本实用新型专利技术涉及一种干蚀刻装置，包括蚀刻室和设置在蚀刻室顶部的天线室，蚀刻室内设有反应腔，天线室内设置有天线和气管组，气管组通过喷嘴向反应腔内输送蚀刻气体，气管组包括第一输气管和第二输气管，天线室内设置有固定座，第一输气管和第二输气管通过固定座固定在天线室内，第一输气管和第二输气管间隔设置，且第一输气管与第二输气管通过绝缘的管夹隔开。通过设置固定座和管夹，可避免干蚀刻装置在运行时输气管与其他零部件发生相碰或两根输气管之间发生相碰，进而避免发生电弧放电，保证该干蚀刻装置的正常运行。保证该干蚀刻装置的正常运行。保证该干蚀刻装置的正常运行。
【技术实现步骤摘要】
干蚀刻装置
[0001]本技术涉及显示面板制造
，尤其涉及一种干蚀刻装置。
技术介绍
[0002]在OLED显示器的制造工艺中，通常会使用到干蚀刻装置对玻璃基板进行干蚀刻处理。干蚀刻是将特定气体置于低压状态下施加电压，将其激发成电浆(等离子体)，对玻璃基板上的膜层进行化学性蚀刻或离子轰击，以实现去除部分膜层并形成图案层的一种蚀刻方式。现有的一种干蚀刻装置，主要包括用于对玻璃基板进行蚀刻处理的蚀刻室，蚀刻室内具有容纳玻璃基板的反应腔，并向反应腔内输入蚀刻气体，蚀刻室的顶部为天线室，天线室内配置有高频天线，通过高频天线在反应腔内形成感应电场，感应电场将蚀刻气体等离子化，最终由蚀刻气体产生的等离子体对玻璃基板进行蚀刻处理。用于输送蚀刻气体的输气管道有两根，两根输气管道并排布置在天线室内，其中一根用于输送稀有气体(例如Ar、Xe、Kr)，另一根用于输送氟碳气体(例如CF4、C2F6、C4F8)。现有技术存在以下不足：由于两根输气管道间隔较近，在干蚀刻装置运行时，两根输气管道受到外力而发生窜动，在高压电场下当两根输气管道相接触时会发生电弧放电、烧穿，进而造成设备损坏。
技术实现思路
[0003]本技术的目的在于提出一种干蚀刻装置，其可避免气管组受到外力时窜动而发生电弧放电。
[0004]为达此目的，本技术采用以下技术方案：
[0005]提供的一种干蚀刻装置，包括蚀刻室和设置在所述蚀刻室顶部的天线室，所述蚀刻室内设有反应腔，所述天线室内设置有天线和气管组，所述气管组通过喷嘴向所述反应腔内输送蚀刻气体，所述气管组包括第一输气管和第二输气管，所述天线室内设置有固定座，所述第一输气管和所述第二输气管通过所述固定座固定在所述天线室内，所述第一输气管和所述第二输气管间隔设置，且所述第一输气管与所述第二输气管通过绝缘的管夹隔开。
[0006]作为干蚀刻装置的一种优选方案，所述固定座为多个，多个所述固定座沿所述气管组的长度方向间隔分布；和/或，
[0007]所述管夹为多个，多个所述管夹沿所述气管组的长度方向间隔分布。
[0008]作为干蚀刻装置的一种优选方案，沿所述气管组的长度方向，相邻两个所述固定座之间的间距小于1m，相邻两个所述管夹之间的间距小于0.5m。
[0009]作为干蚀刻装置的一种优选方案，所述天线室包括第二壳体和盖板，所述第二壳体具有容纳槽，所述容纳槽的槽口朝向所述蚀刻室，所述盖板封堵所述容纳槽的槽口，所述固定座通过紧固件与所述第二壳体连接，所述固定座设置有用于容纳所述气管组的安装槽，所述第一输气管和所述第二输气管卡紧在所述安装槽内。
[0010]作为干蚀刻装置的一种优选方案，所述第一输气管和所述第二输气管沿水平方向
间隔设置于所述安装槽内。
[0011]作为干蚀刻装置的一种优选方案，沿所述容纳槽的宽度方向，所述固定座相对的两个侧面分别为第一侧面和第二侧面，所述紧固件穿设于所述安装槽与所述第一侧面或所述第二侧面之间，且所述紧固件与距离较近的所述第一侧面或所述第二侧面的间距小于所述紧固件与所述安装槽的间距。
[0012]作为干蚀刻装置的一种优选方案，所述第二壳体内设置有隔离罩，所述天线嵌设于所述隔离罩内，所述固定座与所述隔离罩连接。
[0013]作为干蚀刻装置的一种优选方案，所述管夹上间隔开设有两个通孔，所述第一输气管和所述第二输气管分别穿设于两个所述通孔内。
[0014]作为干蚀刻装置的一种优选方案，所述管夹包括两个夹板，两个所述夹板通过紧固件连接，所述第一输气管和所述第二输气管夹设在两个所述夹板之间，两个所述夹板相对的侧面为第三侧面，所述第三侧面上设置有两个分别用于容纳所述第一输气管和所述第二输气管的凹槽。
[0015]作为干蚀刻装置的一种优选方案，所述固定座和所述管夹均由树脂制成。
[0016]本技术相比于现有技术的有益效果：
