剂量为5E13
‑
1E15/cm2；当所述离子注入的方向与所述槽状结构的侧壁所呈夹角...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭虎，韩小朋，
申请(专利权)人：苏州龙驰半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：