高温及真空隔离处理微型环境制造技术

一种用于基板处理的方法及设备以及包括移送腔室组件及多个处理组件的群集工具。移送腔室组件及处理组件可包括用于ALD、CVD、PVD、蚀刻、清洁、注入、加热、退火、及/或抛光工艺的处理平台。处理腔室容积使用其上设置有基板的支撑卡盘密封隔开移送腔室容积。升高支撑卡盘以使用波纹管组件及卡盘密封表面在处理腔室容积与移送腔室容积之间形成隔离密封。容积与移送腔室容积之间形成隔离密封。容积与移送腔室容积之间形成隔离密封。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】高温及真空隔离处理微型环境


[0001]本文描述的实施例大体涉及用于处理基板的方法及设备。更特定而言，本揭示内容的实施例涉及采用多个处理腔室来处理其中的基板的基板处理平台。

技术介绍

[0002]用于通过在基板上沉积材料、蚀刻基板或其上的材料、或在制造集成电路芯片期间使用的其他工艺来处理基板的常规群集工具被构造为在其中的基板处理期间执行一或多个工艺。例如，群集工具可以包括用于在基板上执行PVD工艺的物理气相沉积(physical vapor deposition；PVD)腔室、用于在基板上执行ALD工艺的原子层沉积(atomic layer deposition；ALD)腔室、用于在基板上执行CVD工艺的化学气相沉积(chemical vapor deposition；CVD)腔室、用于在基板上执行蚀刻工艺的蚀刻腔室、用于在基板上执行热处理的热处理腔室、用于将离子注入基板或其上形成的膜层中的等离子体离子注入腔室、及/或一或多个其他处理腔室。
[0003]上面提及的群集工具具有限制，诸如对其中的基板的产量的机械限制、在基板处理环境中存在的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种被构造为同时处理多个基板的设备，包含：移送腔室组件，具有界定移送容积的或多个壁；支撑卡盘，具有基板支撑表面；密封环，具有卡盘密封表面，其中所述卡盘密封表面在所述支撑卡盘的所述基板支撑表面周围设置；以及多个处理组件，设置在所述移送腔室组件中，其中所述处理组件中的每一者包含一或多个处理腔室壁、及升降组件，所述处理腔室壁具有上部密封表面并且所述升降组件被构造为在移送位置与处理位置之间移动所述支撑卡盘，其中：所述上部密封表面与所述卡盘密封表面形成隔离密封并且当所述支撑卡盘处于所述处理位置时在所述一或多个处理腔室壁与所述支撑卡盘之间形成与所述移送容积流体隔离的被密封的处理腔室容积，并且当所述支撑卡盘处于所述移送位置时，所述移送容积与所述处理腔室容积流体连通。2.如权利要求1所述的设备，其中所述移送腔室组件进一步包含中央移送装置，所述中央移送装置被构造为在所述移送腔室组件内的所述多个处理组件中的每一者之间移送基板。3.如权利要求1所述的设备，其中所述移送腔室组件进一步包含中央移送装置，所述中央移送装置被构造为在所述移送腔室组件内的所述多个处理组件中的每一者之间移送所述支撑卡盘。4.如权利要求3所述的设备，其中所述中央移送装置被构造为在所述多个处理组件中的每一者之间进行移送期间将电力供应到所述支撑卡盘。5.如权利要求1所述的设备，其中所述上部密封表面中设置有与所述卡盘密封表面流体连通的通道，并且其中所述卡盘密封表面具有其中设置有对应的O形环的一或多个沟槽。6.如权利要求1所述的设备，其中所述移送容积与第一真空泵流体连通并且所述处理腔室容积与第二真空泵流体连通。7.如权利要求1所述的设备，进一步包含耦接到所述上部密封表面的波纹管组件。8.如权利要求7所述的设备，其中所述波纹管组件是压缩波纹管组件并且被构造为当所述卡盘密封表面抵靠所述上部密封表面定位时压缩。9.如权利要求7所述的设备，其中所述波纹管组件是伸展波纹管组件并且被构造为当所述卡盘密封表面抵靠所述上部密封表面定位时伸展。10.如权利要求8所述的设备，其中所述波纹管组件及所述上部密封表面是腔室密封构件的部分，所述腔室密封构件进一步包含连接到所述波纹管组件的底部波纹管支撑环。11.一种被构造为同时处理多个基板的设备，包含：移送腔室组件，具有界定移送容积的一或多个壁；支撑卡盘，具有基板支...

【专利技术属性】
技术研发人员：尼廷，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：