【技术实现步骤摘要】
一种分体盘绕式晶圆加热装置
[0001]本技术涉及晶圆加热装置领域,特指一种分体盘绕式晶圆加热装置。
技术介绍
[0002]干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀的技术。当气体以等离子体形式存在时,它具备两个特点:一方面等离子体中的这些气体化学活性比常态下时要强很多,根据被刻蚀材料的不同,选择合适的气体,就可以更快地与材料进行反应,实现刻蚀去除的目的;另一方面,还可以利用电场对等离子体进行引导和加速,使其具备一定能量,当其轰击被刻蚀物的表面时,会将被刻蚀物材料的原子击出,从而达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。因此,干法刻蚀是晶圆片表面物理和化学两种过程平衡的结果。
[0003]目前的干法蚀刻设备中,加热装置的结构限制了加热能力,导致加热盘表层温度分布不均匀,晶圆表面温差过大,影响蚀刻的均匀性和精度,如图1中的现有技术其加热棒呈M形状放置,没有达到更好的均匀程度导致加热进行不理想。
技术实现思路
[0004]本技术目的是为了克服现有技术的不足而提供一种分体盘绕式晶圆加热装置。
[0005]为达到上述目的,本技术采用的技术方案是:一种分体盘绕式晶圆加热装置,包含盘体;所述盘体上设置有U形槽;所述U形槽内设置有加热棒;所述加热棒呈螺旋弯曲形设置;所述盘体上连接有用于盖住加热棒的盖板;所述盘体顶面中部设有圆孔;所述加热棒两端并排从圆孔中伸出。
[0006]优选的,所述盖板用于接触晶圆的一面为纹形面。
[0007]优选的,所述盖板带有纹形面上设置有若干排气孔。
[0008] ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种分体盘绕式晶圆加热装置,其特征在于:包含盘体;所述盘体上设置有U形槽;所述U形槽内设置有加热棒;所述加热棒呈螺旋弯曲形设置;所述盘体上连接有用于盖住加热棒的盖板;所述盘体顶面中部设有圆孔;所述加热棒两端并排从圆孔中伸出。2.根据权利要求1所述的分体盘绕式晶圆加热装置,其特征在于:所述盖板用于接触晶圆的一面为纹形面。3.根据权利要求1所述的分...
【专利技术属性】
技术研发人员:张冲霄,
申请(专利权)人:苏州子山半导体科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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