一种场效应晶体管及其制备方法、电子设备技术

本申请的实施例提供一种场效应晶体管及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，可以提高p型场效应晶体管中沟道区的空穴迁移率。该场效应晶体管包括源区、漏区、多个沟道区及栅极区；沟道区包括第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层的材料包括硅锗，第二半导体层的材料包括锗；栅极区包裹多个沟道区，并填充多个沟道区之间的间隙；第一半导体层具有与多个沟道区层叠方向垂直的顶部表面和底部表面、与多个沟道区层叠方向平行的侧部表面，第二半导体层设置在第一半导体层的顶部表面、底部表面和侧部表面上；或第二半导体层具有与多个沟道区层叠方向垂直的顶部表面和底部表面，第一半导体层覆盖第二半导体层的顶部表面和/或底部表面。和/或底部表面。和/或底部表面。和/或底部表面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：林军，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：