一种沟槽制造技术

本申请实施例提供了一种沟槽

【技术实现步骤摘要】
一种沟槽MOS的制备工艺及沟槽MOS器件


[0001]本申请各实施例半导体
，尤其涉及一种沟槽
MOS
的制备工艺及沟槽
MOS
器件
。

技术介绍

[0002]现有技术中的沟槽
MOS
的制备工艺中，沟槽
MOS
的沟槽侧壁只有一层氧化硅，此种结构的
MOS
器件导通电阻较大
。
[0003]所以急需研究一种可以降低
MOS
器件导通电阻的制备工艺
。

技术实现思路

[0004]为了解决或缓解现有技术中的问题，本申请实施例提供了一种沟槽
MOS
的制备工艺，包括：
[0005]在外延层上刻蚀多个间隔设置的沟槽；
[0006]在多个所述沟槽中从靠近沟槽内壁向远离沟槽内壁依次生长第一氧化硅层
、
淀积氮化硅层和淀积第二氧化硅层；
[0007]在多个所述沟槽中沉积第一栅极多晶硅；
[0008]对所述第一栅极多晶硅进行光刻，然后刻蚀所述第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种沟槽
MOS
的制备工艺，其特征在于，包括在外延层上刻蚀多个间隔设置的沟槽；在多个所述沟槽中从靠近沟槽内壁向远离沟槽内壁依次生长第一氧化硅层
、
淀积氮化硅层和淀积第二氧化硅层；在多个所述沟槽中沉积第一栅极多晶硅；对所述第一栅极多晶硅进行光刻，然后刻蚀所述第一栅极多晶硅直到所述第一栅极多晶硅顶部略低于所述外延层上表面，以保证所述外延层上表面的第一栅极多晶硅去除干净；去除光刻胶后，刻蚀去除所述第一栅极多晶硅所在沟槽中的部分第二氧化硅层和所述外延层上表面的第二氧化硅层；刻蚀去除所述第一栅极多晶硅所在沟槽中的部分氮化硅层和所述外延层上表面的氮化硅层；在所述第一栅极多晶硅所在沟槽中和外延层上表面沉积第二栅极多晶硅；对所述第二栅极多晶硅进行回刻，直到所述第二栅极多晶硅顶部略低于所述外延层上表面，以保证所述外延层上表面的第二栅极多晶硅去除干净；在所述外延层中进行离子注入形成第一注入区；在源极区的第一注入区中通过离子注入形成第二注入区；在所述外延层上表面沉积介质层；从远离外延层到靠近外延层方向刻蚀第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔贯穿介质层和第二注入区直到延伸至第一注入区，所述第二接触孔从远离外延...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨慧玲，董建新，阮孟波，
申请(专利权)人：上海韦尔半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：