场效应半导体器件及其制造方法技术

本申请实施例提供一种场效应半导体器件及其制造方法，其中，场效应半导体器件包括：基底；位于基底之上的外延层；至少两个栅区，沿第一方向间隔设置于外延层内；位于外延层上部的深阱区，深阱区位于栅区的两侧；栅下阱区，形成于外延层内与栅区一一对应且设置于栅区下方；栅下阱区向下延伸至低于深阱区；栅氧化区，围设于栅区的侧面及底部；位于外延层上部的阱区，阱区位于栅区的两侧且位于深阱区的上方；位于阱区上部的源区。本申请实施例提供的场效应半导体器件及其制造方法中，各栅下阱区之间形成JFET效应，能够钳位电势，从而降低栅氧化区的电场。并且该方案中的深阱区不需要注入高能量离子，简化了工艺难度及设计难度。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体器件技术，尤其涉及一种场效应半导体器件及其制造方法。

技术介绍

1、vdmos是一种垂直双扩散金属氧化物半导体结构,具有低导通电阻、高击穿电压、快速开关速度和低开关损耗等特点,在功率器件领域具有重要的应用价值。

2、图1为一种典型的沟槽结构碳化硅vdmos器件，当多晶硅栅极10施加正电压时，在沟道的p型阱区40和栅氧化层20之间形成反型层，反型层在n型掺杂源区30和n型外延层60之间形成电流通路。n型外延层60的下方连接重掺杂的衬底，衬底的底部是漏电极。两个p型深阱区50与他们之间的n型外延层60形成结型场效应晶体管(jfet)，jfet效应能够钳位电势，降低栅氧的电场强度。

3、但是，两个p型深阱区50与他们之间的n型外延层60形成的jfet，其pn结是突变结，结电场强，器件的可靠性较差。并且重掺杂的p型深阱区50需要进行高能量离子注入，使得工艺非常复杂。而且，为了避免横向扩散宽度的增加，也增加了结构设计难度，并且导致器件本身的体积较大，不利于提高器件布局的密度。

技术实现思路<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种场效应半导体器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的场效应半导体器件，其特征在于，至少两个深阱区在外延层内沿第二方向间隔并排布设；第二方向与第一方向垂直。

3.根据权利要求2所述的场效应半导体器件，其特征在于，还包括：

4.根据权利要求1所述的场效应半导体器件，其特征在于，所述基底为碳化硅衬底。

5.根据权利要求1所述的场效应半导体器件，其特征在于，所述源区为N型掺杂源区，阱区为P型阱区；深阱区为P型深阱区，栅下阱区为P型栅下阱区，外延层为N型外延层。

6.根据权利要求1所述的场效应半导体器件，其特征在于，栅下...

【技术特征摘要】

1.一种场效应半导体器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的场效应半导体器件，其特征在于，至少两个深阱区在外延层内沿第二方向间隔并排布设；第二方向与第一方向垂直。

3.根据权利要求2所述的场效应半导体器件，其特征在于，还包括：

4.根据权利要求1所述的场效应半导体器件，其特征在于，所述基底为碳化硅衬底。

5.根据权利要求1所述的场效应半导体器件，其特征在于，所述源区为n型掺杂源区，阱区为p型阱区；深阱区为p型深阱区，栅下阱区为p型栅下阱区，外延层为n型外延层。

【专利技术属性】
技术研发人员：彭虎，
申请(专利权)人：苏州龙驰半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：