【技术实现步骤摘要】
晶圆传送腔及半导体处理系统
[0001]本专利技术涉及半导体设备
，特别涉及一种晶圆传送腔及半导体处理系统。
技术介绍
[0002]当前大部分半导体晶圆制造设备均采用真空传送腔作为真空负载腔与工艺腔的中转站。当真空传送腔的真空机械手将高温晶圆从工艺腔取出来后，必须放置于专门的冷却盘进行一定时间的冷却，才能传进真空负载腔。
[0003]然而，冷却盘大大占用了传送腔的空间，并且需要通入冷却水，冷却水管有老化和泄露的风险，冷却盘上的晶圆升降机构增加了故障和维护的成本，当晶圆与冷却盘上的升降销(Pin)接触时，可能会刮伤晶圆背面，导致在后续的工艺过程中更加容易破裂或污染，而且将晶圆转移到冷却盘上冷却需要花费时间，这对产量影响很大。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的是提供一种晶圆传送腔及半导体处理系统，用于解决现有晶圆冷却过程中的机械运动结构多、传送复杂、传送腔空间大、冷却步骤多、晶圆降温耗时长、晶圆背面划伤等问题。
[0005]为了实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案实现：>[0006]一种晶本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆传送腔，其特征在于，包括：本体，所述本体包括上顶和下底，所述上顶置于所述下底上方，所述上顶和所述下底之间形成用于在传送路径上传送晶圆的传送空间；所述本体还包括进气口和至少一个吹气口，所述进气口和所述吹气口连通，用于通入吹扫气体对所述晶圆在所述传送路径上进行吹扫和降温。2.如权利要求1所述的晶圆传送腔，其特征在于，所述吹气口包括第一吹气口和第二吹气口，用于在晶圆的传送路径上分别对晶圆上的第一区域和第二区域进行吹扫和降温。3.如权利要求1所述的晶圆传送腔，其特征在于，所述吹扫和降温实施于所述晶圆在所述传送路径上的传送过程中。4.如权利要求2所述的晶圆传送腔，其特征在于，所述第一吹气口和第二吹气口流出的吹扫气体垂直于所述晶圆的表面。5.如权利要求2所述的晶圆传送腔，其特征在于，所述本体还包括：第一进气道，连通所述进气口和所述第一吹气口；第二进气道，连通所述第一进气道和所述第二吹气口。6.如权利要求5所述的晶圆传送腔，其特征在于，所述第一进气道的形状与所述传送路径至少部分地对应。7.如权利要求6所述的晶圆传送腔，其特征在于，所述第一进气道为环形，所述第一吹气口的数量为多个，沿所述第一进气道均匀分布。8.如权利要求7所述的晶圆传送腔，其特征在于，所述第二进气道的数量为多个，并沿所述第一进气...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘超，
申请(专利权)人：江苏天芯微半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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