一种等离子体电荷整体加热装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种等离子体电荷整体加热装置，包含盘体、加热棒和盖板；所述加热棒设置在盘体内，且与盘体一体铸造成型，并且两端分别伸出盘体底部；所述盖板设置在盘体的顶部，且与盘体固定连接；本实用新型专利技术通过将加热棒与盘体一体铸造成型，不仅能有效避免加热棒与盘体之间产生间隙，使得加热更加均匀，提高晶圆加工质量，且避免加工精度带来的装配困难，有效提升产品加热稳定性，降低损耗成本。降低损耗成本。降低损耗成本。

【技术实现步骤摘要】
一种等离子体电荷整体加热装置


[0001]本技术涉及半导体晶圆制造加工设备领域，特指一种等离子体电荷整体加热装置。

技术介绍

[0002]在半导体干法刻蚀工艺里，常采用给真空反应腔室通反应气体(O2、H2/N2或CF4等其他气体)，通过RF射频电源使气体启辉产生等离子体，然后控制等离子体去刻蚀掉晶圆上需要去掉的结构。
[0003]目前在蚀刻反应中，晶圆通常置于加热盘上，通过加热盘快速的将放置其上的晶圆加热到250℃或者其他想要的制程温度；但现有的加热盘中加热棒与盘体采用分体式制造，由于加热棒与盘体安装后存在间隙，导致加热不均匀，从而影响晶圆加工质量。

技术实现思路

[0004]本技术目的是为了克服现有技术的不足而提供一种等离子体电荷整体加热装置。
[0005]为达到上述目的，本技术采用的技术方案是：一种等离子体电荷整体加热装置，包含盘体、加热棒和盖板；
[0006]所述加热棒设置在盘体内，且与盘体一体铸造成型，并且两端分别伸出盘体底部；
[0007]所述盖板设置在盘体的顶部，且与盘体固定连接。
[0008]优选的，所述盘体上设置有多个圆周均匀分布且竖直浮动放置的顶针；所述顶针的上下两端分别可伸出盖板和盘体底部，且与加热棒错开放置。
[0009]优选的，所述盘体的底部设置有多个圆周均匀分布的安装座；所述安装座内设置有竖直放置的滑槽；所述顶针呈十字结构，包括竖直放置的针体部、与针体垂直连接且位于滑槽内的限位部。
[0010]优选的，所述盘体底部设置有环形定位槽；所述环形定位槽与盘体同轴放置。
[0011]优选的，所述盘体的顶部设置有定位凹槽；所述盖板的底部设置有位于定位凹槽内的定位凸块。
[0012]优选的，所述盖板通过多颗螺栓与盘体固定连接，且多颗所述螺栓靠近盖板的边缘，且呈圆周均匀分布。
[0013]由于上述技术方案的运用，本技术与现有技术相比具有下列优点：
[0014]本技术通过将加热棒与盘体一体铸造成型，不仅能有效避免加热棒与盘体之间产生间隙，使得加热更加均匀，提高晶圆加工质量，且避免加工精度带来的装配困难，有效提升产品加热稳定性，降低损耗成本。
附图说明
[0015]下面结合附图对本技术技术方案作进一步说明：
[0016]附图1为本技术所述的等离子体电荷整体加热装置的结构示意图；
[0017]附图2为本技术所述的等离子体电荷整体加热装置的剖视图；
[0018]附图3为本技术所述的等离子体电荷整体加热装置的仰视图；
[0019]附图4为图3中A
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A处剖视图；
[0020]附图5为图3中B
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B处剖视图。
[0021]其中：1、盘体；11、环形定位槽；2、盖板；21、定位凸块；3、加热棒；4、顶针；41、针体部；42、限位部；5、安装座；51、滑槽；6、螺栓。
具体实施方式
[0022]下面结合附图及具体实施例对本技术作进一步的详细说明。
[0023]附图1
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5为本技术所述的等离子体电荷整体加热装置，包含盘体1、盖板2和加热棒3；所述盖板2设置在盘体1的顶部，且与盘体1固定连接；所述加热棒3设置在盘体1内，且与盘体1一体铸造成型，并且两端分别伸出盘体1底部；本技术通过将加热棒3与盘体1一体铸造成型，不仅能有效避免加热棒3与盘体1之间产生间隙，使得加热更加均匀，提高晶圆加工质量，且避免加工精度带来的装配困难，有效提升产品加热稳定性，降低损耗成本。
[0024]进一步，所述盘体1上设置有三个圆周均匀分布且竖直浮动放置的顶针4；所述顶针4的上下两端分别可伸出盖板2和盘体1底部，且与加热棒3错开放置；等蚀刻反应完成后：通过干法蚀刻机上的顶升机构顶起顶针4，通过顶针4将盖板2上的晶圆顶起，便于干法蚀刻机上的真空机械手上下料，实现自动化，提高工作效率。
[0025]进一步，所述盘体1的底部设置有多个圆周均匀分布的安装座5；所述安装座5内设置有竖直放置的滑槽51；所述顶针4呈十字结构，包括竖直放置的针体部41、与针体垂直连接且位于滑槽51内的限位部42；蚀刻反应时：顶针4不会被顶起，晶圆位于盖板2上进行加热；等蚀刻反应完成后：通过干法蚀刻机上的顶升机构顶起顶针4，通过顶针4将盖板2上的晶圆顶起，此时限位部42起到限位作用。
[0026]进一步，所述盘体1底部设置有环形定位槽11；所述环形定位槽11与盘体1同轴放置；本技术通过在盘体1底部设置环形定位槽11，能进行定位，提高安装精度。
[0027]进一步，所述盘体1的顶部设置有定位凹槽；所述盖板2的底部设置有位于定位凹槽内的定位凸块21；本技术通过定位凹槽和定位凸块21配合，能起到定位作用，从而提高安装精度。
[0028]进一步，所述盖板2通过多颗螺栓6与盘体1固定连接，且多颗所述螺栓6靠近盖板2的边缘，且呈圆周均匀分布，使得连接更加牢固。
[0029]以上仅是本技术的具体应用范例，对本技术的保护范围不构成任何限制。凡采用等同变换或者等效替换而形成的技术方案，均落在本技术权利保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体电荷整体加热装置，其特征在于：包含盘体、加热棒和盖板；所述加热棒设置在盘体内，且与盘体一体铸造成型，并且两端分别伸出盘体底部；所述盖板设置在盘体的顶部，且与盘体固定连接。2.根据权利要求1所述的等离子体电荷整体加热装置，其特征在于：所述盘体上设置有多个圆周均匀分布且竖直浮动放置的顶针；所述顶针的上下两端分别可伸出盖板和盘体底部，且与加热棒错开放置。3.根据权利要求2所述的等离子体电荷整体加热装置，其特征在于：所述盘体的底部设置有多个圆周均匀分布的安装座；所述安装座内设置有竖直放置的滑槽；所述顶针呈十字...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩立民，
申请(专利权)人：苏州子山半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：