半导体工艺设备制造技术

本申请公开一种半导体工艺设备，所公开的半导体工艺设备包括预清洗工艺腔室(100)、杂质承接内衬(200)和冷却盘(300)，所述预清洗工艺腔室(100)具有腔室空间(130)；冷却盘(300)设于腔室空间(130)内；杂质承接内衬(200)设于腔室空间(130)内，杂质承接内衬(200)包括筒状部(210)和顶板(220)，顶板(220)与冷却盘(300)贴合，顶板(220)覆盖筒状部(210)的邻近冷却盘(300)的端口，且与筒状部(210)相连，顶板(220)与筒状部(210)围成预清洗空间(131)。上述方案能解决相关技术涉及的半导体工艺设备存在制冷效果不佳的问题。冷效果不佳的问题。冷效果不佳的问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺设备


[0001]本申请属于半导体工艺设备设计
，具体涉及一种晶圆支撑装置及半导体工艺设备。

技术介绍

[0002]预清洗工艺是半导体工艺过程中较为重要的一环，其目的是在沉积薄膜之前，清除晶圆表面的油污、氧化物等杂质，从而使得晶圆在进行薄膜沉积之前具有较为干净的表面。已经得到证明，预清洗工艺会明显提升晶圆后续工艺中所沉积的薄膜的附着力，改善最终形成的芯片的电气性能和可靠性。
[0003]预清洗工艺通常在半导体工艺设备的预清洗工艺腔室内进行，在预清洗工艺过程中，预清洗工艺腔室设有冷媒通道，冷媒通道内设冷媒，通过冷媒实现对杂质承接内衬的冷却。但是，相关技术涉及的半导体工艺设备存在冷却效果不佳的问题。而且，预清洗工艺腔室设有冷媒通道的部位与半导体工艺设备的外部环境接触，较容易导致结霜结冰现象。在检修的过程中，这些结霜结冰的部位容易融化滴水，进而误触发报警，影响检修的正常进行。

