一种SPM溶液混酸输出控制方法技术

本发明专利技术公开了一种SPM溶液混酸输出控制方法，在SPM溶液在进入酸洗槽之前，硫酸和双氧水在输送管路上按照既定体积比依次进行第一级混合和第二级混合，第一级混合后输出的混合液再进行第二级混合，第一级混合时加热，实时监测第一级混合后流出的混合液的氧浓度值，如果氧浓度值低于反应充分氧浓度值，则在第二级混合时补充添加既定体积比的硫酸和双氧水使实时监测到的第二级混合后流出的混合液的氧浓度值达到反应充分氧浓度值。本发明专利技术通过分段混合的方式实现了硫酸和双氧水的充分混合，达到了温度的精确控制、保证了混合液的充分反应，从而确保了进入酸洗槽内的混合液符合清洗要求，提高了晶圆清洗的品质和效率。提高了晶圆清洗的品质和效率。提高了晶圆清洗的品质和效率。

【技术实现步骤摘要】
一种SPM溶液混酸输出控制方法


[0001]本专利技术属于晶圆制程领域的晶圆清洗工艺，涉及一种SPM溶液混酸输出控制方法。

技术介绍

[0002]在半导体晶圆清洗工艺中，槽式清洗设备为常见的化学品清洗的专用设备，至今已因应不同的晶圆产品使用而有不同的晶圆清洗工艺的配套方案。在常见的各种清洗工艺中，如去膜、去胶工艺或是有机物清洗以及一些金属表层结构或金属残留物去除，常需要使用到以硫酸(H2SO4)与双氧水(H2O2)以及超纯水混合形成的活性的SPM
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过氧硫酸混合溶液，配比指定的相对浓度进行清洗，如SPM、或着是加入臭氧水形成的DSP+等多种类型的活性的SPM
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过氧硫酸混合溶液对晶圆片进行清洗。活性的SPM
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过氧硫酸混合溶液对各种半导体材料如硅(Si)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)与一般常见的金属以及各种分子链结构较为松散的有机物皆会产生腐蚀作用从而达成清洗、蚀刻、去除的功能，因此常用于半导体晶圆清洗工艺中。
[0003]槽式设备的SPM酸洗工艺，采取在相本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SPM溶液混酸输出控制方法，所述SPM溶液由硫酸和双氧水混合而成，其特征在于：所述SPM溶液在进入酸洗槽之前，所述硫酸和所述双氧水在输送管路上按照既定体积比依次进行第一级混合和第二级混合，所述第一级混合后输出的混合液再进行第二级混合，所述第一级混合时加热，实时监测第一级混合后流出的混合液的氧浓度值，如果氧浓度值低于反应充分氧浓度值，则在第二级混合时补充添加既定体积比的硫酸和双氧水使实时监测到的第二级混合后流出的混合液的氧浓度值达到反应充分氧浓度值。2.根据权利要求1所述的SPM溶液混酸输出控制方法，其特征在于：所述第二级混合后流出的混合液还在输送管路上进行第三级混合，如果监测到从第一级混合后流出的混合液的温度小于要求温度，则在第二级混合时继续加热，如果监测到第二级混合后流出的混合液的温度小于要求温度，则在第三级混合时继续加热。3.根据权利要求2所述的SPM溶液混酸输出控制方法，其特征在于：如果监测到第二级混合后或第三级混合后的混合液的氧浓度值小于低于反应充分氧浓度值，则继续在第二级混合时补充添加既定体积比的硫酸和双氧水。4.根据权利要求2所述的SPM溶液混酸输出控制方法，其特征在于：...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘大威，张静，卢证凯，徐铭，李盼盼，吕方毅，刘传龙，
申请(专利权)人：至微半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：