一种控温组件、上电极组件、工艺腔室及半导体处理设备制造技术

本申请公开了一种控温组件、上电极组件、工艺腔室及半导体处理设备，上电极控温组件包括：导热基座；加热环，设置于导热基座的顶面，用于对导热基座的边缘进行加热；多个第一加热带，由加热环的内侧向加热环的圆心延伸，并且沿加热环的周向均匀分布，第一加热带靠近加热环的圆心的一端位于第一圆周上，第一加热带用于对第一圆周至加热环之间的区域进行加热；多个第二加热带，由第一圆周向加热环的圆心延伸，并且沿第一圆周的周向均匀分布，第二加热带靠近加热环的圆心的一端位于第二圆周上，第二加热带用于对第二圆周至第一圆周之间的区域进行加热。本申请可以改善现有技术的换热介质因为流动导致温度无法精准控制的问题。质因为流动导致温度无法精准控制的问题。质因为流动导致温度无法精准控制的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种控温组件、上电极组件、工艺腔室及半导体处理设备


[0001]本申请涉及半导体制造设备
，具体涉及一种控温组件、上电极组件、工艺腔室及半导体处理设备。

技术介绍

[0002]晶圆进行工艺(例如刻蚀)时，上电极组件中的介质窗一般都需要加热至目标温度并尽量维持温度恒定，以提高工艺的均匀性。
[0003]现有的一种上电极组件包括介质窗以及设置在介质窗的顶面的液体管道，其中，液体管道的结构示意图如图1所示，该液体管道包括第一热交换区11a、第二热交换区12a和第三热交换区13a，通过向液体管道通入换热介质来对介质窗表面的三个区域进行控温。
[0004]该上电极组件结构，是通过加热热交换介质对介质窗进行间接控温，由于换热介质始终处于流动状态，温度无法精准控制。

技术实现思路

[0005]针对上述技术问题，本申请提供一种控温组件、上电极组件、工艺腔室及半导体处理设备，可以改善现有的上电极组件的温度无法精准控制的问题。
[0006]为解决上述技术问题，第一方面，本申请实施例提供一种上电极控温组件，包括：
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种上电极控温组件，其特征在于，包括：导热基座；加热环，设置于所述导热基座的顶面，用于对所述导热基座的边缘进行加热；多个第一加热带，由所述加热环的内侧向所述加热环的圆心延伸，并且沿所述加热环的周向均匀分布，所述第一加热带靠近所述加热环的圆心的一端位于第一圆周上，所述第一加热带用于对所述第一圆周至所述加热环之间的区域进行加热；多个第二加热带，由所述第一圆周向所述加热环的圆心延伸，并且沿所述第一圆周的周向均匀分布，所述第二加热带靠近所述加热环的圆心的一端位于第二圆周上，所述第二加热带用于对所述第二圆周至所述第一圆周之间的区域进行加热。2.根据权利要求1所述的上电极控温组件，其特征在于，所述第二加热带的数量小于所述第一加热带的数量。3.根据权利要求2所述的上电极控温组件，其特征在于，所述第二加热带与部分所述第一加热带一一对应，并且相对应的所述第二加热带与所述第一加热带位于所述加热环的同一半径上。4.根据权利要求3所述的上电极控温组件，其特征在于，所述导热基座的顶面设置有环形槽、多个第一径向槽和多个第二径向槽；所述加热环设置于所述环形槽中；所述第一径向槽由所述环形槽向所述环形槽的圆心延伸，并且沿所述环形槽的周向均匀分布，所述第一径向槽的长度等于所述第一加热带的长度；所述第二径向槽由所述环形槽向所述环形槽的圆心延伸，并且与所述第一径向槽均匀间隔分布，所述第二径向槽的长度等于所述第一加热带和所述第二加热带的长度之和；所述第一加热带的数量等于所述第一径向槽和所述第二径向槽的数量之和，并且所述第一加热带一一对应设置于所述第一径向槽和所述第二径向槽中；所述第二加热带的数量等于所述第二径向槽的数量，并且所述第二加热带一一对应设置于所述第二径向槽中。5.根据权利要求3所述的上电极控温组件，其特征在于，所述第一圆周的半径为所述加热环的半径的3/5。6.根据权利要求1所述的上电极控温组件，其特征在于，所述加热环的宽度为10mm，和/或所述第一加热带的宽度为10mm，和/或所述第二加热带的宽度为10mm；并且所述加热环、所述第一加热带和所述第二加热带覆盖所述导热基座的面积不超过所述导热基座的上表面面积的一半。7.根据权利要求1
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6任一项所述的上电极控温组件，其特征在于，还包括第一电源线、第二电源线和控制器；所述第一电源线分别...

【专利技术属性】
技术研发人员：李团结，马宏建，李栋，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：