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本发明公开了一种SiC MOS器件的制备方法。SiC MOS器件的制备方法包括：在SiC外延片的表面覆设保护层，并在所述SiC外延片的栅极区域加工形成槽状结构，且使所述槽状结构的槽口位于所述保护层的表面，槽底位于所述SiC外延片内；在所述槽...
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