技术实现思路

[0004]本专利技术公开一种半导体工艺设备，以解决相关技术涉及的半导体工艺设备存在冷却效果不佳的问题。
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括预清洗工艺腔室(100)、杂质承接内衬(200)和冷却盘(300)，其中，所述预清洗工艺腔室(100)具有腔室空间(130)，所述冷却盘(300)设于所述腔室空间(130)内；所述杂质承接内衬(200)设于所述腔室空间(130)内，所述杂质承接内衬(200)包括筒状部(210)和顶板(220)，所述顶板(220)与所述冷却盘(300)贴合，所述顶板(220)覆盖所述筒状部(210)的邻近所述冷却盘(300)的端口，且与所述筒状部(210)相连，所述顶板(220)与所述筒状部(210)围成预清洗空间(131)。2.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述预清洗工艺腔室(100)包括腔室主体(110)和腔室盖体(120)，所述腔室盖体(120)与所述腔室主体(110)相连，且可围成所述腔室空间(130)；所述冷却盘(300)与所述腔室盖体(120)固定，所述腔室主体(110)具有支撑面(1111)，所述腔室盖体(120)支撑于所述支撑面(1111)上，所述支撑面(1111)设有弹性支撑件(140)，所述弹性支撑件(140)弹性支撑于所述支撑面(1111)与所述顶板(220)之间，所述弹性支撑件(140)驱使所述顶板(220)与所述冷却盘(300)紧贴合。3.根据权利要求2所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述顶板(220)的边缘开设有多个第一凹槽(221)，所述第一凹槽(221)具有朝向所述支撑面(1111)的第一底壁，所述支撑面(1111)设置有多个定位凸起(1112)，所述弹性支撑件(140)为多个，且分别弹性支撑于相对的所述定位凸起(1112)与相对的所述第一底壁之间，其中，在所述多个定位凸起(1112)中，至少一部分所述定位凸起(1112)和与之相对的所述第一凹槽(221)定位配合。4.根据权利要求3所述的半导体工艺设备，其特征在于，在所述多个定位凸起(1112)中，一部分所述定位凸起(1112)和与之相对的所述第一凹槽(221)定位配合；另一部分所述定位凸起(1112)和与之相对的所述第一凹槽(221)的侧壁之间具有间隙。5.根据权利要求3所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述定位凸起(1112)设有第二凹槽，所述弹性支撑件(140)的部分伸至所述第二凹槽之内，且与所述第二凹槽定位配合，所述第二凹槽具有朝向所述顶板(220)的第二底壁，所述弹性支撑件(140)弹性支撑于所述第一底壁与所述第二底壁之间。6.根据权利要求2
‑
5中任一项所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述弹性支撑件(140)沿所述筒状部(210)的圆周方向间隔、且均匀分布。7.根据权利要求2所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述腔室主体(110)的朝向所述筒状部(210)的内壁设有弹性接地件(150)，所述弹性接地件(150)与所述筒状部(210)导电接触。8.根据权利要求7所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述腔室主体(110)包括上承接环(111)，所述上承接环(111)的朝向所述腔室盖体(120)的端面为所述支撑面(1111)，所述弹性接地件(150)设于所述上承接环(111)的内壁与所述筒状部(210)之间。9.根据权利要求8所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述支撑面(1111)或所述腔室盖体(120)的与所述支撑面(1111)相对的表面开设有第一安装槽，所述第一安装槽内安装有密封圈，所述腔室盖体(120)通过所述密封圈与所述支撑面(1111)密封相连；和/或，所述支撑面(1111)或所述腔室盖体(120)的与所述支撑面(1111)相对的表面开设有第
二安装槽，所述第二安装槽内安装有诱电线圈，和/或，所述上承接环(111)开设有第一通风孔(1214)。10.根据权利要求7所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述弹性接地件(150)为多个，且围绕所述筒状部(210)的圆周方向间隔分布，所有的所述弹性接地件(150)围成弹性定位空间，所述筒状部(210)定位于所述弹性定位空间之内。11.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述预清洗工艺腔室(100)包括腔室盖体(120)，所述冷却盘(300)的朝向所述腔室盖体(120)的第一表面设有多个连接凸起(300a)，所述多个连接凸起(300a)与所述腔室盖体(120)相连。12.根据权利要求11所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述冷却盘(300)的与所述顶板(220)相贴合的第二表面开设有沉槽(301)，所述沉槽(301)的底壁开设有第一连接孔(302)，所述第一表面与所述第二表面相背，所述第一连接孔(302)自所述沉槽(301)的底壁起沿所述连接凸起(300a)的凸起方向贯穿所述连接凸起(300a)；所述腔室盖体(120)设有第二连接孔(121)，所述冷却盘(300)通过与所述第一连接孔(302)和所述第二连接孔(121)配合的连接件(122)固定相连，所述连接件(122)的部分位于所述沉槽(301)中。13.根据权利要求12所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述冷却盘(300)的所述第二表面开设有导气槽(303)，所述导气槽(303)与所述沉槽(301)对应，所述导气槽(303)的第一端口与所述沉槽(301)连通，所述导气槽(303)的第二端口位于所述冷却盘(300)的边缘，且位于所述冷却盘(300)的侧面。14.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述预清洗工艺腔室(100)包括腔室盖体(120)，所述冷却盘(300)设有第一冷媒通道(304)，所述第一冷媒通道(304)设有第一冷媒进口(3041)和第一冷媒出口(3042)，所述半导体工艺设备还包括第一接头(305)、第二接头(306)以及设于所述腔室空间(130)之外的第一冷媒输入管道和第一冷媒输出管道，所述第一接头(305)与所述第一冷媒进口(3041)密封对接，且所述第一接头(305)的部分穿过所述腔室盖体(120)，且与所述第一冷媒输入管道连通；所述第二接头(306)与所述第一冷媒出口(3042)密封对接，且所述第二接头(306)的部分穿过所述腔室盖体(120)，且与所述第一冷媒输出管道连通。15.根据权利要求14所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述第一接头(305)和所述第一冷媒输入管道的连接处，以及所述第二接头(306)与所述第一冷媒输出管道的连接处均设有保温件，所述保温件通过抱紧件(850)固定在所述连接处。16.根据权利要求14所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述腔室盖体(120)开设有第一避让孔(123)和第二避让孔(124)，所述第一接头(305)分别与所述冷却盘(300)和所述腔室盖体(120)可拆卸配合，且所述第一接头(305)的部分穿过所述第一避让孔(123)，且与所述第一冷媒输入管道连通；所述第二接头(306)分别与所述冷却盘(300)和所述腔室盖体(120)可拆卸配合，且所述第二接头(306)的部分穿过所述第二避让孔(124)，且与所述第一冷媒...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘学滨，李冬冬，郭浩，徐奎，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：