一种包含柱状P沟道的碳化硅浮动结功率器件制造技术

本发明专利技术公开了一种包含柱状P沟道的碳化硅浮动结功率器件，至少包括：N型碳化硅衬底和N

【技术实现步骤摘要】
一种包含柱状P沟道的碳化硅浮动结功率器件


[0001]本专利技术属于微电子领域，具体涉及一种包含柱状P沟道的碳化硅浮动结功率器件。

技术介绍

[0002]近年来节能减排，低碳发展的需求与日俱增。功率半导体器件是能量生成
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储存
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分配循环中的重要环节。通过提高半导体功率器件的性能成为一种可行的提高能源转换效率方法。碳化硅功率半导体器件因为其高压阻断能力、高频开关特性、高温可工作的特点，有望成为下一代主流大功率器件，得到了半导体制造商和研究人员的广泛青睐。
[0003]通过在碳化硅浮动结功率器件中引入浮动结结构，能够发挥浮动结与碳化硅各自的优势，打破碳化硅单极器件的一维极限，降低器件的动态损失，提高器件耐压性能。但是由于浮动结在反向耐压下向漂移区大大展宽，当偏置电压从反向转为正向时，反向偏置下展宽的浮动结耗尽区由于缺乏沟道，少子难以被快速抽取耗尽，浮动结器件的开关特性受到很大影响，难以应用于高频应用。

技术实现思路

[0004]为了解决现有技术中所存在的上述问题，本专利技术提供了一种包含本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种包含柱状P沟道的碳化硅浮动结功率器件，其特征在于，所述碳化硅浮动结功率器件至少包括：N型碳化硅衬底和N
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外延层；其中，所述N
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外延层的表面通过P型掺杂形成有至少一个P型掺杂区；所述P型掺杂区和所述N型碳化硅衬底之间的N
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外延层形成所述碳化硅浮动结功率器件的有源漂移区；所述有源漂移区中设有多个浮动结，每个浮动结均通过多个柱状P沟道与一个P型掺杂区实现电连接，每个P型掺杂区均通过多个柱状P沟道与至少一个浮动结实现电连接；所述浮动结和所述柱状P沟道均是在外延生长所述N
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外延层的过程中，对生长中的N
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外延层进行多次离子注入形成的。2.根据权利要求1所述的包含柱状P沟道的碳化硅浮动结功率器件，其特征在于，每个浮动结均通过两个柱状P沟道与一个P型掺杂区实现电连接。3.根据权利要求1所述的包含柱状P沟道的碳化硅浮动结功率器件，其特征在于，所述碳化硅浮动结功率器件包括：碳化硅JBS二极管。4.根据权利要求3所述的包含柱状P沟道的碳化硅浮动结功率器件，其特征在于，所述多个浮动结平行排列，所述P型掺杂区包括多个，所述多个浮动结与多个P型掺杂区一一上下对应。5.根据权利要求1所述的包含柱状P沟道的碳化硅浮动结功率器件，其特征在于，所述碳化硅浮动结功率器件包括：碳化硅MOSFET。6.根据权利要求5所述的包含柱状P沟道的碳化硅浮动结功率器件，其特征在于，所述碳化硅MOSFET，具体包括：所述N型碳化硅衬底；所述N
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外延层，叠加在所述N型碳化硅衬底之上；两个P型掺杂区，通过对所述N

【专利技术属性】
技术研发人员：宋庆文，李靖域，袁昊，汤晓燕，张玉明，梁姝璇，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：