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本申请实施例提供一种场效应半导体器件及其制造方法，其中，场效应半导体器件包括：基底；位于基底之上的外延层；至少两个栅区，沿第一方向间隔设置于外延层内；位于外延层上部的深阱区，深阱区位于栅区的两侧；栅下阱区，形成于外延层内与栅区一一对应且设置...
该专利属于苏州龙驰半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州龙驰半导体科技有限公司授权不得商用。

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