互连结构的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种互连结构的制备方法，包括：提供衬底，衬底上依次形成有介电层、硬掩模层和图形化的光刻胶层；以图形化的光刻胶层为掩模依次刻蚀硬掩模层和介电层，以形成贯穿硬掩模层的开口和贯穿介电层的接触孔，接触孔的深宽比为12:1~30:1；沿开口的宽度方向刻蚀硬掩模层显露出接触孔的顶部的部分介电层以扩宽开口，且扩宽后的开口的宽度大于接触孔的宽度；采用第一干法刻蚀工艺沿扩宽后的开口刻蚀接触孔的顶部显露的介电层，以使接触孔的顶部形成具有两段斜坡轮廓的阶梯状结构；以及，在接触孔的内壁形成阻挡层，以及在接触孔内填充金属材料形成金属插塞。本发明专利技术能够形成导电良好的金属插塞，提高互连结构的稳定性。提高互连结构的稳定性。提高互连结构的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
互连结构的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种互连结构的制备方法。

技术介绍

[0002]在半导体器件的制备工艺中，中段工艺的接触孔刻蚀完成后，会在接触孔的内壁淀积形成阻挡层，随后用金属材料填充接触孔形成金属插塞。图1为现有技术中互连结构的制备方法中形成阻挡层后的剖面示意图。请参考图1，现大多采用PVD等方式进行接触孔50
’
的阻挡层80
’
的淀积，由于接触孔50
’
的深宽比较大，采用PVD等方式形成阻挡层80
’
都极易导致接触孔50
’
的顶部提早封口形成悬垂，即接触孔50
’
顶部的阻挡层80
’
较厚，造成后续填充金属材料时阶梯覆盖率差，影响器件良率。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种互连结构的制备方法，避免在接触孔的顶部形成悬垂或提早封口，利于金属材料的填充，从而形成导电良好的金属插塞，提高互连结构的稳定性。
[0004]为了达到上述目的，本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种互连结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上依次形成有介电层、硬掩模层和图形化的光刻胶层；以所述图形化的光刻胶层为掩模依次刻蚀所述硬掩模层和所述介电层，以形成贯穿所述硬掩模层的开口和贯穿所述介电层的接触孔，所述接触孔的深宽比为12:1~30:1；沿所述开口的宽度方向刻蚀所述硬掩模层显露出所述接触孔的顶部的部分所述介电层以扩宽所述开口，且扩宽后的所述开口的宽度大于所述接触孔的宽度；采用第一干法刻蚀工艺沿扩宽后的所述开口刻蚀所述接触孔的顶部显露的所述介电层，以使所述接触孔的顶部形成具有两段斜坡轮廓的阶梯状结构，且所述阶梯状结构呈现上宽下窄且逐渐收缩的形貌；以及，在所述接触孔的内壁形成阻挡层，以及在所述接触孔内填充金属材料形成金属插塞。2.如权利要求1所述的互连结构的制备方法，其特征在于，沿所述开口的宽度方向刻蚀所述硬掩模层的步骤包括：在所述接触孔中填充有机材料层；采用第二干法刻蚀工艺沿所述开口的宽度方向刻蚀所述硬掩模层；以及，去除所述有机材料层。3.如权利要求2所述的互连结构的制备方法，其特征在于，所述第二干法刻蚀工艺的刻蚀气体包括O2、H2和N2。4.如权利要求1所述的互连结构的制备方法，其特征在于，在形成所述接触孔之后，去除所述图形化的光刻胶层。5...

【专利技术属性】
技术研发人员：何志强，高志杰，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：