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本发明公开了一种硅转接板的制备方法，包括：S1：提供填充绝缘层和导电金属的硅衬底；S2：采用第一刻蚀气体刻蚀硅衬底的背面至第一设定时长，第一刻蚀气体包括碳氟类气体，刻蚀过程中在绝缘层的顶部形成有栏栅状沉积物；S3：采用第二刻蚀气体刻蚀硅衬底...
该专利属于北京北方华创微电子装备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方华创微电子装备有限公司授权不得商用。

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