流动阻力产生单元及包括其的基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供设置在管道内以稳定内部气流的流动阻力产生单元及包括其的基板处理装置。基板处理装置包括壳体；支承单元，设置在壳体内部，并且在两侧支承基板；加热部件，设置于壳体的侧壁，并且用于产生用于处理基板的热量；流体供应单元，用于向壳体的内部供应用于处理基板的流体，并且包括上部流体供应部、下部流体供应部和供应管道，上部流体供应部用于向基板的上部供应流体，下部流体供应部用于向基板的下部供应流体，供应管道与上部流体供应部和下部流体供应部中的至少一个流体供应部连接；以及流动阻力产生单元，设置于供应管道，并且对通过供应管道的流体产生流动阻力，其中，流动阻力产生单元设置在供应管道所包括的曲管与流体供应部之间。与流体供应部之间。与流体供应部之间。

【技术实现步骤摘要】
流动阻力产生单元及包括其的基板处理装置


[0001]本专利技术涉及流动阻力产生单元及包括其的基板处理装置。更详细地，本专利技术涉及能够应用于为制造半导体元件而进行的基板清洗工艺的流动阻力产生单元及包括其的基板处理装置。

技术介绍

[0002]半导体元件制造工艺可以在半导体元件制造设备中连续地执行，并且可以分为前工艺和后工艺。半导体制造设备可以设置在定义为FAB(Fabrication Plant，制造工厂)的空间，以制造半导体元件。
[0003]前工艺是指在晶片(Wafer)上形成电路图案以完成芯片(Chip)的工艺。前工艺可以包括在晶片上形成薄膜的沉积工艺(Deposition Process)、利用光掩模(Photo Mask)将光刻胶(Photo Resist)转印到薄膜上的曝光工艺(Photo Lithography Process)、利用化学物质或反应性气体来选择性地去除不需要的部分以在晶片上形成期望的电路图案的蚀刻工艺(Etching Process)、去除蚀刻后残留的光刻胶的灰化工艺(Ashing Process)、向与电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，包括：壳体；支承单元，设置在所述壳体的内部，并且在基板的两侧支承所述基板；加热部件，设置于所述壳体的侧壁，并且用于产生用于处理所述基板的热量；流体供应单元，用于向所述壳体的内部供应用于处理所述基板的流体，并且包括上部流体供应部、下部流体供应部和供应管道，所述上部流体供应部用于向所述基板的上部供应所述流体，所述下部流体供应部用于向所述基板的下部供应所述流体，所述供应管道与所述上部流体供应部和所述下部流体供应部中的至少一个流体供应部连接；以及流动阻力产生单元，设置于所述供应管道，并且对通过所述供应管道的所述流体产生流动阻力，其中，所述流动阻力产生单元设置在所述供应管道所包括的曲管与所述上部流体供应部或所述下部流体供应部之间。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述流动阻力产生单元对通过所述曲管并流向所述上部流体供应部或所述下部流体供应部的流体产生流动阻力。3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，在所述曲管为多个的情况下，所述流动阻力产生单元设置在相邻于所述上部流体供应部或所述下部流体供应部的曲管与所述上部流体供应部或所述下部流体供应部之间。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述流动阻力产生单元限制所述流体的流量从而对所述流体产生流动阻力。5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述流动阻力产生单元设置为多个。6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，所述流动阻力产生单元分别设置在所述曲管的前后。7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述流动阻力产生单元包括：主体；以及内部孔，形成在所述主体的内部，其中，所述内部孔的宽度可变。8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，所述内部孔包括瓶颈区间。9.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，所述内部孔的宽度朝向中央减小，并且朝向两端增大。10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述流动阻力产生单元设置为孔口型结构、多管型结构和缓冲罐型结构中的任一种结构。11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其中，所述流动阻力产生单元在设置为孔口型结构的情况下具有包括瓶颈区间的内部孔。12.根据权利要求10所述的基板处理装置，其中，所述流动阻力产生单元在设置为多管型结构的情况下形成为在分支之后重新结合。
13.根据权利要求10所述的基板处理装置，其中，所述流动阻力产生单元在设置为缓冲罐型结构的情况下具有宽度大于所述供应管道的内部孔。14.根据权利要求1所述的基板处...

【专利技术属性】
技术研发人员：辛在原，李在晟，崔海圆，元俊皓，科里亚金，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：