一种栅极结构制备方法和半导体工艺设备技术

本发明专利技术公开了一种栅极结构制备方法和半导体工艺设备，在基底上形成第一介质层，对第一介质层刻蚀第一预设深度以得到具有第一斜率的第一子开口，对第一子开口的底部的第一介质层刻蚀第二预设深度以得到具有第二斜率的第二子开口，第二斜率大于第一斜率，对第二子开口的底部的第一介质层刻蚀第三预设深度以得到第三子开口，第一子开口

【技术实现步骤摘要】
一种栅极结构制备方法和半导体工艺设备


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，具体涉及一种栅极结构制备方法和半导体工艺设备
。

技术介绍

[0002]随着通信频段向更高频率范围发展，要求场效应晶体管等半导体器件也具有更高的工作频率
。
为了在不增加栅极电阻的情况下，通过减小栅极长度来提高半导体器件的工作频率，目前大多采用横截面为
Y
字形的电极作为栅极
。
但是，目前制备的
Y
形栅极的尺寸精确度较差，导致半导体器件的工作频率不能满足要求
。

技术实现思路

[0003]本专利技术公开一种栅极结构制备方法和半导体工艺设备，以提高制备的
Y
形栅极的尺寸精确度
。
[0004]第一方面，本专利技术公开了一种栅极结构制备方法，包括：在基底上形成第一介质层；第一刻蚀步，对所述第一介质层刻蚀第一预设深度以得到具有第一斜率的第一子开口；第二刻蚀步，对所述第一子开口的底部的第一介质层刻蚀第二预设深度以得到具有第二斜率的第二子开本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种栅极结构制备方法，其特征在于，包括：在基底上形成第一介质层；第一刻蚀步，对所述第一介质层刻蚀第一预设深度以得到具有第一斜率的第一子开口；第二刻蚀步，对所述第一子开口的底部的第一介质层刻蚀第二预设深度以得到具有第二斜率的第二子开口，所述第二斜率大于所述第一斜率；第三刻蚀步，对所述第二子开口的底部的第一介质层刻蚀第三预设深度以得到第三子开口，所述第一子开口
、
所述第二子开口和所述第三子开口顺次构成栅极开口；在所述栅极开口内沉积栅极材料形成
Y
形栅极
。2.
根据权利要求1所述的栅极结构制备方法，其特征在于，所述在基底上形成第一介质层包括：在所述基底上形成第一子介质层，在所述第一子介质层上形成第二子介质层，所述第一子介质层和所述第二子介质层的材质不同；所述对所述第一介质层刻蚀第一预设深度以得到具有第一斜率的第一子开口包括：对所述第二子介质层刻蚀第一预设深度以得到所述第一子开口；所述对所述第一子开口的底部的第一介质层刻蚀第二预设深度以得到具有第二斜率的第二子开口包括：对所述第一子开口的底部的第二子介质层刻蚀第二预设深度暴露出所述第一子介质层以得到所述第二子开口；所述对所述第二子开口的底部的第一介质层刻蚀第三预设深度以得到第三子开口包括：对所述第二子开口的底部的第一子介质层刻蚀第三预设深度贯穿所述第一子介质层以得到所述第三子开口
。3.
根据权利要求2所述的栅极结构制备方法，其特征在于，所述第一子介质层和所述第二子介质层中一个为氧化硅层
、
另一个为氮化硅层
。4.
根据权利要求3所述的栅极结构制备方法，其特征在于，所述第二刻蚀步中的下电极功率小于所述第一刻蚀步中的下电极功率
。5.
根据权利要求3所述的栅极结构制备方法，其特征在于，所述第一刻蚀步所采用的工艺气体中
F
元素含量大于所述第二刻蚀步所采用的工艺气体中
F
元素的含量；和
/
或所述第一刻蚀步所采用的工艺气体中
Br
元素含量小于所述第二刻蚀步所采用的工艺气体中
Br
元素的含量；和
/
或所述第一刻蚀步所采用的工艺气体中
F
元素与
Br
元素含...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘晗，林源为，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：