半导体工艺设备制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体工艺设备，包括：工艺腔室，工艺腔室上方设有进气通路；固定介质窗，设置于工艺腔室顶部，外缘与工艺腔室的腔室壁密封连接，固定介质窗上设有沿竖直方向贯穿固定介质窗并连通进气通路与工艺腔室内部的进气孔；射频线圈，设置于固定介质窗上方，环绕工艺腔室的进气通路设置；线圈驱动机构，设置于线圈的上方，用于驱动射频线圈沿竖直方向升降运动；多个可移动介质窗，在竖直方向位于固定介质窗与线圈之间，且能够在固定介质窗的顶面所在平面水平移动；水平驱动机构，与可移动介质窗连接，用于驱动多个可移动介质窗沿水平方向同步向靠近固定介质窗的方向运动或同步向远离固定介质窗的方向运动。提高等离子体的均匀性。体的均匀性。体的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺设备


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，更具体地，涉及一种半导体工艺设备。

技术介绍

[0002]等离子体技术在现代半导体加工领域具有重要应用，如等离子体刻蚀、磁控溅射、等离子体增强化学气相沉积等。以等离子体刻蚀举例，通过等离子体刻蚀制造微结构被广泛应用于微机电系统(MEMS)、微流体器件和先进封装等领域，是工业生产中非常重要的一种工艺过程。例如，PSS(Patterned Sapphire Substrates)即图形化蓝宝石衬底技术，是目前普遍采用的一种提高GaN基LED器件出光效率的方法，也就是在蓝宝石衬底上生长干法刻蚀用掩膜，用标准的光刻工艺将掩膜刻出图形，利用ICP刻蚀技术刻蚀蓝宝石，并去掉掩膜，再在其上生长GaN材料，使GaN材料的纵向外延变为横向外延。该方法可以有效减少GaN外延材料的位错密度，从而减小了有源区的非辐射复合，减小了反向漏电流，提高了LED的寿命。有源区发出的光，经由GaN和蓝宝石衬底界面多次散射，改变了全反射光的出射角，从而提高了光的提取效率。综合这两方面的原因，市场上很多生产厂家采用PSS工本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：工艺腔室，所述工艺腔室上方设有进气通路；固定介质窗，所述固定介质窗设置于所述工艺腔室顶部，所述固定介质窗的外缘与所述工艺腔室的腔室壁密封连接，所述固定介质窗上设有沿竖直方向贯穿所述固定介质窗并连通所述进气通路与所述工艺腔室内部的进气孔；射频线圈，所述射频线圈设置于所述固定介质窗上方，所述射频线圈环绕所述工艺腔室的进气通路设置；多个可移动介质窗，所述可移动介质窗在竖直方向位于所述固定介质窗与所述线圈之间，多个所述可移动介质窗沿周向环绕设置于所述固定介质窗上方，且所述可移动介质窗能够在所述固定介质窗的顶面所在平面水平移动；水平驱动机构，所述水平驱动机构与所述可移动介质窗连接，所述水平驱动机构用于驱动多个所述可移动介质窗沿水平方向同步向靠近所述固定介质窗的方向运动或同步向远离所述固定介质窗的方向运动，以使多个所述可移动介质窗与所述固定介质窗的边缘区域在竖直方向上至少部分重叠或完全不重叠。2.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，还包括壳体，所述壳体的顶部设有第一安装部，所述壳体的底部通过水平设置的第二安装部与所述工艺腔室的腔室壁连接；所述第一安装部用于安装所述射频线圈，所述第二安装部的顶面与所述固定介质窗的顶面齐平，所述可移动介质窗和所述水平驱动机构设置于所述第二安装部上。3.根据权利要求2所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述水平驱动机构包括多个水平驱动件，所述水平驱动件设置于所述第二安装部上，每个所述水平驱动件通过第一连接件与一个所述可移动介质窗连接，所述水平驱动件驱动所述第一连接件在水平方向往复运动。4.根据权利要求1
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3中任一项所述的半导体工艺设备，其特征在于，多个所述可移动介质窗的面积之和小于所述固定介质窗的面积；所述可移动介质窗与...

【专利技术属性】
技术研发人员：张君，林源为，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：