【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电极制备，尤其涉及一种用于电子元器件的真空溅射银合金电极及其制备方法。
技术介绍
1、在电子元器件领域，随着电子设备不断向小型化、高性能化以及高可靠性方向发展，对电子元器件的要求日益严苛。传统电极材料因性能局限，已逐渐无法跟上现代电子元器件发展的步伐。银合金电极虽具备优良的导电性、导热性和一定的耐腐蚀性等优势，但目前的制备工艺仍存在诸多缺陷，难以充分发挥银合金电极的性能潜力，尤其在大规模、高精度电子元器件生产场景下，如何实现高效、精准制备性能卓越的银合金电极成为亟待攻克的难题，制备方法亟需突破创新。
2、目前，电子元器件行业竞争激烈，技术创新迅速。为了满足市场对电子设备高性能、小型化以及高可靠性的需求，电子元器件制造技术不断向精细化、高效化发展。传统电极材料因性能不足逐渐被银合金电极所替代，银合金电极虽具有诸多优点，但现有制备工艺在电极性能优化、与不同基底适配以及复杂环境适应性等方面存在明显不足。尤其在大规模、高精度电子元器件生产中，如何突破现有制备工艺的瓶颈，实现银合金电极的高效、精准制备，成为制约电子元器件...
【技术保护点】
1.一种用于电子元器件的真空溅射银合金电极制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的用于电子元器件的真空溅射银合金电极制备方法，其特征在于，在“对基底进行预处理去除基底表面杂质”中，包括以下步骤：
3.如权利要求1所述的用于电子元器件的真空溅射银合金电极制备方法，其特征在于，在“制备银合金溅射靶材”中，包括以下步骤：
4.如权利要求1所述的用于电子元器件的真空溅射银合金电极制备方法，其特征在于，在“构建智能真空溅射系统并预设参数”中，包括以下步骤：
5.如权利要求1所述的用于电子元器件的真空溅射银合金电...
【技术特征摘要】
1.一种用于电子元器件的真空溅射银合金电极制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的用于电子元器件的真空溅射银合金电极制备方法，其特征在于，在“对基底进行预处理去除基底表面杂质”中，包括以下步骤：
3.如权利要求1所述的用于电子元器件的真空溅射银合金电极制备方法，其特征在于，在“制备银合金溅射靶材”中，包括以下步骤：
4.如权利要求1所述的用于电子元器件的真空溅射银合金电极制备方法，其特征在于，在“构建智能真空溅射系统并预设参数”中，包括以下步骤...
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