半导体工艺设备制造技术

本申请公开一种半导体工艺设备，其包括：工艺腔室；基座，设置于所述工艺腔室内，所述基座用于承载晶片，且所述基座为非导磁结构件；磁悬浮装置，被配置为向所述基座施加悬浮力，以使所述基座与所述工艺腔室间隔布置；加热装置，设置于所述工艺腔室内，所述加热装置用于加热所述基座。上述方案能够解决基座的承载面存在的温度差异性较大的问题。存在的温度差异性较大的问题。存在的温度差异性较大的问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺设备


[0001]本申请涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体工艺设备。

技术介绍

[0002]在相关的晶片(wafer)加工工艺中，半导体工艺设备通过等离子体对晶片进行工艺处理(例如沉积、刻蚀等)，在具体处理时，晶片需要被放置于基座上，基座自身具备加热丝或加热板，由基座实现对晶片进行加热。
[0003]现有基座分为固定式基座和升降式基座，其中，如图1所示，图1示出了现有技术中采用固定式基座的半导体工艺设备的局部结构示意图，基座20通过螺钉与工艺腔室10固定连接；如图2所示，图2示出了现有技术中采用升降式基座的半导体工艺设备的局部结构示意图，基座20需要通过波纹管30与工艺腔室10连接，波纹管30能够实现基座20与工艺腔室10之间的密封配合。
[0004]请参见图3，图3示出了现有技术中的基座的温度梯度示意图。无论是固定式还是升降式基座，基座20均是与工艺腔室10直接或间接相连，当进行工艺处理时基座20被加热至较高温度后，由于工艺腔室10的外壁温度较低，基座会向工艺腔室10传递热量而在其内部会形成温度梯度，这样就导致基座20的承载面温度存在较大的差异性，进而造成晶片的工艺处理质量变差。

