制作半导体的方法技术

一种制作半导体的方法包含：提供堆叠结构，堆叠结构包含第一氧化层、第二氧化层以及堆叠在第一氧化层以及第二氧化层之间的金属层；形成遮罩层在第二氧化层上；通入混和气体至堆叠结构，其中混和气体包含至少两碳氢化合物以及氧气；以及通过遮罩层对堆叠结构执行脉冲等离子体工艺，以图案化第二氧化层并通过经图案化的第二氧化层暴露金属层。其功效在于提升通孔侧壁的笔直性。升通孔侧壁的笔直性。升通孔侧壁的笔直性。

【技术实现步骤摘要】
制作半导体的方法


[0001]本专利技术是有关于一种制作半导体的方法。

技术介绍

[0002]半导体工业被开发并且制造半导体结构的工艺被提升，同时元件的微缩持续地在进行。结构的尺寸以及形状的精确性变得愈发重要。为了制作氮导体结构的通孔，反应离子蚀刻方法常被使用。离子的种类借由等离子体的化合物成分而被决定，其必须要考虑离子种类对应不同材料的选择性蚀刻率。合适的蚀刻工艺配方是必要且不可或缺的。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种制作半导体的方法。
[0004]本专利技术是有关于一种制作半导体的方法包含提供堆叠结构，堆叠结构包含第一氧化层、第二氧化层以及堆叠在第一氧化层以及第二氧化层之间的金属层；形成遮罩层在第二氧化层上；通入混和气体至堆叠结构，其中混和气体包含至少两碳氢化合物以及氧气；以及通过遮罩层对堆叠结构执行脉冲等离子体工艺，以图案化第二氧化层并通过经图案化的第二氧化层暴露金属层。
[0005]在目前一些实施方式中，形成遮罩层的步骤包含：形成第一覆盖层在第二氧化层上；以及图案化第一覆盖层以暴露第二氧化层的表面的部位。
[0006]在目前一些实施方式中，方法进一步包含：形成第二覆盖层在经图案化的第一覆盖层上以覆盖并且接触第二氧化层的表面的部位。
[0007]在目前一些实施方式中，形成第二覆盖层的步骤利用毯式沉积工艺执行。
[0008]在目前一些实施方式中，第二覆盖层包含高介电材料。
[0009]在目前一些实施方式中，第一覆盖层包含氧化锆或氧化铪。
[0010]在目前一些实施方式中，方法进一步包含：形成另一遮罩层在经图案化的第二氧化层上；以及通过另一遮罩层对堆叠结构执行另一脉冲等离子体工艺，以形成穿过第一氧化层、金属层以及第二氧化层的通孔。
[0011]在目前一些实施方式中，形成另一遮罩层的步骤包含：形成第一覆盖层在经图案化的第二氧化层上；以及形成第二覆盖层在第一覆盖层上以覆盖并且接触金属层的表面的部位。
[0012]在目前一些实施方式中，形成第二覆盖层的步骤利用毯式沉积工艺执行。
[0013]在目前一些实施方式中，第二覆盖层包含高介电材料。
[0014]在目前一些实施方式中，第一覆盖层包含氧化锆或氧化铪。
[0015]在目前一些实施方式中，执行脉冲等离子体工艺的步骤进一步形成穿过第一氧化层、金属层以及第二氧化层的通孔。
[0016]在目前一些实施方式中，至少两碳氢化合物包含饱和碳氢化合物以及不饱和碳氢化合物或包含两不饱和碳氢化合物。
[0017]在目前一些实施方式中，至少两碳氢化合物的一者相比至少两碳氢化合物的另一者具有额外双键。
[0018]在目前一些实施方式中，金属层包含钨。
[0019]应当理解的是前述一般性的叙述以及下文针对细节的描述仅旨为示例，并且意在进一步针对本专利技术的权利要求提供解释。
附图说明
[0020]当结合随附诸图阅读时，得以自以下详细描述最佳地理解本专利技术的态样。应注意，根据行业上的标准实务，各种特征未按比例绘制。事实上，为了论述清楚，可任意地增大或减小各种特征的尺寸。
[0021]图1为根据本专利技术的一些实施例绘示的制造半导体的方法的流程图。
[0022]图2A为根据本专利技术的一些实施例绘示的制造半导体的方法的一个中间阶段的示意图。
[0023]图2B为根据本专利技术的一些实施例绘示的制造半导体的方法的一个中间阶段的示意图。
[0024]图2C为根据本专利技术的一些实施例绘示的制造半导体的方法的一个中间阶段的示意图。
[0025]图2D为根据本专利技术的一些实施例绘示的制造半导体的方法的一个中间阶段的示意图。
[0026]图2E为根据本专利技术的一些实施例绘示的制造半导体的方法的一个中间阶段的示意图。
[0027]图3为根据图2D中的一个实施例绘示的放大示意图。
具体实施方式
[0028]以下
技术实现思路
