硅转接板的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种硅转接板的制备方法，包括：S1：提供填充绝缘层和导电金属的硅衬底；S2：采用第一刻蚀气体刻蚀硅衬底的背面至第一设定时长，第一刻蚀气体包括碳氟类气体，刻蚀过程中在绝缘层的顶部形成有栏栅状沉积物；S3：采用第二刻蚀气体刻蚀硅衬底的背面至第二设定时长，第二刻蚀气体包括碳氟类气体和处理气体，处理气体用于去除栏栅状沉积物；S4：循环执行步骤S2

【技术实现步骤摘要】
硅转接板的制备方法


[0001]本专利技术属于半导体器件制造领域，更具体地，涉及一种硅转接板的制备方法。

技术介绍

[0002]2.5D封装作为一种先进的异构芯片封装，可以实现多个芯片的高密度线路的连接，集成为一个封装，采用2.5D封装的芯片之间能产生更快的数据输入和输出。如图1所示，借助硅中阶层(Si interposer)和2.5D TSV技术将内存、CPU和I/O芯片集成在一块基板上，拉近他们与处理器的距离，提升传输带宽，不仅可以节省能耗和成本，还可以提高计算效率。
[0003]在2.5D封装方式中硅转接板(Si interpose，硅通孔内部形成有铜柱)是实现量产的封测技术，采用TSV工艺制作硅转接板，首先在硅板中形成硅通孔，然后在硅通孔内壁形成氧化硅，再在硅通孔内填充Cu形成Cu柱，之后需要用到背面硅减薄露出铜柱的工艺(去除Cu柱背面的硅，露出Cu柱，实现正面和背面的导电联通)，实现暴露出铜柱，作为后续互联的背面焊点焊接。
[0004]目前在整面硅减薄工艺露出铜柱的技术中(如图2)，通常采用干法刻蚀工艺，利用SF6刻蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅转接板的制备方法，其特征在于，包括：S1：提供填充绝缘层和导电金属的硅衬底；S2：采用第一刻蚀气体刻蚀所述硅衬底的背面至第一设定时长，所述第一刻蚀气体包括碳氟类气体，刻蚀过程中在所述绝缘层的顶部形成有栏栅状沉积物；S3：采用第二刻蚀气体刻蚀所述硅衬底的背面至第二设定时长，所述第二刻蚀气体包括碳氟类气体和处理气体，所述处理气体用于去除所述栏栅状沉积物；S4：循环执行步骤S2
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S3，直到所述硅衬底背面的硅被刻蚀至设定深度，使所述导电金属从所述硅衬底的背面露出。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二刻蚀气体中的所述处理气体与所述碳氟类气体的流量比大于等于1:10且小于等于1:4。3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述碳氟类气体为CF4或C4F8。4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述处理气体包括O2。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一刻蚀气体还包括物理轰击气体。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一设定时长大于等于1s且小于等于3s，和/或所述第二设定时长大...

【专利技术属性】
技术研发人员：种景，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：