【技术实现步骤摘要】
晶圆切割平面检测装置及方法、晶圆切割装置及方法
[0001]本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及一种晶圆切割平面检测装置及方法、晶圆切割装置及方法。
技术介绍
[0002]在3D IC工艺中，为了实现芯片与晶圆之间的键合，需要将完整的晶圆切割成芯片，再通过键合技术将不同功能的芯片与晶圆连接，减小芯片面积，提高集成度。目前，主流的切割方法包含机械切割、激光切割和等离子体刻蚀；其中，等离子体刻蚀具有加工速度快、刻蚀后应力愈合效果好以及刻蚀深宽比高(晶圆厚度小于100μm)等优点，成为主流晶圆切割方法；但是，晶圆中有许多层材料不能采用等离子体刻蚀进行处理，例如，切割道上的金属层、低介电常数的材料以及氧化物等，但可以更容易被激光烧蚀。因此，采用等离子体刻蚀与激光切割相结合的方法切割晶圆，在对晶圆进行切割时，需要在晶圆表面涂布一层激光保护层，采用激光切割衬底上的介质层以及位于介质层中的金属层，采用等离子体刻蚀衬底。
[0003]在采用激光切割时，若激光的聚焦平面与期望的切割平面没有重合，则会导致离焦现象，离焦会导致切...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆切割平面检测装置，用于检测晶圆的切割平面，所述晶圆上覆盖有激光保护层，所述晶圆具有凹凸不平的表面，使得所述激光保护层具有凹凸不平的表面，其特征在于，所述晶圆切割平面检测装置包括：基准板，所述基准板的表面为水平的基准面；第一管路和第二管路，分别设置于所述基准板和所述晶圆的上方，所述第一管路和所述第二管路用于分别输送气体至所述基准板的表面和所述激光保护层的表面，以使得部分气体受到所述基准板和所述激光保护层的阻挡而分别返回至所述第一管路和所述第二管路中；压力传感器，用于量测所述基准面至所述第一管路的垂向距离与所述激光保护层的表面至所述第二管路的垂向距离之差导致的所述第一管路与所述第二管路中气体之间的平均压力差；数据分析单元，用于根据所述平均压力差计算获得所述基准板的基准面与所述激光保护层的表面之间的平均高度差，以及，用于采用所述基准面的高度减去所述平均高度差和所述激光保护层的平均厚度，以获得所述晶圆的切割平面。2.如权利要求1所述的晶圆切割平面检测装置，其特征在于，所述晶圆切割平面检测装置还包括：压缩泵，用于提供压缩气体；流量计，用于检测所述压缩气体的总流量；分流器，用于将所述压缩气体按照设定比例的初始流量分别输送至所述第一管路和所述第二管路中。3.如权利要求2所述的晶圆切割平面检测装置，其特征在于，所述第一管路和所述第二管路的出口端高度相同，所述第一管路和所述第二管路的相同高度处分别连通有第三管路和第四管路，所述压力传感器分别与所述第三管路和所述第四管路连通，以量测所述第三管路和所述第四管路之间的平均压力差，进而根据所述第一管路和所述第二管路中初始流量的设定比例，将所述第三管路和所述第四管路之间的平均压力差换算获得所述基准面至所述第一管路的垂向距离与所述激光保护层的表面至所述第二管路的垂向距离之差导致的所述第一管路与所述第二管路中气体之间的平均压力差。4.如权利要求1所述的晶圆切割平面检测装置，其特征在于，所述基准面至所述第一管路的出口端之间的垂向距离以及所述激光保护层的表面至所述第二管路的出口端之间的垂向距离均为50μm～200μm。5.一种晶圆切割装置，用于切割晶圆，所述晶圆上覆盖有激光保护层，所述晶圆具有凹凸不平的表面，使得所述激光保护层具有凹凸不平的表面；其特征在于，所述晶圆切割装置包括：如权利要求1～4中任一项所述的晶圆切割平面检测装置，用于检测获得所述晶圆的切割平面；激光器，用于向所述晶圆的切割道发射激光，且所述激光聚焦于所述切割平面处，以对所述切割道上的所述激光保护层和所述切割道进行切割。6.如权利要求5所述的晶圆切割装置，其特征在于，所述晶圆包括衬底和形成于所述衬底上的绝缘介质层和金属层，所述切割平面位于所述绝缘介质层和所述金属层中，以使得
对所述切割道上的所述激光保护层以及所述切割道上的所述绝缘介质层和所述金属层进行切割。7.如权利要求5所述的晶圆切割装置，其特征在于，所述晶圆切割装置还包括：聚焦单元，设置于所述晶圆与所述激光器之间，所述聚焦单元用于将所述激光聚焦在所述切割平面处。8.如权利要求5所述的晶圆切割装置，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭杨，陈帮，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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