【技术实现步骤摘要】
工艺腔室进气装置、半导体设备、安装方法和拆卸方法
[0001]本专利技术涉及半导体加工
,具体而言,涉及一种工艺腔室进气装置和半导体设备
。
技术介绍
[0002]随着半导体设备的发展,对等离子体处理工艺的稳定性
、
均匀性要求越来越高
。
以刻蚀工艺为例,等离子体通过上电极线圈感应耦合的方式在腔室内部产生,并等使离子体均匀的刻蚀晶圆,此时进入腔室系统结构的工艺气体均匀性越好,周围温度越均匀,刻蚀晶圆的均匀性越好
。
但是,相关技术中,工艺气体进入到工艺腔室时,其均匀性不理想,进而会导致工艺效果不稳定
。
技术实现思路
[0003]本专利技术的第一个目的在于提供一种工艺腔室进气装置,以解决现有工艺气体进入时均匀性差的技术问题
。
[0004]本专利技术提供的工艺腔室进气装置,应用于半导体设备,包括:
[0005]喷淋头盖板,设置有第一气流通孔;
[0006]引流组件,所述引流组件与所述喷淋头盖板之间的空间形成第一喷淋腔,所述第一喷淋腔连通于所述第一气流通孔,所述第一喷淋腔的侧壁设有连通于所述第一喷淋腔的第二气流通孔;所述引流组件包括控温盘,所述控温盘位于所述喷淋头盖板的下方并与所述第一气流通孔对应设置
。
[0007]优选的技术方案中,所述引流组件还包括喷淋环,所述第二气流通孔设置于所述喷淋环,所述喷淋环与所述喷淋头盖板和所述控温盘皆密封连接,所述喷淋环
、
所述喷淋头
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种工艺腔室进气装置,其特征在于,应用于半导体设备,包括:喷淋头盖板
(110)
,设置有第一气流通孔
(111)
;引流组件,所述引流组件与所述喷淋头盖板
(110)
之间的空间形成第一喷淋腔,所述第一喷淋腔连通于所述第一气流通孔
(111)
,所述第一喷淋腔的侧壁设有连通于所述第一喷淋腔的第二气流通孔
(310)
;所述引流组件包括控温盘
(200)
,所述控温盘
(200)
位于所述喷淋头盖板
(110)
的下方并与所述第一气流通孔
(111)
对应设置
。2.
根据权利要求1所述的工艺腔室进气装置,其特征在于,所述引流组件还包括喷淋环
(300)
,所述第二气流通孔
(310)
设置于所述喷淋环
(300)
,所述喷淋环
(300)
与所述喷淋头盖板
(110)
和所述控温盘
(200)
皆密封连接,所述喷淋环
(300)、
所述喷淋头盖板
(110)
和所述控温盘
(200)
形成所述第一喷淋腔
。3.
根据权利要求2所述的工艺腔室进气装置,其特征在于,所述喷淋环
(300)
与所述控温盘
(200)
和所述喷淋头盖板
(110)
皆可拆卸连接
。4.
根据权利要求3所述的工艺腔室进气装置,其特征在于,所述控温盘
(200)
和所述喷淋头盖板
(110)
分别从所述喷淋环
(300)
相背的两端夹持所述喷淋环
(300)。5.
根据权利要求4所述的工艺腔室进气装置,其特征在于,所述喷淋环
(300)
设有台阶孔,所述台阶孔具有台阶端面
(320)
,所述台阶端面
(320)
与所述控温盘
(200)
的上表面密封连接,且所述喷淋环
(300)
的上端面与所述喷淋头盖板
(110)
的下表面密封连接
。6.
根据权利要求2所述的工艺腔室进气装置,其特征在于,所述第二气流通孔
(310)
的进气端位于所述喷淋环
(300)
的内周面以连通所述第一喷淋腔,所述第二气流通孔
(310)
的出气端位于所述喷淋环
(300)
的背离所述喷淋头盖板
(110)
的端面或所述喷淋环
(300)
的外周面以向工艺腔中喷气,所述第二气流通孔
(310)
沿所述喷淋环
(300)
的周向均匀分布;沿所述第二气流通孔
(310)
的进气端至出气端,所述第二气流通孔
(310)
逐渐远离所述控温盘
(200)
的中心
。7.
根据权利要求1‑6中任一项所述的工艺腔室进气装置,其特征在于,所述控温盘
(200)
设有冷媒进出轴
(210)
,所述冷媒进出轴
(210)
穿过所述喷淋头盖板
(110)
,且与所述喷淋头盖板
(110)
配合
。8.
根据权利要求7所述的工艺腔室进气装置,其特征在于,所述控温盘
(200)
的上表面设有第一凸台
(220)
,所述第一凸台
(220)
与所述喷淋头盖板
(110)
密封连接,每根所述冷媒进出轴
(210)
分别设置于一个所述第一凸台
(220)
上
。9.
根据权利要求8所述的工艺腔室进气装置,其特征在于,所述控温盘
(200)
的上表面设有第二凸台<...
【专利技术属性】
技术研发人员:李会鑫,
申请(专利权)人:北京北方华创微电子装备有限公司,
类型:发明
国别省市:
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