半导体腔室及半导体工艺设备制造技术

本发明专利技术公开一种半导体腔室及半导体工艺设备，半导体腔室包括第一腔室本体、隔离阀门、控温组件、第一承载部和第二承载部；隔离阀门设置于第一腔室本体内，隔离阀门分隔第一腔室本体的内腔形成至少两个工艺腔，第一腔室本体开设有晶片传输口，晶片传输口与至少两个工艺腔中的一个工艺腔相连通；每个工艺腔中均设置有控温组件，相邻的两个工艺腔内的两个控温组件的控温效果不相同；第一承载部和第二承载部分别位于相邻的两个工艺腔内，在相邻的两个工艺腔之间的隔离阀门开启的情况下，第一承载部能够运动至第二承载部所在的工艺腔内，晶片能够在第一承载部和第二承载部之间转载。上述方案能够解决半导体工艺设备产能不足的问题。案能够解决半导体工艺设备产能不足的问题。案能够解决半导体工艺设备产能不足的问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体腔室及半导体工艺设备


[0001]本专利技术涉及半导体芯片制造
，尤其涉及一种半导体腔室及半导体工艺设备。

技术介绍

[0002]相关技术中，半导体工艺设备内设置有加热腔室、冷却腔室、CVD(Chemical Vapor Deposition，气相沉积)腔室等工艺腔室。
[0003]半导体工艺设备在加工晶片的过程中，晶片在CVD腔室内加工完成后，需要传输至加热腔室内进行加热处理。当加热完成后再传输至冷却腔室内冷却，从而对晶片进行退火工艺。当加热腔室或冷却腔室内无正在加工的晶片时，可将晶片传入至加热腔室或者冷却腔室内。当加热腔室或冷却腔室内正在加工晶片时，上一工序的晶片需要等待下一工序的工艺腔室内的晶片加工完成传出后才能进行传输。由于工艺腔室的功能单一，每一个工艺腔室只能够实现一种工艺类型，因此造成整个晶片的加工工艺时间被拉长，严重影响半导体工艺设备的产能。
[0004]相关技术中，半导体工艺设备中传输腔能连通的工艺腔室的数量已经确定，因此工艺腔室的总数在保持不变的情况下，增加一种或者几种工艺腔室的数量势必会造成另外一种或几种工艺腔室的数量减少。因此通过增加一种或几种工艺腔室的数量不能够解决半导体工艺设备产能不足的问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术公开一种半导体腔室及半导体工艺设备，以解决半导体工艺设备产能不足的问题。
[0006]为了解决上述问题，本专利技术采用下述技术方案：
[0007]一种半导体腔室，包括：
[0008]第一腔室本体和隔离阀门，所述隔离阀门设置于所述第一腔室本体内，所述隔离阀门分隔所述第一腔室本体的内腔形成至少两个工艺腔，所述第一腔室本体开设有晶片传输口，所述晶片传输口与所述至少两个工艺腔中的一个所述工艺腔相连通；
[0009]控温组件，每个所述工艺腔中均设置有所述控温组件，相邻的两个所述工艺腔内的两个所述控温组件的控温效果不相同；
[0010]第一承载部和第二承载部，所述第一承载部和所述第二承载部分别位于相邻的两个所述工艺腔内，在相邻的两个所述工艺腔之间的所述隔离阀门开启的情况下，所述第一承载部能够运动至所述第二承载部所在的所述工艺腔内，所述晶片能够在所述第一承载部和所述第二承载部之间转载。
[0011]一种半导体工艺设备，包括第一工艺腔室和第二工艺腔室，所述第二工艺腔室为上述的半导体腔室，所述第一工艺腔室和所述第二工艺腔室的数量均为多个，所述多个第一工艺腔室和所述多个第二工艺腔室间隔分布，每个所述第一工艺腔室的晶圆可传输至空
闲的所述第二工艺腔室内。
[0012]本专利技术采用的技术方案能够达到以下有益效果：
[0013]本专利技术公开的半导体腔室中，第一腔室本体的内腔通过隔离阀门分隔出至少两个工艺腔，每个工艺腔中均设置有控温组件，相邻的两个工艺腔内的控温组件的控温效果不同，也就是说，一个半导体腔室能够兼容至少两种控温效果不同的工艺腔，例如分别实现加热或者冷却。也即，一个半导体腔室能够兼容进行至少两种不同的工艺，因此半导体工艺设备在不改变工艺腔室的总数的情况下，增加了进行不同工艺的工艺腔的数量，进而提高半导体工艺设备的产能。
附图说明
[0014]此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本专利技术的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：
[0015]图1为半导体工艺设备的结构示意图；
[0016]图2为本专利技术实施例公开的半导体腔室的结构示意图；
[0017]图3为本专利技术实施例公开的半导体腔室的俯视图；
[0018]图4为本专利技术实施例公开的半导体腔室的第二承载部的伸缩部收缩时的结构示意图；
[0019]图5为本专利技术实施例公开的半导体腔室的第二承载部的伸缩部伸长时的结构示意图。
[0020]附图标记说明：
[0021]110
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第一腔室本体、111
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工艺腔、112
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腔体部、1121
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通孔、1122
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装配间隙、120
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第二腔室本体、
[0022]200
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隔离阀门、
[0023]300
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控温组件、
[0024]410
