尾气排放装置及半导体热处理设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种尾气排放装置及半导体热处理设备，涉及半导体技术领域。该尾气排放装置包括排放气路、氧气检测气路和吹扫气路，其中，排放气路用于排放尾气；氧气检测气路并联连通于排放气路，氧气检测气路的进气端连通于排放气路的第一位置、出气端连通于排放气路的第二位置，且第二位置位于第一位置的下游；吹扫气路的出气端连通于氧气检测气路中进气气路的入口段。该半导体热处理设备包括反应腔室和上述尾气排放装置，尾气排放装置与反应腔室连接。该尾气排放装置能够严格控制反应腔室内的氧含量，并确保氧气检测气路的正常使用，从而确保半导体热处理设备对晶圆的退火效果及加工品质。加工品质。加工品质。

【技术实现步骤摘要】
尾气排放装置及半导体热处理设备


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种尾气排放装置及半导体热处理设备。

技术介绍

[0002]集成电路制造领域中，使用立式炉进行退火工艺能够消除晶圆内的晶体结构应力，因此立式炉作为前段工艺用装置已经广泛用于半导体热处理设备。退火工艺过程中，反应腔室内氧含量过高会破坏晶圆表面的薄膜质量，然而现有立式炉使用时无法严格控制反应腔室内的氧含量，从而导致立式炉对晶圆的退火效果以及对晶圆的加工品质不佳。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的包括提供一种尾气排放装置及半导体热处理设备，以解决现有半导体热处理设备使用时无法严格控制其反应腔室内的氧含量，导致半导体热处理设备对晶圆的退火效果及加工品质不佳的技术问题。
[0004]为解决上述问题，本专利技术提供一种半导体热处理设备的尾气排放装置，包括：
[0005]排放气路，用于排放尾气；
[0006]氧气检测气路，并联连通于所述排放气路，其中，所述氧气检测气路的进气端连通于所述排放气路的第一位置、出气端连通于所述排本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体热处理设备的尾气排放装置，其特征在于，包括：排放气路(100)，用于排放尾气；氧气检测气路(200)，并联连通于所述排放气路(100)，其中，所述氧气检测气路(200)的进气端连通于所述排放气路(100)的第一位置(13)、出气端连通于所述排放气路(100)的第二位置(14)，且所述第二位置(14)位于所述第一位置(13)的下游；以及，吹扫气路(300)，所述吹扫气路(300)的出气端连通于所述氧气检测气路(200)中进气气路的入口段(211)。2.根据权利要求1所述的尾气排放装置，其特征在于，所述入口段(211)的进气端伸入所述排放气路(100)内，且所述入口段(211)的进气端的端口朝向与所述排放气路(100)于所述第一位置(13)处的流向一致。3.根据权利要求1或2所述的尾气排放装置，其特征在于，所述氧气检测气路(200)包括氧气分析仪(220)，所述氧气分析仪(220)的进气口通过氧气检测进气管(210)连通于所述第一位置(13)，所述氧气分析仪(220)的出气口通过氧气检测出气管(230)连通于所述第二位置(14)；所述氧气检测进气管(210)设有氧气采样通断阀(240)。4.根据权利要求1或2所述的尾气排放装置，其特征在于，所述吹扫气路(300)包括吹扫管(310)，所述吹扫管(310)的上游管段沿吹扫方向依次设有吹扫控压阀(320)和吹扫压力表(330)，所述吹扫管(310)的下游管段设有吹扫节流阀(340)和吹扫通断阀(350)。5.根据权利要求3所述的尾气排放装置，其特征在于，所述尾气排放装置还包括补充气路(400)，所述补充气路(400)的出气端连通于所述氧气分析仪(220)的进气口。6.根据权利要求5所述的尾气排放装置，其特征在于，所述补充气路(400)包括补充管(410)，所述补充管(410)的进气端连通于所述吹扫气路(300)、出气端连通于所述氧气分析仪(220)的进气口；所述补充管(410)设有补充节流阀(420)和补充通断阀(430)。7.根据权利要求1或2所述的尾气排放装置，其特征在于，所述尾气排放装置还包括第一氢气检测气路(500)和氢气稀释气路(600)，所述第一氢气检测气路(500)的进气端与...

【专利技术属性】
技术研发人员：王立卡，石磊，光耀华，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：