一种ESD保护二极管以及制备方法技术

本发明专利技术涉及半导体器件制备领域，公开了一种ESD保护二极管以及制备方法，方法包括步骤：在衬底上设置多个浅沟槽隔离区，包括第一浅沟槽隔离区、第二浅沟槽隔离区、第三浅沟槽隔离区和第四浅沟槽隔离区；在第二浅沟槽隔离区和第三浅沟槽隔离区上设置多晶硅层；在每两个浅沟槽隔离区中间进行离子注入，在衬底上得到第一掺杂层、第二掺杂层和第三掺杂层，第一掺杂层和第三掺杂层适于导出电流，第二掺杂层为PN结阴极，衬底为PN结阳极。本发明专利技术通过在STI上覆盖POLY，由于POLY层厚度较厚，超过能够有效阻挡离子(plus)注入，作为plus注入的阻挡层，plus在注入时就不会打到STIdivot区域，使得PN结的界面更加平缓，耐压或者耐电流的能力提高。的能力提高。的能力提高。

【技术实现步骤摘要】
一种ESD保护二极管以及制备方法


[0001]本专利技术半导体器件制备领域，特别涉及一种ESD保护二极管以及制备方法。

技术介绍

[0002]现有技术中PN结制备时在浅沟槽隔离区上设置有SAB(salicide block)层，SAB层用于在有缘区表面淀积一层氧化物，使硅化物无法形成。现有技术中的PN结结构，AA与STI的交界处通常使用SAB覆盖。随后，在浅沟槽隔离区中间进行离子注入，即plus注入，形成两侧掺杂层P+掺杂层和中间的N+掺杂层。plus注入包括Pplus(P+)注入和Nplus(N+)注入，P+即浓掺杂的P型离子，N+即浓掺杂的N型离子。
[0003]在AA与STI的交界处进行plus注入时，由于在工艺流程中的湿法刻蚀会消耗掉STI区域的氧化膜，导致STI和AA的交接处氧化膜低于AA，形成一个凹陷区，这个凹陷区即为divot区域。由于divot区域的存在，会导致plus注入的时候divot区域的注入离子会比其它AA区域的打的深，就会在divot区域形成一个突出的plus区域，出现尖峰。这个突出的plus区域，让PN结的界本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种ESD保护二极管，所述二极管包括衬底，衬底上设置有多个浅沟槽隔离区，包括第一浅沟槽隔离区、第二浅沟槽隔离区、第三浅沟槽隔离区和第四浅沟槽隔离区；所述第二浅沟槽隔离区和所述第三浅沟槽隔离区上设置多晶硅层；在第一浅沟槽隔离区和第二浅沟槽隔离区中间设置有第一掺杂层，在第三浅沟槽隔离区和第四浅沟槽隔离区中间设置有第三掺杂层，在第二浅沟槽隔离区和第三浅沟槽隔离区中间设置有第二掺杂层，所述第一掺杂层和第三掺杂层适于导出电流，所述第二掺杂层为PN结阴极，所述衬底为PN结阳极。2.一种ESD保护二极管制备方法，所述方法包括步骤：在衬底上设置多个浅沟槽隔离区，包括第一浅沟槽隔离区、第二浅沟槽隔离区、第三浅沟槽隔离区和第四浅沟槽隔离区；在所述第二浅沟槽隔离区和所述第三浅沟槽隔离区上设置多晶硅层；在每两个浅沟槽隔离区中间进行离子注入，在衬底上得到第一掺杂层、第二掺杂层和第三掺杂层，所述第一掺杂层和第三掺杂层适于导出电流，所述第二掺杂层为PN结阴极，所述衬底为PN结阳极。3.如权利要求2所述的方法，其中，每个浅沟槽隔离区的横切面均为相同的梯形，梯形截面的上底的长度比下底长，两腰相等。4.如权利要求2或3所述的方法，其中，所述多晶硅层为进行离子注入的阻挡层，所述多晶硅层的厚...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱修殿，朱勇刚，黄晓峰，邵伟，
申请(专利权)人：彩山微电子苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：