[0017]本技术的干蚀刻装置，通过设置固定座和管夹，两根输气管间隔安装在固定座上，且两个输气管通过固定座安装在天线室内，避免在运行时因受到外力而使两根输气管相碰而发生电弧放电、烧穿。同时，利用管夹将两个输气管隔开，进一步起到避免两根输气管相碰的作用。该结构可避免干蚀刻装置在运行时输气管与其他零部件发生相碰或两根输气管之间发生相碰，进而避免发生电弧放电、烧穿，保证该干蚀刻装置的正常运行。
附图说明
[0018]图1为本技术实施例的干蚀刻装置的示意图。
[0019]图2为本技术实施例的天线室的示意图(盖板未示出)。
[0020]图3为本技术实施例的固定座的剖视图。
[0021]图4为本技术实施例的管夹的剖视图。
[0022]图5为本技术实施例的固定座和隔离罩的剖视图。
[0023]图中：
[0024]1、蚀刻室；10、反应腔；11、第一壳体；12、下电极；13、排气口；2、天线室；20、容纳槽；21、第一输气管；22、第二输气管；23、第二壳体；231、隔离罩；232、安装板；24、盖板；25、喷嘴；26、固定座；261、螺钉；262、安装槽；263、第一侧面；264、第二侧面；27、管夹；271、夹板；272、凹槽；28、天线；3、玻璃基板；4、第一气源；5、第二气源。
具体实施方式
[0025]参考下面结合附图详细描述的实施例，本技术的优点和特征以及实现它们的方法将变得显而易见。然而，本技术不限于以下公开的实施例，而是可以以各种不同的形式来实现，提供本实施例仅仅是为了完成本技术的公开并且使本领域技术人员充分地了解本技术的范围，并且本技术仅由权利要求的范围限定。相同的附图标记在整个说明书中表示相同的构成要素。
[0026]以下，参照附图来详细描述本技术。
[0027]如图1和图2所示，提供一种干蚀刻装置，用于对玻璃基板3进行蚀刻处理。干蚀刻装置包括蚀刻室1、天线室2、第一气源4和第二气源5。蚀刻室1内设置有反应腔10，反应腔10的底部设置有下电极12，玻璃基板3放置在下电极12上。天线室2设置在蚀刻室1的顶部，且天线室2与下电极12正对。天线室2内设置有天线28和气管组，气管组包括第一输气管21和第二输气管22，第一输气管21的两端分别与第一气源4和喷嘴25连接，第二输气管22的两端分别与第二气源5和喷嘴25连接，喷嘴25的出气端与反应腔10连通，以使第一气源4通过第一输气管21向反应腔10内输入氟碳气体，例如CF4、C2F6、C4F8等气体，第二气源5通过第二输气管22向反应腔10内输入稀有气体，例如Ar、Xe、Kr等气体。本实施例中，用于进行蚀刻处理的蚀刻气体是在氟碳气体中混合至少一种稀有气体。天线28与高频电源连接，通过天线28被施加高频电压而在反应腔10内形成感应电场，感应电场将蚀刻气体等离子化，最后由蚀刻气体产生的等离子体对玻璃基板3进行蚀刻处理。下电极12上设置有偏压电极，通过偏压电极诱导等离子体对玻璃基板3进行等离子轰本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种干蚀刻装置，包括蚀刻室和设置在所述蚀刻室顶部的天线室，所述蚀刻室内设有反应腔，所述天线室内设置有天线和气管组，所述气管组通过喷嘴向所述反应腔内输送蚀刻气体，其特征在于，所述气管组包括第一输气管和第二输气管，所述天线室内设置有固定座，所述第一输气管和所述第二输气管通过所述固定座固定在所述天线室内，所述第一输气管和所述第二输气管间隔设置，且所述第一输气管与所述第二输气管通过绝缘的管夹隔开。2.根据权利要求1所述的干蚀刻装置，其特征在于，所述固定座为多个，多个所述固定座沿所述气管组的长度方向间隔分布；和/或，所述管夹为多个，多个所述管夹沿所述气管组的长度方向间隔分布。3.根据权利要求2所述的干蚀刻装置，其特征在于，沿所述气管组的长度方向，相邻两个所述固定座之间的间距小于1m，相邻两个所述管夹之间的间距小于0.5m。4.根据权利要求1所述的干蚀刻装置，其特征在于，所述天线室包括第二壳体和盖板，所述第二壳体具有容纳槽，所述容纳槽的槽口朝向所述蚀刻室，所述盖板封堵所述容纳槽的槽口，所述固定座通过紧固件与所述第二壳体连接，所述固定座设置有用于容纳所述气管组的安装槽，所述第一输气管和所述第二输气管卡紧在所述安装槽内。5.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：周婷婷，
申请(专利权)人：乐金显示光电科技中国有限公司，
类型：新型
国别省市：
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