【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及蚀刻液，具体的，涉及一种双剂型蚀刻液。
技术介绍
1、在半导体制造过程中，蚀刻技术对于形成精确的电路图案至关重要。然而，现有的蚀刻液配方在调节m1与m2(金属层1与金属层2)的taper(锥角)存在局限性。单剂型蚀刻液的m1与m2的taper差异通常仅在5度以内，而双剂型蚀刻液的差异也仅在10度左右，这难以满足复杂电路设计对taper角度的多样化需求。此外，随着铜浓度的增加，高铜双氧水体系的稳定性下降，容易出现残留问题，进而影响蚀刻效果和铜寿命。因此，开发一种能够灵活调节m1与m2taper角度，同时提高蚀刻液稳定性和铜寿命的新型蚀刻液辅剂，成为半导体制造领域亟待解决的问题。
2、中国专利技术专利cn114875406b公开了一种铜钼金属蚀刻液组合物，制备原料包括主剂和辅剂，包括过氧化氢、有机酸、氨基碱、稳定剂、电化学抑制剂、醇类添加剂、溶剂。采用乙二醇与电化学抑制剂协同作用，降低了蚀刻液与金属膜层间的表面张力，增强了蚀刻液与金属膜层的附着速率，可以完美解决蚀刻过程中的倒角问题，但该专利技术并未对多金属层的ta...
【技术保护点】
1.一种双剂型蚀刻液，其特征在于，包括主剂、第一辅剂和第二辅剂，按重量百分比计，所述主剂包括第一有机酸8-15％、第一脲类化合物0.1-0.5％、第一有机醚1-5％、第一有机碱7-15％、第一杂环化合物0.01-0.3％、双氧水8-15％，水补足余量；所述第一辅剂包括第二有机酸40-60％、第二有机碱15-30％、第二杂环化合物0.1-3％、第一无机酸0.1-3％、第二有机醚1-8％、第二脲类化合物0.1-2％，水补足余量；所述第二辅剂包括第三有机酸20-40％、第三脲类化合物0.1-3％、第二无机酸10-30％、第三杂环化合物0.1-2％、第三有机碱10-40％，水
<...【技术特征摘要】
1.一种双剂型蚀刻液，其特征在于，包括主剂、第一辅剂和第二辅剂，按重量百分比计，所述主剂包括第一有机酸8-15％、第一脲类化合物0.1-0.5％、第一有机醚1-5％、第一有机碱7-15％、第一杂环化合物0.01-0.3％、双氧水8-15％，水补足余量；所述第一辅剂包括第二有机酸40-60％、第二有机碱15-30％、第二杂环化合物0.1-3％、第一无机酸0.1-3％、第二有机醚1-8％、第二脲类化合物0.1-2％，水补足余量；所述第二辅剂包括第三有机酸20-40％、第三脲类化合物0.1-3％、第二无机酸10-30％、第三杂环化合物0.1-2％、第三有机碱10-40％，水补足余量。
2.根据权利要求1所述的双剂型蚀刻液，其特征在于，所述第一有机酸、第二有机酸和第三有机酸均选自以下中的至少一种：丙二酸、苹果酸、亚氨基二乙酸、甘氨酸、天冬氨酸、酒石酸、苯酚磺酸、乳酸、柠檬酸、丁二酸、乙醇酸、葡萄糖酸、琥珀酸、谷氨酸。
3.根据权利要求2所述的双剂型蚀刻液，其特征在于，所述第一有机酸包括丙二酸、苹果酸、亚氨基二乙酸、苯酚磺酸、乳酸、柠檬酸、丁二酸和乙醇酸。...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴志辉，严为刚，李闯，张红伟，黄海东，胡天齐，
申请(专利权)人：四川和晟达电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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