【技术实现步骤摘要】
工艺配方搜索装置、蚀刻配方搜索方法以及半导体装置制造系统
[0001]本专利技术涉及工艺配方搜索装置、蚀刻配方搜索方法以及半导体装置制造系统。
技术介绍
[0002]在半导体器件中，由于低消耗电力化、存储容量增大的要求，推进了微细化以及器件构造的三维化(复杂化)。在微细化的器件的制造中，不仅单纯地将图案尺寸缩小，还谋求与现有的半导体器件相比更复杂的加工形状的实现。为了通过干式蚀刻实现设为目标的加工形状(称作目标形状)，需要设定控制蚀刻装置所具备的大量气体系统、电源系统、高频系统的参数。为了实现复杂的加工形状，需要通过在多步调整大量参数的同时，在以秒为单位的时间进行加工，因此，需要对1个图案的加工进行庞大的参数的设定。因此，即使是熟练者，用于使这样的蚀刻装置执行加工的参数的设定也需要大量时间。将进行蚀刻的加工条件或为了执行加工条件而设定的参数称作蚀刻配方。
[0003]作为高精度且高速求取蚀刻处理中的庞大的参数的方法，已知利用机器学习的方法。对在多个加工条件下加工的半导体器件的构造进行电子显微镜观察，测量所得到的图像，...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种工艺配方搜索装置，搜索作为被设定为将样品蚀刻成所期望的形状的等离子处理装置的参数的蚀刻配方，所述工艺配方搜索装置的特征在于具有：目标形状决定部，其决定通过多个形状要素定义所述所期望的形状的目标形状；机器学习模型作成部，其作成根据所述等离子处理装置的参数来预测所述等离子处理装置对所述样品的加工形状的机器学习模型；配方搜索部，其使用所述机器学习模型来搜索成为所述蚀刻配方的候补的候补蚀刻配方；加工配方决定部，其使使用所述机器学习模型预测的基于所述候补蚀刻配方的所述样品的预测加工形状显示在显示装置，将从所显示的所述候补蚀刻配方中选择的候补蚀刻配方决定为对所述等离子处理装置设定来使其蚀刻所述样品的加工配方；和显示形状强调处理部，其将所述预测加工形状与所述目标形状的差异强调来在所述显示装置进行显示。2.根据权利要求1所述的工艺配方搜索装置，其特征在于，所述显示形状强调处理部将所述目标形状与所述预测加工形状的差异以按每个所述形状要素确定的强调倍率进行放大，来将所述预测加工形状显示在所述显示装置。3.根据权利要求1所述的工艺配方搜索装置，其特征在于，所述显示形状强调处理部将所述预测加工形状与所述目标形状的差异能在所述预测加工形状上视觉辨识地显示在所述显示装置，以所述预测加工形状中的所述形状要素的颜色或线宽显示所述预测加工形状与所述目标形状的差异，或者将表征所述预测加工形状与所述目标形状的偏离量的向量重叠在该形状要素来进行显示。4.根据权利要求1所述的工艺配方搜索装置，其特征在于，所述加工配方决定部使所述显示装置显示使用所述机器学习模型预测的基于使所述候补蚀刻配方中所含的至少1个参数变化的灵敏度评价蚀刻配方的所述样品的预测加工形状，所述显示形状强调处理部将基于所述候补蚀刻配方的预测加工形状以及基于所述灵敏度评价蚀刻配方的预测加工形状分别在强调与所述目标形状的差异的状态下重叠地显示在所述显示装置。5.根据权利要求1所述的工艺配方搜索装置，其特征在于，所述配方搜索部使所述等离子处理装置的所述候补蚀刻配方能取的参数的范围显示在所述显示装置，在指定了所述等离子处理装置的参数间的制约的情况下，在被制约的参数空间中进行所述候补蚀刻配方的搜索。6.一种蚀刻配方搜索方法，利用了工艺配方搜索装置，所述工艺配方搜索装置搜索作为被设定为将样品蚀刻成所期望的形状的等离子处理装置的参数的蚀刻配方，所述蚀刻配方搜索方法的特征在于，决定通过多个形状要素定义所述所期望的形状的目标形状，作成根据所述等离子处理装置的参数来预测所述等离子处理装置对所述样品的加工形状的机器学习模型，
使用所述机器学习模型来搜索成为所述蚀刻配方的候补的候补蚀刻配方，将使用所述机器学习模型预测的基于所述候补蚀刻配方的所述样品的预测加工形状显示在显示装置，将所述预测加工形状强调所述预测加工形状与所述目标形状的差异地显示在所述显示装置。7.根据权利要求6所述的蚀刻配方搜索方法，其特征在于，将所述目标形状与所述预测加工形状的差异以按每个所述形状要素确定的强调倍率放大，来将所述预测加工形状显示在所述显示装置。8.根据权利要求6所述的蚀刻配方搜索方法，其特征在于，使用所述机器学习模型来预测基于使所述候补蚀刻配方中所含的至少1个参数变化的灵敏度评价蚀刻配方的所述样品的加工形状，将基于所述候补蚀刻配方的预测加工形状以及基于所述灵敏度...
【专利技术属性】
技术研发人员：土桥高志，小林浩之，大森健史，
申请(专利权)人：株式会社日立高新技术，
类型：发明
国别省市：
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