【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造的，具体涉及了一种预沉积的工艺设备、一种预沉积的工艺方法，以及一种双层预涂层。
技术介绍
1、目前，现有技术中，沉积掺杂钨的碳膜(tungsten doped carbon，wdc)薄膜时通常会单独使用二氧化硅(sio2)薄膜或无定形碳膜(amorphous carbon hard mask，achm)作为预涂层。
2、但是，这种单一材料沉积而成的预涂层，由于预涂层材料的单一性，会导致相应的工艺缺陷。当仅采用achm作为预涂层时，由于achm与反应腔内的铝合金为主的金属部件(如铝制加热盘)中的al的粘附力较差，al元素会过量迁移到晶圆表面或者背面，从而造成沉积腔室的金属污染。
3、而单独采用sio2薄膜作为预涂层时，由于sio2薄膜与wdc薄膜的成分及电学性质存在显著差异，会导致颗粒问题以及首对效应。具体来说，预涂层与实际薄膜成分不一致，会通过腔室壁记忆效应、界面化学反应和等离子体不稳定性引发首对效应。成分差异会导致两种材料的键合方式存在差异，造成导致界面不兼容，即界面处应力集中或化学不匹...
【技术保护点】
1.一种预沉积的工艺设备，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的工艺设备，其特征在于，所述第一进气管路组包括第一管路和第二管路，两者并联后形成混气管路连接所述反应腔，
3.如权利要求2所述的工艺设备，其特征在于，所述旁路管路的出气端连接第一抽气泵，所述反应腔连接第二抽气泵，以分别经由所述第一抽气泵和所述第二抽气泵将所述旁路管路内的所述第一前驱体，以及所述混气管路内的所述第二前驱体抽出。
4.如权利要求3所述的工艺设备，其特征在于，还包括：
5.一种预沉积的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：
6.如权利要...
【技术特征摘要】
1.一种预沉积的工艺设备，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的工艺设备，其特征在于，所述第一进气管路组包括第一管路和第二管路，两者并联后形成混气管路连接所述反应腔，
3.如权利要求2所述的工艺设备，其特征在于，所述旁路管路的出气端连接第一抽气泵，所述反应腔连接第二抽气泵，以分别经由所述第一抽气泵和所述第二抽气泵将所述旁路管路内的所述第一前驱体，以及所述混气管路内的所述第二前驱体抽出。
4.如权利要求3所述的工艺设备，其特征在于，还包括：
5.一种预沉积的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：
6.如权利要求5所述的工艺方法，其特征在于，所述工艺薄膜为掺杂钨的碳膜，所述经由预沉积的工艺设备中的第一进气管路组，向反应腔内分别通入第一前驱体和第二前驱体，生成第一预沉积膜层的步骤包括：
...【专利技术属性】
技术研发人员：周顺发，张亚梅，孙薇，
申请(专利权)人：拓荆科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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