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本发明提供了一种互连结构的制备方法，包括：提供衬底，衬底上依次形成有介电层、硬掩模层和图形化的光刻胶层；以图形化的光刻胶层为掩模依次刻蚀硬掩模层和介电层，以形成贯穿硬掩模层的开口和贯穿介电层的接触孔，接触孔的深宽比为12:1~30:1；沿开...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

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