提供用于实施所提供目标的不同特征的许多不同实施例或实例。尽可能地在图式中以相同标号指代图式中以及说明书内的相同或类似部件。
[0029]请参照图1。图1为根据本专利技术的一些实施例绘示的制造半导体的方法M1的流程图。如图1所示，制造半导体的方法M1包含提供堆叠结构，堆叠结构包含第一氧化层、第二氧化层以及堆叠在第一氧化层以及第二氧化层之间的金属层(步骤S110)；形成遮罩层在第二氧化层上(步骤S120)；通入混和气体至堆叠结构，其中混和气体包含至少两碳氢化合物以及氧气(步骤S130)；以及通过遮罩层对堆叠结构执行脉冲等离子体工艺，以图案化第二氧化层并通过经图案化的第二氧化层暴露金属层(步骤S140)。
[0030]请接着参照图2A以及图1。图2A为根据本专利技术的一些实施例绘示的制造半导体的方法M1的一个中间阶段的示意图。如图2A以及图1所示，堆叠结构110在步骤S110被提供。堆叠结构110借由依序堆叠第一氧化层112、金属层114以及第二氧化层116而被形成。在一个实施例中，金属层114包含钨。在实际应用中，金属层114可以包含其他金属。在一些实施例中，金属层114的厚度可以大约为80纳米。在一些实施例中，第一氧化层112、金属层114以及第二氧化层116的比例为2:1:1。然而，任何合适的第一氧化层112、金属层114以及第二氧化层116的厚度皆可以被应用。
[0031]请参照图2B以及图1。图2B为根据本专利技术的一些实施例绘示的制造半导体的方法M1的一个中间阶段的示意图。如图2B以及图1所示，遮罩层120在步骤S120中被提供。遮罩层120可以包含多个子层，并且不同的子层可以借由不同工艺被形成。在一个实施例中，步骤S120包含：形成第一覆盖层在第二氧化层上(步骤S121)；以及图案化第一覆盖层以暴露第二氧化层的表面的部位(步骤S122)。具体来说，第一覆盖层122可以借由任何合适的工艺，例如化学气相沉积、物理气相沉积、其组合、或其类似者，被沉积在第二氧化层116上。在一个实施例中，第一覆盖层122包含氧化锌或氧化铪，但本专利技术并不以此为限。在沉积第一覆盖层122之后，步骤S122被执行以图案化第一覆盖层122。第一覆盖层122可以借由，例如光微影工艺，而被图案化，但本专利技术并不以此为限。请参照图2B。在一个实施例中，在第一覆盖层122被图案化之后，图案化的第一覆盖层122将会暴露部分的第二氧化层116的顶表面。未被暴露的部份的第二氧化层116的顶表面可以被图案化的第一覆盖层122所保护直到第一覆盖层122被完全地移除。
[0032]请参照图2B。步骤S120进一步包含：形成第二覆盖层在经图案化的第一覆盖层上以覆盖并且接触第二氧化层的表面的部位(步骤S123)。在一个实施例中，遮罩层120包含第一覆盖层122以及第二覆盖层124，本专利技术并不以此为限。任何合适数目的遮罩层120的子层皆可以被应用。在一个实施例中，步骤S123利用毯式沉积工艺执行。第二覆盖层124被保形地形成在第二氧化层116以及第一覆盖层1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制作半导体的方法，其特征在于，包含：提供堆叠结构，该堆叠结构包含第一氧化层、第二氧化层以及堆叠在该第一氧化层以及该第二氧化层之间的金属层；形成遮罩层在该第二氧化层上；通入混和气体至该堆叠结构，其中该混和气体包含至少两碳氢化合物以及氧气；以及通过该遮罩层对该堆叠结构执行脉冲等离子体工艺，以图案化该第二氧化层并通过经图案化的该第二氧化层暴露该金属层。2.根据权利要求1所述的方法，其中该形成该遮罩层的步骤包含：形成第一覆盖层在该第二氧化层上；以及图案化该第一覆盖层以暴露该第二氧化层的表面的至少一部位。3.根据权利要求2所述的方法，其中进一步包含：形成第二覆盖层在经图案化的该第一覆盖层上以覆盖并且接触该第二氧化层的该表面的该至少一部位。4.根据权利要求3所述的方法，其中该形成该第二覆盖层的步骤利用毯式沉积工艺执行。5.根据权利要求3所述的方法，其中该第二覆盖层包含高介电材料。6.根据权利要求2所述的方法，其中该第一覆盖层包含氧化锆或氧化铪。7.根据权利要求1所述的方法，其中进一步包含：形成另一遮罩层在经图案化的该第二氧化层...

【专利技术属性】
技术研发人员：慎志轩，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：