一种半导体加工设备的反应腔室制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体加工设备的反应腔室，涉及半导体技术领域，包括：反应腔体，反应腔体的顶部设置有介质窗支撑板；介质窗，与介质窗支撑板转动密封连接；驱动组件，用于驱动介质窗转动并能够调节介质窗的转速；具有由驱动组件驱动旋转的介质窗，能够通过调节介质窗的转速使得介质窗表面的下表面的附着物减少，利用介质窗旋转产生的离心作用能够使得部分附着物脱离介质窗，并且由于介质窗的旋转能够使得介质窗被刻蚀的程度在介质窗的周向均匀化，避免出现介质窗局部被刻蚀严重的情况，延长介质窗的使用寿命。延长介质窗的使用寿命。延长介质窗的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体加工设备的反应腔室


[0001]本技术属于半导体
，更具体地，涉及一种半导体加工设备的反应腔室。

技术介绍

[0002]半导体设备在工艺反应中，介质窗下表面容易出现工艺刻蚀所产生的副产物的附着，累计一定工艺循环次数后，附着物颗粒增大，会在重力作用下掉落至下方的工作件(如晶圆)表面造成颗粒污染，影响工艺结果。
[0003]因此，需要控制介质窗上的附着物的掉落，以保证工作件表面的洁净度，同时，介质窗表面随工艺反应会被刻蚀变薄，通常各区域被刻蚀程度随电场或者流场分布强弱而不同，如果设备电场偏心较明显，如电场在射频输出端局部较强，或者气流在抽气一侧分布较强，则介质窗可能局部被刻严重，从而降低使用寿命。

技术实现思路

[0004]本技术的目的是针对现有技术中存在的不足，提供一种半导体加工设备的反应腔室，解决介质窗下表面容易出现加工工艺中产生的附着物沉积的现象和介质窗容易因电场或流场分布不均而产生局部被刻蚀严重的问题。
[0005]为了实现上述目的，本技术提供一种半导体加工设备的反应腔室，包括：
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体加工设备的反应腔室，其特征在于，包括：反应腔体，所述反应腔体的顶部设置有介质窗支撑板；介质窗，与所述介质窗支撑板转动密封连接；驱动组件，用于驱动所述介质窗转动并能够调节所述介质窗的转速。2.根据权利要求1所述的半导体加工设备的反应腔室，其特征在于，当晶圆处于加工工艺时段，所述驱动组件用于驱动所述介质窗以第一转速转动，当所述晶圆处于加工工艺结束后的传输时段，所述驱动组件用于驱动所述介质窗以第二转速转动，所述第二转速大于所述第一转速。3.根据权利要求1所述的半导体加工设备的反应腔室，其特征在于，所述驱动组件包括：驱动电机，设置在所述介质窗支撑板上；传动轮，与所述驱动电机的输出轴连接；传动带，与所述传动轮和所述介质窗的外周传动连接；控制单元，与所述驱动电机电性连接，用于通过控制所述驱动电机的转速来控制所述介质窗的转速。4.根据权利要求3所述的半导体加工设备的反应腔室，其特征在于，所述传动轮的外周和所述介质窗的外周上均设置有第一传动齿，所述传动带的内周上设置有第二传动齿，所述第二传动齿与所述第一传动齿啮合传动。5.根据权利要求1所述的半导体加工设备的反应腔室，其特征在于，所述介质窗支撑板的中部镂空，所述介质窗支撑板的内周上侧设置有第一转动槽，所述介质窗的下部转动嵌设在所述第一转动槽内，所述第一转动槽与所述介质窗的所述下部之间滚动设置有多个第一滚珠，每个所述第一滚珠部分嵌设在一个第一滚珠槽内且另一部分外露于所述第一滚珠槽，所述第一滚珠槽开设在所述第一转动槽的槽壁和槽底或所述第一滚珠槽开设在所述介质窗的外壁和底壁。6.根据权利要求5所述的半导体加工设备的反应腔室，其特征在于，所述第一转动槽的所述槽底设置有第一环形槽，所述第一环形槽...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘珊珊，高瑞，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：