技术实现思路

[0005]本申请公开一种半导体工艺设备，以解决基座的承载面存在的温度差异性较大的问题。
[0006]为了解决上述问题，本申请采用下述技术方案：
[0007]本申请提供一种半导体工艺设备，其包括：
[0008]工艺腔室；
[0009]基座，设置于所述工艺腔室内，所述基座用于承载晶片，且所述基座为非导磁结构件；
[0010]磁悬浮装置，被配置为向所述基座施加悬浮力，以使所述基座与所述工艺腔室间隔布置；
[0011]加热装置，设置于所述工艺腔室内，所述加热装置用于加热所述基座。
[0012]本申请采用的技术方案能够达到以下有益效果：
[0013]在本申请公开的半导体工艺设备中，通过磁悬浮装置向基座施加悬浮力，以使得基座与工艺腔室间隔布置，如此情况下，基座与工艺腔室之间不存在直接或间接的连接关系，即便基座被加热至较高的温度，其也不会向工艺腔室传递热量，这样避免了在基座内部形成温度梯度，进而优化基座承载面的温度均匀性。
[0014]相较于现有技术，本申请公开的半导体工艺设备在进行工艺处理时，其基座承载面的温度无疑不会存在较大的差异性，这样就能够确保处理后的晶片具有较好的工艺处理
质量。
附图说明
[0015]此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
[0016]图1为现有技术公开的采用固定式基座的半导体工艺设备的局部结构示意图；
[0017]图2为现有技术公开的采用升降式基座的半导体工艺设备的局部结构示意图；
[0018]图3为现有技术公开的基座的温度梯度示意图；
[0019]图4为本申请实施例公开的半导体工艺设备的结构示意图；
[0020]图5为本申请实施例公开的基座的温度梯度示意图；
[0021]图6为本申请实施例公开的第一磁悬浮组件的结构示意图；
[0022]图7为本申请实施例公开的一种发光件的排布示意图；
[0023]图8为本申请实施例公开的另一种发光件的排布示意图。
[0024]附图标记说明：
[0025]10
‑
工艺腔室、20
‑
基座、30
‑
波纹管、
[0026]100
‑
工艺腔室、110
‑
反应腔室、120
‑
悬浮腔室、121
‑
环形侧壁、122
‑
底座、122a
‑
转接抱块、130
‑
柔性管状连接件、
[0027]200
‑
基座、210
‑
载台、211
‑
承载面、212
‑
传热面、220
‑
支撑部、
[0028]300
‑
磁悬浮装置、310
‑
第一磁悬浮组件、311
‑
第一磁体、312
‑
第二磁体、320
‑
第二磁悬浮组件、321
‑
第三磁体、322
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第四磁体、
[0029]400
‑
加热装置、410
‑
发光件、420
‑
反射件、421
‑
避让孔、430
‑
支架、
[0030]500
‑
射频装置、510
‑
射频馈入部、511
‑
射频馈线、520
‑
第一绝缘部、530
‑
第二绝缘部。
具体实施方式
[0031]为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请具体实施例及相应的附图对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0032]以下结合附图，详细说明本申请各个实施例公开的技术方案。
[0033]为了解决现有技术中基座的承载面存在的温度差异性较大的问题，本申请实施例的提供了一种半导体工艺设备。在本申请实施例中，该半导体工艺设备的类型可以有多种，举例来说，其可以为物理气相沉积(即PVD)设备、刻蚀设备、光刻设备等。
[0034]如图4～图8所示，本申请实施例的半导体工艺设备包括工艺腔室100、基座200、磁悬浮装置300和加热装置400。
[0035]其中，工艺腔室100是该半导体工艺设备的基础构件，其能够作为其他构件的安装基础，其还能够起到一定的保护作用。工艺腔室100内部具有工艺空间，工艺空间能够为晶片的工艺处理提供特定的工艺环境。以该半导体工艺设备为物理气相沉积设备为例，工艺腔室100内能够构建真空、较高温度的工艺环境。
[0036]基座200设置于工艺腔室100内，其用于承载晶片；具体地，基座200具有承载面211，承载面211用于承载晶片。为了确保晶片能够可靠地安置在基座200上，基座200可以被配置为具备固定功能，这样就能够避免晶片在工艺处理过程中异常移位。
[0037]加热装置400设置于工艺腔室100内，加热装置400用于加热基座200。在加热装置400的加热作用下，基座200能够达到特定的工艺温度，以使得安置于基座200上的晶片能够在相应的工艺温度下进行工艺处理。
[0038]磁悬浮装置300被配置为向基座200施加悬浮力，以使基座200与工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：工艺腔室；基座，设置于所述工艺腔室内，所述基座用于承载晶片，且所述基座为非导磁结构件；磁悬浮装置，被配置为向所述基座施加悬浮力，以使所述基座与所述工艺腔室间隔布置；加热装置，设置于所述工艺腔室内，所述加热装置用于加热所述基座。2.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述基座包括载台和支撑部，所述载台用于承载所述晶片，所述支撑部用于支撑所述载台；所述工艺腔室包括连通的反应腔室和悬浮腔室，所述载台位于所述反应腔室内，所述支撑部由所述反应腔室延伸至所述悬浮腔室内，所述磁悬浮装置被配置为向所述支撑部施加悬浮力，所述加热装置用于加热所述载台。3.根据权利要求2所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述磁悬浮装置包括：第一磁悬浮组件，用于沿所述支撑部的周向对所述基座施加悬浮力；第二磁悬浮组件，用于在所述支撑部的底部对所述基座施加悬浮力。4.根据权利要求3所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述第一磁悬浮组件包括数量相同的多个第一磁体和多个第二磁体，全部所述第一磁体设置于所述支撑部上且沿所述支撑部的周向布置，全部所述第二磁体设置于所述悬浮腔室内且沿所述基座的周向布置，所述第一磁体与所述第二磁体一一对应，且对应的所述第一磁体和所述第二磁体的相对侧磁极相异。5.根据权利要求4所述的半导体工艺设备，其特征在于，相邻的两个所述第一磁体朝向所述第二磁体的磁极相异，相邻的两个所述第二磁体朝向所述第一磁体的磁极相异。6.根据权利要求3所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述第二磁悬浮组件包括第三磁体和第四磁体，所述第三磁体设置于所述支撑部的底部，所述第四磁体设置于所述悬浮腔室内，且所述第四磁体与所述第三磁体相对设置，所述第三磁体与所述第四磁体的相对侧磁极相同。7.根据权利要求3所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述第一磁悬浮组件为多个，全部所述第一磁悬浮组件沿所述基座的高度方向排布。8.根据权利要求3所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述悬浮腔室包括环形侧壁和底座，所述环形侧壁可环绕套设于所述支撑部...

【专利技术属性】
技术研发人员：史全宇，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：