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本发明涉及半导体器件制备领域，公开了一种ESD保护二极管以及制备方法，方法包括步骤：在衬底上设置多个浅沟槽隔离区，包括第一浅沟槽隔离区、第二浅沟槽隔离区、第三浅沟槽隔离区和第四浅沟槽隔离区；在第二浅沟槽隔离区和第三浅沟槽隔离区上设置多晶硅层...
该专利属于彩山微电子（苏州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过彩山微电子（苏州）有限公司授权不得商用。

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