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第一承载部、420
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第二承载部、421
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固定部、422
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伸缩部、
[0025]510
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第一抽气管路、511
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第一阀门、520
‑
第二抽气管路、521
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第二阀门、
[0026]610
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工艺气体管路、620
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管路阀门、
[0027]700
‑
晶片。
具体实施方式
[0028]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术具体实施例及相应的附图对本专利技术技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0029]以下结合附图，详细说明本专利技术各个实施例公开的技术方案。
[0030]相关技术中，以CVD工艺为例，半导体工艺设备包括CVD腔室、加热腔室和冷却腔室。如图1所示，1号腔室为加热腔室，2号腔室为冷却腔室，3号至6号腔室为CVD腔室。
[0031]具体工艺过程中，3号至6号腔室加工后的晶片需要先传输至1号腔室内加热，再传输至2号腔室冷却，从而对晶片进行退火工艺，以改善晶片的性能。
[0032]例如，当3号腔室的晶片传输至1号腔室内加工时，4号腔室和6号腔室的晶片需等待1号腔室空闲时，再依次传输至1号腔室内。这就造成整个晶片的加工工艺时间被拉长，严重影响半导体工艺设备的产能。
[0033]然后，由于半导体工艺设备的腔室的数量以确定，当增加加热腔室和冷却腔室的数量时，CVD腔室的数量就减少，因此此种增加腔室数量的方式不能够解决半导体工艺设备产能不足的问题。
[0034]如图2～图5所示，本专利技术实施例公开一种半导体腔室，所公开的半导体腔室包括第一腔室本体110、隔离阀门200、控温组件300、第一承载部410和第二承载部420。
[0035]隔离阀门200设置于第一腔室本体110内，隔离阀门200分隔第一腔室本体110的内腔形成至少两个工艺腔111。具体地，至少两个工艺腔111沿第一腔室本体110的高度方向间隔分布。第一腔室本体110开设有晶片传输口，晶片传输口与至少两个工艺腔111中的一个工艺腔111相连通。
[0036]可选地，为进一步避免两个工艺腔111之间温度的干扰，隔离阀门200材质的选择以导热性能差为优选，如，可以选用光滑的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体腔室，其特征在于，包括：第一腔室本体(110)和隔离阀门(200)，所述隔离阀门(200)设置于所述第一腔室本体(110)内，所述隔离阀门(200)分隔所述第一腔室本体(110)的内腔形成至少两个工艺腔(111)，所述第一腔室本体(110)开设有晶片传输口，所述晶片传输口与所述至少两个工艺腔(111)中的一个所述工艺腔(111)相连通；控温组件(300)，每个所述工艺腔(111)中均设置有所述控温组件(300)，相邻的两个所述工艺腔(111)内的两个所述控温组件(300)的控温效果不相同；第一承载部(410)和第二承载部(420)，所述第一承载部(410)和所述第二承载部(420)分别位于相邻的两个所述工艺腔(111)内，在相邻的两个所述工艺腔(111)之间的所述隔离阀门(200)开启的情况下，所述第一承载部(410)能够运动至所述第二承载部(420)所在的所述工艺腔(111)内，所述晶片(700)能够在所述第一承载部(410)和所述第二承载部(420)之间转载。2.根据权利要求1所述的半导体腔室，其特征在于，所述半导体腔室还包括至少两个第一抽气管路(510)，所述第一抽气管路(510)与一个所述工艺腔(111)相连通，所述第一抽气管路(510)用于将所述工艺腔(111)与真空控制器相连通，所述第一抽气管路(510)设置有第一阀门(511)，所述第一阀门(511)控制所述真空控制器与所述工艺腔(111)相连通或断开。3.根据权利要求2所述的半导体腔室，其特征在于，所述半导体腔室还包括至少两个工艺气体管路(610)，所述工艺气体管路(610)与一个所述工艺腔(111)相连通，所述工艺腔(111)通过所述工艺气体管路(610)与工艺气体源相连通，所述工艺气体管路(610)设置有管路阀门(620)，所述管路阀门(620)控制所述工艺气体源与所述工艺腔(111)相连通或断开。4.根据权利要求1所述的半导体腔室，其特征在于，所述第一腔室本体(110)包括至少两个腔体部(112)，所述腔体部(112)开设有通孔(1121)，相邻的两个所述腔体部(112)的所述通孔(1121)相对设置，相邻的两个所述腔体部(112)之间具有装配间隙(1122)，所述隔离阀门(200)位于所述装配间隙(1122)内，且位于相对的两个所述通孔(1121)之间。5.根据权利要求4所述的半导体腔室，其特征在于，所述半导体腔室还包括第二腔室本体(1...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡云龙，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：